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陣列基板母板及其制作方法.pdf

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陣列 母板 及其 制作方法
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摘要
申請專利號:

CN201510335191.1

申請日:

2015.06.16

公開號:

CN104898342A

公開日:

2015.09.09

當前法律狀態:

實審

有效性:

審中

法律詳情: 實質審查的生效IPC(主分類):G02F 1/1362申請日:20150616|||公開
IPC分類號: G02F1/1362; G02F1/1343 主分類號: G02F1/1362
申請人: 京東方科技集團股份有限公司; 北京京東方光電科技有限公司
發明人: 薛靜; 尹巖巖; 趙龍; 王海金
地址: 100015北京市朝陽區酒仙橋路10號
優先權:
專利代理機構: 北京路浩知識產權代理有限公司11002 代理人: 李相雨
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201510335191.1

授權公告號:

|||

法律狀態公告日:

2015.10.07|||2015.09.09

法律狀態類型:

實質審查的生效|||公開

摘要

本發明提供了一種陣列基板母板及其制作方法,該陣列基板母板包括多個顯示區域以及任意相鄰兩個所述顯示區域之間的非顯示區域,所述顯示區域上設置有用于顯示的第一像素單元,所述非顯示區域上設置有第二像素單元,所述第二像素單元用于測試所述陣列基板母板上的薄膜晶體管特性。本發明提供的陣列基板母板,在相鄰兩個顯示區域之間的非顯示區域設置第二像素單元,通過第二像素單元可以測試該區域上的薄膜晶體管特性,從而能夠反映出顯示區域上的薄膜晶體管特性,有利于及時發現陣列基板母板上的薄膜晶體管不良,避免后續出現大量不良品,節約材料,并且有利于產品的研發。

權利要求書

權利要求書
1.  一種陣列基板母板,包括多個顯示區域以及任意相鄰兩個所述顯示區域之間的非顯示區域,所述顯示區域上設置有用于顯示的第一像素單元,其特征在于,所述非顯示區域上設置有第二像素單元,所述第二像素單元用于測試所述陣列基板母板上的薄膜晶體管特性。

2.  根據權利要求1所述的陣列基板母板,其特征在于,所述第一像素單元包括第一薄膜晶體管以及與所述第一薄膜晶體管相連的第一像素電極,所述第一像素電極上覆蓋有絕緣保護層,所述第二像素單元包括第二薄膜晶體管以及所述第二薄膜晶體管相連的第二像素電極,所述第二像素電極暴露出以便能夠輸入和/或輸出測試信號。

3.  根據權利要求2所述的陣列基板母板,其特征在于,所述第一薄膜晶體管與所述第二薄膜晶體管同時形成,所述第一像素電極與所述第二像素電極同時形成。

4.  根據權利要求3所述的陣列基板母板,其特征在于,所述第二像素電極位于所述第二薄膜晶體管的漏極的下方或上方。

5.  根據權利要求2所述的陣列基板母板,其特征在于,所述絕緣保護層上設置有公共電極,所述第一像素電極以及所述第二像素電極均為面狀電極,所述公共電極為梳狀電極。

6.  一種陣列基板母板的制作方法,包括在襯底基板上的多個顯示區域上制作用于顯示的第一像素單元,其特征在于,所述方法還包括:在所述襯底基板上任意相鄰兩個所述顯示區域之間的非顯示區域上制作第二像素單元,所述第二像素單元用于測試所述陣列基板母板上的薄膜晶體管特性。

7.  根據權利要求6所述的陣列基板母板的制作方法,其特征在于,所述第一像素單元包括第一薄膜晶體管以及與所述第一薄膜晶體管相連的第一像素電極,所述第一像素電極上覆蓋有絕緣保護層,所述第二像素單元包括第二薄膜晶體管以及所述第二薄膜晶體管相連的第二 像素電極,所述第二像素電極暴露出以便能夠輸入和/或輸出測試信號。

