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隨機訪問存儲器單元結構、隨機訪問存儲器及其操作方法.pdf

摘要
申請專利號:

CN201410155104.X

申請日:

2014.04.17

公開號:

CN103956182A

公開日:

2014.07.30

當前法律狀態:

終止

有效性:

無權

法律詳情: 未繳年費專利權終止IPC(主分類):G11C 11/4063申請日:20140417授權公告日:20170215終止日期:20180417|||授權|||實質審查的生效IPC(主分類):G11C 11/4063申請日:20140417|||公開
IPC分類號: G11C11/4063; G11C11/409 主分類號: G11C11/4063
申請人: 清華大學; 清華大學深圳研究生院
發明人: 潘立陽; 劉雪梅; 伍冬
地址: 100084 北京市海淀區100084-82信箱
優先權:
專利代理機構: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 代理人: 張大威
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201410155104.X

授權公告號:

|||||||||

法律狀態公告日:

2019.04.05|||2017.02.15|||2014.08.27|||2014.07.30

法律狀態類型:

專利權的終止|||授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

本發明提出隨機訪問存儲器單元結構、隨機訪問存儲器及其操作方法,該單元結構包括:N型門管、P型門管、N型晶體管和P型晶體管,其中,N型晶體管的源極與器件內部可調低電壓相連,P型晶體管的源極與器件內部可調電源電壓相連,N型晶體管的漏極與P型晶體管的柵極相連,N型晶體管的柵極與P型晶體管的漏極相連,N型門管的漏極與位線相連,N型門管的柵極與寫入字線相連,N型門管的源極連接至N型晶體管的漏極與P型晶體管的柵極之間的第一節點,P型門管的漏極與互補位線相連,P型門管的柵極與讀取字線相連,P型門管的源極連接至N型晶體管的柵極與P型晶體管的漏極之間的第二節點。本發明具有控制簡單、集成度高、穩定可靠的優點。

權利要求書

權利要求書
1.  一種隨機訪問存儲器單元結構,其特征在于,包括:N型門管(NG1)、P型門管(PG1)、N型晶體管(N1)和P型晶體管(P1),其中,
所述N型晶體管(N1)的源極與器件內部可調低電壓VSSI相連,所述P型晶體管(P1)的源極與器件內部可調電源電壓VDDI相連,所述N型晶體管(N1)的漏極與所述P型晶體管(P1)的柵極相連,所述N型晶體管(N1)的柵極與所述P型晶體管(P1)的漏極相連,
所述N型門管(NG1)的漏極與位線BL相連,所述N型門管(NG1)的柵極與寫入字線WWL相連,所述N型門管(NG1)的源極連接至所述N型晶體管(N1)的漏極與所述P型晶體管(P1)的柵極之間的第一節點(Q),
所述P型門管(PG1)的漏極與互補位線BLn相連,所述P型門管(PG1)的柵極與讀取字線RWL相連,所述P型門管(PG1)的源極連接至所述N型晶體管(N1)的柵極與所述P型晶體管(P1)的漏極之間的第二節點(Qn)。

2.  根據權利要求1所述的隨機訪問存儲器單元結構,其特征在于,所述N型晶體管(N1)的閾值電壓絕對值大于所述N型門管(NG1)的閾值電壓絕對值,并且,所述P型晶體管(P1)的閾值電壓絕對值大于所述P型門管(PG1)的閾值電壓絕對值。

3.  一種隨機訪問存儲器,其特征在于,包括多個權利要求1或2所述的隨機訪問存儲器單元結構。

4.  一種隨機訪問存儲器的保持操作方法,其特征在于,應用于權利要求3所述的隨機訪問存儲器,包括:
WWL維持低電平;RWL維持高電平;BL維持低電平;BLn維持高電平;VDDI維持次高電平;VSSI維持次低電平。

5.  一種隨機訪問存儲器的寫入操作方法,其特征在于,應用于權利要求3所述的隨機訪問存儲器,采用如下選中操作策略:對地址選中操作行的所有數據進行讀操作;然后,對于地址選中操作列,將待寫入的數據寫入存儲單元;對于非選中操作列,將先前讀出的存儲數據重新寫入存儲單元。

6.  一種隨機訪問存儲器的寫入操作方法,其特征在于,應用于權利要求3所述的隨機訪問存儲器,采用如下選中操作策略:進行地址譯碼后,將行譯碼所得行地址信號與列譯碼所得的列地址信號進行邏輯運算,對于選中列進行寫入操作,而非選中列,無操作。

7.  如權利要求5或6所述的隨機訪問存儲器的寫入操作方法,其特征在于,對于選中列的寫入操作,采用三段寫入,包括:
WWL在第一寫階段為低電平、在第二寫階段和第三寫階段為高電平;
RWL在第一寫階段和第二寫階段為低電平、在第三寫階段為高電平;
寫入“1”時,BL在第一寫階段、第二寫階段和第三寫階段維持高電平,或者,寫入“0”時,BL在第一寫階段、第二寫階段和第三寫階段維持低電平;
BLn在第一寫階段、第二寫階段和第三寫階段維持高電平;
VDDI在第一寫階段、第二寫階段和第三寫階段維持次高電平;和
VSSI在第一寫階段、第二寫階段和第三寫階段維持次低電平。

8.  一種隨機訪問存儲器的讀出操作方法,其特征在于,應用于權利要求3所述的隨機訪問存儲器,采用兩段讀出,包括:
WWL在第一讀階段和第二讀階段維持低電平;
RWL在第一讀階段為高電平,在第二讀階段為低電平;
BL在第一讀階段和第二讀階段維持低電平;
讀出“1”時,BLn在第一讀階段為高電平、第二寫階段從高電平逐漸降至低電平,或者,讀出“0”時,BLn在第一讀階段和第二讀階段維持高電平;
VDDI在第一讀階段和第二讀階段維持高電平;
VSSI在第一讀階段和第二讀階段維持次低電平。

9.  一種隨機訪問存儲器的刷新操作方法,其特征在于,應用于權利要求3所述的隨機訪問存儲器,包括:
WWL維持在Vthn,所述Vthn為所述N型門管(NG1)和所述N型晶體管(N1)的電壓閾值中絕對值較大者;
RWL維持在(高電平-Vthp),所述Vthp為所述P型門管(PG1)和所述P型晶體管(P1)的電壓閾值中較大者;
BL維持低電平;
BLn維持高電平;
VDDI維持次高電平;
VSSI維持次低電平。

關 鍵 詞:
隨機 訪問 存儲器 單元 結構 及其 操作方法
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