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一種納米壓印易脫模方法.pdf

關 鍵 詞:
一種 納米 壓印 脫模 方法
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摘要
申請專利號:

CN201510355304.4

申請日:

2015.06.25

公開號:

CN104898371A

公開日:

2015.09.09

當前法律狀態:

實審

有效性:

審中

法律詳情: 實質審查的生效IPC(主分類):G03F 7/00申請日:20150625|||公開
IPC分類號: G03F7/00 主分類號: G03F7/00
申請人: 河海大學常州校區
發明人: 孫洪文; 卞存康; 馬曉超; 虎晨輝
地址: 213022江蘇省常州市晉陵北路200號
優先權:
專利代理機構: 南京縱橫知識產權代理有限公司32224 代理人: 劉艷艷; 董建林
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201510355304.4

授權公告號:

|||

法律狀態公告日:

2015.10.07|||2015.09.09

法律狀態類型:

實質審查的生效|||公開

摘要

本發明公開了一種納米壓印易脫模方法,該脫模方法的特點是不一次性直接將印章和膠體分開,而是提拉與下壓結合分階段進行,具體工藝步驟如下:a、將印章向上提拉印章腔體或凸起高度的三分之一;b、將印章下壓,與膠體再次完全接觸;c、將印章再次向上提拉印章腔體或凸起高度的三分之二;d、將印章下壓,與膠體再次完全接觸;e、將印章向上提拉直至完全脫模。本發明工藝過程比較簡單方便,而且有利于納米壓印時脫模。

權利要求書

權利要求書
1.  一種納米壓印易脫模方法,其特征在于:不一次性直接將印章和膠體分開,而是提拉與下壓結合分階段進行。

2.  根據權利要求1所述的納米壓印易脫模方法,其特征在于,具體包括以下步驟:
a)將印章向上提拉印章腔體或凸起高度的三分之一;
b)將印章下壓,與膠體再次完全接觸;
c)將印章再次向上提拉印章腔體或凸起高度的三分之二;
d)將印章下壓,與膠體再次完全接觸;
e)將印章向上提拉直至完全脫模。

3.  根據權利要求2所述的納米壓印易脫模方法,其特征在于:所述印章的材質為硅、二氧化硅或鎳。

4.  根據權利要求2所述的納米壓印易脫模方法,其特征在于:所述膠體的材質為聚甲基丙烯酸甲酯或聚苯乙烯。

說明書

說明書一種納米壓印易脫模方法
技術領域
本發明涉及一種納米壓印易脫模方法,屬于微電子、微納米制備技術領域。
背景技術
目前,微電子加工技術已經進入納米時代,隨著特征尺寸的進一步縮寫,下一代光刻技術急需解決。納米壓印技術極有可能成為下一代光刻技術,因為它具有工藝簡單、成本低、效率高的優點。由于它是基于物理變形復制圖案,不受光學衍射等因素影響,它具有較高的分辨率,可加工5納米的圖案。納米壓印印章制備成本昂貴、制備時間長,在壓印過程中易于損傷,所以必須最大限度地提高納米壓印的印章壽命縮短工藝周期。納米壓印印章表面凸起或凹陷結構越多,意味著與聚合物接觸的表面積越多,越容易引起聚合物和印章間的粘連。目前較為通用的方法是通過對印章表面施加一層抗粘連層來減少粘連現象。這種方法并不能完全消除粘連引起的的印章磨損和復制缺陷,為進一步減少由于粘連問題帶來的問題,本發明提出一種比較簡單直接的方法來進一步改進納米壓印工藝。
發明內容
目的:為了克服現有技術中存在的不足,本發明提供一種納米壓印易脫模方法,使得納米壓印印章易脫模,且工藝簡單、成本較低。
技術方案:為解決上述技術問題,本發明采用的技術方案為:
一種納米壓印易脫模方法,其特征在于:不一次性直接將印章和膠體分開,而是提拉與下壓結合分階段進行。
具體包括以下步驟:
a)將印章向上提拉印章腔體或凸起高度的三分之一;
b)將印章下壓,與膠體再次完全接觸;
c)將印章再次向上提拉印章腔體或凸起高度的三分之二;
d)將印章下壓,與膠體再次完全接觸;
e)將印章向上提拉直至完全脫模。
作為優選方案,所述的納米壓印易脫模方法,其特征在于:所述印章的材質為硅、二氧化硅或鎳。
作為優選方案,所述的納米壓印易脫模方法,其特征在于:所述膠體的材質為聚甲基丙烯酸甲酯或聚苯乙烯。
有益效果:本發明提供的納米壓印易脫模方法,采用了上述技術方案后,使得納米工藝步驟脫模階段比較容易脫模,并且工藝也比較簡單,成本低廉。使得納米壓印印章易脫模,且工藝簡單、成本較低。
具體實施方式
下面結合具體實施例對本發明作更進一步的說明。
實施例1:
采用聚焦離子束在硅襯底上加工一組納米圖案,刻蝕的溝槽長和寬為100nm,深度為300nm,得到納米壓印印章,膠體選用聚甲基丙烯酸甲酯。脫模階段的步驟如下:
a、將印章向上提拉100nm;
b、將印章下壓,與膠體再次完全接觸;
c、將印章再次向上提拉200nm;
d、將印章下壓,與膠體再次完全接觸;
e、將印章向上提拉直至完全脫模。
實施例2:
采用電子束光刻和反應離子刻蝕在二氧化硅襯底上加工納米圓柱圖案,突出的納米圓柱圖案直徑60nm,高度為60nm,得到納米壓印印章,膠體選用聚苯乙烯。脫模階段的步驟如下:
a、將印章向上提拉20nm;
b、將印章下壓,與膠體再次完全接觸;
c、將印章再次向上提拉40nm;
d、將印章下壓,與膠體再次完全接觸;
e、將印章向上提拉直至完全脫模。
以上所述僅是本發明的優選實施方式,應當指出:對于本技術領域的普通技術人員來說,在不脫離本發明原理的前提下,還可以做出若干改進和潤飾,這些改進和潤飾也應視為本發明的保護范圍。

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