8.  根據權利要求7所述的陣列基板母板的制作方法,其特征在于,所述第一薄膜晶體管與所述第二薄膜晶體管同時形成,所述第一像素電極與所述第二像素電極同時形成。

9.  根據權利要求8所述的陣列基板母板的制作方法,其特征在于,所述第二像素電極位于所述第二薄膜晶體管的漏極的下方或上方。

10.  根據權利要求7所述的陣列基板母板的制作方法,其特征在于,所述絕緣保護層上設置有公共電極,所述第一像素電極以及所述第二像素電極均為面狀電極,所述公共電極為梳狀電極。

說明書

說明書陣列基板母板及其制作方法
技術領域
本發明涉及顯示領域,尤其涉及一種陣列基板母板及其制作方法。
背景技術
TFT-LCD(薄膜晶體管-液晶顯示面板)作為一種平板顯示裝置,因其具有體積小、功耗低、無輻射以及制作成本相對較低等特點,而越來越多地被應用于高性能顯示領域當中。
現有的液晶顯示面板主要包括陣列基板、彩膜基板和液晶層,其中,陣列基板上形成有多個薄膜晶體管(TFT),在制作陣列基板的工藝完成后,通常需要對陣列基板上的薄膜晶體管的特性進行測試,然而,由于陣列基板的薄膜晶體管通常被保護層所覆蓋,給其特性的測試帶來諸多不便,特別是對于ADS模式的液晶顯示面板,在陣列基板工藝完成后,目前暫無有效的方法對顯示區域內TFT的特性進行確認,從而不能準確判斷顯示區域內的薄膜晶體管的特性是否異常,給產品的后續開發工作帶來極大的不便,影響開發效率,并且一旦出現問題也不能第一時間得以解決,無形當中增加了生產成本。
發明內容
(一)要解決的技術問題
本發明要解決的技術問題是:提供一種陣列基板母板及其制作方法,能夠便于對其上的薄膜晶體管的特性進行測試。
(二)技術方案
為解決上述技術問題,本發明的技術方案提供了一種陣列基板母板,包括多個顯示區域以及任意相鄰兩個所述顯示區域之間的非顯示區域,所述顯示區域上設置有用于顯示的第一像素單元,所述非顯示區域上設置有第二像素單元,所述第二像素單元用于測試所述陣列基 板母板上的薄膜晶體管特性。
優選地,所述第一像素單元包括第一薄膜晶體管以及與所述第一薄膜晶體管相連的第一像素電極,所述第一像素電極上覆蓋有絕緣保護層,所述第二像素單元包括第二薄膜晶體管以及所述第二薄膜晶體管相連的第二像素電極,所述第二像素電極暴露出以便能夠輸入和/或輸出測試信號。
優選地,所述第一薄膜晶體管與所述第二薄膜晶體管同時形成,所述第一像素電極與所述第二像素電極同時形成。
優選地,所述第二像素電極位于所述第二薄膜晶體管的漏極的下方或上方。
優選地,所述絕緣保護層上設置有公共電極,所述第一像素電極以及所述第二像素電極均為面狀電極,所述公共電極為梳狀電極。
為解決上述技術問題,本發明還提供了一種陣列基板母板的制作方法,包括在襯底基板上的多個顯示區域上制作用于顯示的第一像素單元,所述方法還包括:在所述襯底基板上任意相鄰兩個所述顯示區域之間的非顯示區域上制作第二像素單元,所述第二像素單元用于測試所述陣列基板母板上的薄膜晶體管特性。
優選地,所述第一像素單元包括第一薄膜晶體管以及與所述第一薄膜晶體管相連的第一像素電極,所述第一像素電極上覆蓋有絕緣保護層,所述第二像素單元包括第二薄膜晶體管以及所述第二薄膜晶體管相連的第二像素電極,所述第二像素電極暴露出以便能夠輸入和/或輸出測試信號。
優選地,所述第一薄膜晶體管與所述第二薄膜晶體管同時形成,所述第一像素電極與所述第二像素電極同時形成。
優選地,所述第二像素電極位于所述第二薄膜晶體管的漏極的下方或上方。
優選地,所述絕緣保護層上設置有公共電極,所述第一像素電極以及所述第二像素電極均為面狀電極,所述公共電極為梳狀電極。
(三)有益效果
