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一種功率半導體芯片測試用覆銅陶瓷基板.pdf

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一種 功率 半導體 芯片 測試 用覆銅 陶瓷
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摘要
申請專利號:

CN201410142703.8

申請日:

2014.04.10

公開號:

CN103954804A

公開日:

2014.07.30

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||實質審查的生效IPC(主分類):G01R 1/04申請日:20140410|||公開
IPC分類號: G01R1/04 主分類號: G01R1/04
申請人: 中國科學院電工研究所
發明人: 張瑾; 仇志杰; 溫旭輝
地址: 100190 北京市海淀區中關村北二條6號
優先權:
專利代理機構: 北京科迪生專利代理有限責任公司 11251 代理人: 關玲
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201410142703.8

授權公告號:

||||||

法律狀態公告日:

2016.08.24|||2014.08.27|||2014.07.30

法律狀態類型:

授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

一種功率半導體芯片測試用覆銅陶瓷基板,自上而下依次為:上銅層(0101)、陶瓷層(0102)、下銅層(0103)。上銅層(0101)刻蝕有正電極區(0201)、公共電極區(0202)、負電極區(0203)、第一門極區(0204)、第二門極區(0205),以及門極橋接區(0206),六個電路區域之間有絕緣溝道(0209)。第一門極區(0204)位于上銅層(0101)的左端,第一門極區(0204)的上方和右方為正電極區(0201),第一門極區(0204)的下方為公共電極區(0202)。公共電極區(0202)的右側為負電極區(0203)。負電極區(0203)的左側及下方為公共電極區(0202),右側為第二門極區(0205)。門極橋接區(0206)位于負電極區(0203)內部,并且,門極橋接區(0206)位于覆銅陶瓷基板(01)的橫軸中心線上。

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