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用于半導體或導體核材料中氧同位素的SIMS測量方法.pdf

關 鍵 詞:
用于 半導體 導體 材料 同位素 SIMS 測量方法
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摘要
申請專利號:

CN201410137443.5

申請日:

2014.04.08

公開號:

CN103983683A

公開日:

2014.08.13

當前法律狀態:

駁回

有效性:

無權

法律詳情: 發明專利申請公布后的駁回IPC(主分類):G01N 27/62申請公布日:20140813|||實質審查的生效IPC(主分類):G01N 27/62申請日:20140408|||公開
IPC分類號: G01N27/62 主分類號: G01N27/62
申請人: 中國原子能科學研究院
發明人: 王同興; 張生棟; 趙永剛; 張燕; 沈彥; 姜小燕; 鹿捷
地址: 102413 北京市房山區北京市275信箱65分箱
優先權:
專利代理機構: 代理人:
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201410137443.5

授權公告號:

||||||

法律狀態公告日:

2018.03.06|||2014.09.10|||2014.08.13

法律狀態類型:

發明專利申請公布后的駁回|||實質審查的生效|||公開

摘要

本發明涉及一種用于半導體或導體核材料中氧同位素的SIMS測量方法,其過程為:步驟a,將樣品進行處理并制作測量樣品后,進行裝樣;清洗實驗設備,設置測量參數,并對SIMS質譜儀進行調試;步驟b,加載樣品后,對樣品進行測量,分別統計18O、16O的計數率;步驟c,根據上述步驟a12的測量結果計算18O、16O的比值;步驟d,對測量值進行校正及不確定計算;步驟e,結束測量。本發明SIMS測量深度氧化的金屬鈾中氧同位素的方法,通過對環境中氧的解決、測量條件的優化等研究,建立了SIMS測量鈾氧化物中氧同位素的方法;該方法具有樣品制備簡單、測量準確、測量精度高和測量速度快等特點。

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本文標題:用于半導體或導體核材料中氧同位素的SIMS測量方法.pdf
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