本發明提供的陣列基板母板,在相鄰兩個顯示區域之間的非顯示區域設置第二像素單元,通過第二像素單元可以測試該區域上的薄膜晶體管特性,從而能夠反映出顯示區域上的薄膜晶體管特性,有利于及時發現陣列基板母板上的薄膜晶體管不良,避免后續出現大量不良品,節約材料,并且有利于產品的研發。
附圖說明
圖1是本發明實施方式提供的一種陣列基板母板的示意圖;
圖2是本發明實施方式提供的一種陣列基板母板上顯示區域與非顯示區域上像素單元的示意圖;
圖3是本發明實施方式提供的另一種陣列基板母板上顯示區域與非顯示區域上像素單元的示意圖。
具體實施方式
下面結合附圖和實施例,對本發明的具體實施方式作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發明,但不用來限制本發明的范圍。
本發明實施方式提供了一種陣列基板母板,包括多個顯示區域以及任意相鄰兩個所述顯示區域之間的非顯示區域,所述顯示區域上設置有用于顯示的第一像素單元,所述非顯示區域上設置有第二像素單元,所述第二像素單元用于測試所述陣列基板母板上的薄膜晶體管特性。
本發明實施方式提供的陣列基板母板,在相鄰兩個顯示區域之間的非顯示區域設置第二像素單元,通過第二像素單元可以測試該區域上的薄膜晶體管特性,從而能夠反映出顯示區域上的薄膜晶體管特性,有利于及時發現陣列基板母板上的薄膜晶體管不良,避免后續出現大量不良品,節約材料,并且有利于產品的研發。
本發明中的陣列基板母板,切割后形成多個獨立的用于顯示裝置的陣列基板,每個陣列基板由陣列基板母板上的一個顯示區域及周邊 部分的非顯示區域構成,其中,陣列基板的顯示區域對應顯示裝置的顯示區域,非顯示區域可以對應其邊框位置。
參見圖1,圖1是本發明實施方式提供的一種陣列基板母板的示意圖,該陣列基板母板100包括多個顯示區域110以及任意相鄰兩個所述顯示區域之間的非顯示區域120;
其中,顯示區域110上設置多個相互交錯的柵線和數據線,通過該相互交錯的柵線和數據線從而劃分出多個呈矩陣排布的第一像素單元,每一個第一像素單元用于控制液晶層中對應區域中的液晶分子偏轉,從而使得顯示裝置能夠顯示出相應的畫面;
非顯示區域120同樣可以設置多個相互交錯的柵線和數據線,從而可以得到多個呈矩陣排布的第二像素單元,該第二像素單元用于測試陣列基板母板上的薄膜晶體管特性(TFT Character);
具體地,參見圖2,圖2是圖1中AA’方向的截面示意圖,其中,在顯示區域110中,每一個第一像素單元包括第一薄膜晶體管以及與第一薄膜晶體管相連的第一像素電極114,第一薄膜晶體管包括設置在襯底130上的柵極111、柵極絕緣層112、有源層113、源極115和漏極116,其中,柵極111與顯示區域中的柵線相連,源極115與顯示區域中的數據線相連,漏極116與第一像素電極114相連,在源極115、漏極116和第一像素電極114上還形成有絕緣保護層(PVX層)117,通過該絕緣保護層117將第一像素電極114與公共電極118隔離;
在非顯示區域120中,所述第二像素單元包括第二薄膜晶體管以及所述第二薄膜晶體管相連的第二像素電極124,第二薄膜晶體管包括設置在襯底130上的柵極121、柵極絕緣層122、有源層123、源極125和漏極126,其中,柵極121與該區域中的柵線相連,源極125與該區域中的數據線相連,漏極126與第二像素電極124相連,其中,與顯示區域中的第一像素單元不同的是,該區域中的第二像素電極暴露出以便能夠輸入和/或輸出測試信號;
當對上述的陣列基板母板上的薄膜晶體管特性進行測試時,只需 通過對非顯示區域中的第二像素電極、數據驅動芯片(IC)、柵極驅動電路(如GOA單元)施加測試信號,就可以對本區域中薄膜晶體管的特性進行確認,由于本區域位于兩個顯示區域之間,因此,能夠更好的反應出顯示區域中的薄膜晶體管特性,從而得出顯示區域較為精確薄膜晶體管特性的測試值,進而可以第一時間發現TFT相關不良;
優選地,為了使上述得到的薄膜晶體管特性的測試值與顯示區域中的薄膜晶體管特性更接近,所述第一薄膜晶體管與所述第二薄膜晶體管同時形成,所述第一像素電極與所述第二像素電極同時形成;
由于在本發明提供的陣列基板母板中,只需將非顯示區域中的像素電極暴露出,因此,在制作絕緣保護層(PVX層)中,可以在整個非顯示區域都不沉積PVX材料,或者只在第二像素電極的區域不沉積PVX材料,例如,可在現有的陣列基板制造工藝中,將非顯示區域的柵線、數據線、薄膜晶體管和像素電極的制作過程與顯示區域同步完成,而后續的絕緣保護層和公共電極的制作工藝只針對顯示區域,使顯示區形成電容,而非顯示區域只制作薄膜晶體管和像素電極;
此外,還可以使非顯示區域與顯示區域在現有的制作工藝上完全相同,當現有的所有工藝完成后,再除去整個非顯示區域上的絕緣保護層和公共電極層,或者僅除去第二像素電極上的絕緣保護層和公共電極層,同樣能夠得到上述的陣列基板母板。
此外,在本發明中,可以如圖2所示使第一像素電極位于所述第一薄膜晶體管的漏極的下方,第二像素電極位于所述第二薄膜晶體管的漏極的下方,也可以如如圖3所示使第一像素電極位于所述第一薄膜晶體管的漏極的上方,第二像素電極位于所述第二薄膜晶體管的漏極的上方,對于圖3所示的方式,在制作像素電極時,可以采用不會腐蝕源漏電極層的刻蝕液,防止對源漏極造成損害。
本發明中的陣列基板母板可以為ADS模式,在該模式的陣列基板母板中,所述第一像素電極以及所述第二像素電極均為面狀電極,公共電極為梳狀電極。
本發明實施方式提供的陣列基板母板,在相鄰兩個顯示區域之間的非顯示區域設置第二像素單元,并將該第二像素單元的像素電極暴露出,通過該第二像素單元的像素電極可以輸入或輸出測試信號,進而得到本區域上的薄膜晶體管特性,由于本區域位于兩個顯示區域之間,因此,能夠更好的反應出顯示區域中的薄膜晶體管特性,從而得出與顯示區域較為接近的薄膜晶體管特性的測試值,有利于及時發現陣列基板母板上的TFT開關不良,避免后續出現大量不良品,節約材料,并且有利于產品的研發。此外,由于在非顯示區域設置第二像素單元,因而能夠降低非顯示區域與顯示區域之間的高度差,進而可以在后續的摩擦取向工藝中防止摩擦不良(Rubbing Mura)。
本發明實施方式還提供了一種陣列基板母板的制作方法,包括在襯底基板上的多個顯示區域上制作用于顯示的第一像素單元,所述方法還包括:在所述襯底基板上任意相鄰兩個所述顯示區域之間的非顯示區域上制作第二像素單元,所述第二像素單元用于測試所述陣列基板母板上的薄膜晶體管特性。
其中,所述第一像素單元包括第一薄膜晶體管以及與所述第一薄膜晶體管相連的第一像素電極,所述第一像素電極上覆蓋有絕緣保護層,所述第二像素單元包括第二薄膜晶體管以及所述第二薄膜晶體管相連的第二像素電極,所述第二像素電極暴露出以便能夠輸入和/或輸出測試信號。
優選地,為了使上述得到的薄膜晶體管的測試值與顯示區域中的薄膜晶體管的特性更接近,所述第一薄膜晶體管與所述第二薄膜晶體管同時形成,所述第一像素電極與所述第二像素電極同時形成。
其中,所述第二像素電極可以位于所述第二薄膜晶體管的漏極的下方或上方。
其中,上述方法可以用于ADS模式產品的制作,在該模式的陣列基板母板中,所述第一像素電極以及所述第二像素電極均為面狀電極,所述公共電極為梳狀電極。
以上實施方式僅用于說明本發明,而并非對本發明的限制,有關技術領域的普通技術人員,在不脫離本發明的精神和范圍的情況下,還可以做出各種變化和變型,因此所有等同的技術方案也屬于本發明的范疇,本發明的專利保護范圍應由權利要求限定。

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