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互電容觸控顯示面板及其制作方法.pdf

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電容 顯示 面板 及其 制作方法
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摘要
申請專利號:

CN201510368573.4

申請日:

2015.06.29

公開號:

CN104898913A

公開日:

2015.09.09

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||實質審查的生效IPC(主分類):G06F 3/044申請日:20150629|||公開
IPC分類號: G06F3/044; G02F1/1333 主分類號: G06F3/044
申請人: 深圳市華星光電技術有限公司
發明人: 徐向陽
地址: 518132廣東省深圳市光明新區塘明大道9—2號
優先權:
專利代理機構: 深圳市德力知識產權代理事務所44265 代理人: 林才桂
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201510368573.4

授權公告號:

||||||

法律狀態公告日:

2018.05.01|||2015.10.07|||2015.09.09

法律狀態類型:

授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

本發明提供一種互電容觸控顯示面板及其制作方法。該互電容觸控顯示面板將觸控發射電極(4)集成在CF基板(2)遠離液晶層(3)的一側,將透明的觸控感應電極(5)集成在CF基板(2)靠近液晶層(3)的一側,且觸控感應電極(5)經過高溫退火處理。該互電容觸控顯示面板的制作方法,于液晶層(3)形成以前在CF基板(2)靠近液晶層(3)一側的表面上制作出透明的觸控感應電極(5),并采用高溫退火來降低觸控感應電極(5)的電阻,再在CF基板(2)與TFT基板(1)對組、液晶層(3)形成以后在CF基板(2)遠離液晶層(3)一側的表面上制作出觸控發射電極(4)。本發明能夠降低觸控感應電極的電阻,提升觸控顯示面板的觸控靈敏度。

權利要求書

權利要求書
1.  一種互電容觸控顯示面板,其特征在于,包括:TFT陣列基板(1)、與所述TFT陣列基板(1)相對設置的CF基板(2)、夾設于所述TFT陣列基板(1)與CF基板(2)之間的液晶層(3)、設于所述CF基板(2)遠離液晶層(3)一側的數條相互平行的觸控發射電極(4)、及設于所述CF基板(2)靠近液晶層(3)一側的數條相互平行且在空間上垂直于觸控發射電極(4)的透明的觸控感應電極(5);
所述觸控感應電極(5)經過高溫退火處理。

2.  如權利要求1所述的互電容觸控顯示面板,其特征在于,所述CF基板(2)包括基板(21),所述數條觸控發射電極(4)設于該基板(1)遠離液晶層(3)一側的表面上,所述數條觸控感應電極(5)設于該基板(1)靠近液晶層(3)一側的表面上;所述CF基板(2)還包括設于所述基板(21)與數條觸控感應電極(5)上的彩色色阻(22)、將所述彩色色阻(22)間隔開的黑色矩陣(23)、設于所述黑色矩陣(23)上的光阻間隔物(24)、及覆蓋所述彩色色阻(22)、黑色矩陣(23)、與光阻間隔物(24)的配向膜(25)。

3.  如權利要求1所述的互電容觸控顯示面板,其特征在于,所述觸控感應電極(5)的材料為ITO。

4.  如權利要求3所述的互電容觸控顯示面板,其特征在于,所述觸控感應電極(5)的厚度為

5.  如權利要求1所述的互電容觸控顯示面板,其特征在于,所述觸控發射電極(4)的材料為ITO或金屬。

6.  一種互電容觸控顯示面板的制作方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟1、提供一基板(21),在所述基板(21)的一側表面上鍍一層透明導電膜,然后通過掩膜刻蝕工藝對所述透明導電膜進行圖案化處理,形成數條相互平行的透明的觸控感應電極(5);
步驟2、對所述數條相互平行的透明的觸控感應電極(5)進行高溫退火,以降低觸控感應電極(5)的電阻;
步驟3、通過掩膜刻蝕工藝依次在所述基板(21)與觸控感應電極(5)上制作出黑色矩陣(23)、彩色色阻(22)、及光阻間隔物(24);
其中,所述黑色矩陣(23)將彩色色阻(22)間隔開,所述光阻間隔物(24)設于所述黑色矩陣(23)上;
步驟4、在所述彩色色阻(22)、黑色矩陣(23)、與光阻間隔物(24)上涂布配向液,形成配向膜(25),完成CF基板(2)的制作;
步驟5、提供一TFT陣列基板(1),將TFT陣列基板(1)與CF基板(2)對組,使所述觸控感應電極(5)朝向TFT陣列基板(1),向TFT陣列基板(1)與CF基板(2)之間灌入液晶,形成液晶層(3);
步驟6、在CF基板(2)的基板(21)遠離液晶層(3)一側的表面上鍍一層導電膜,然后通過掩膜刻蝕工藝對所述導電膜進行圖案化處理,形成數條相互平行且在空間上垂直于觸控感應電極(5)的觸控發射電極(4)。

7.  如權利要求6所述的互電容觸控顯示面板的制作方法,其特征在于,所述步驟1中的透明導電膜的材料為ITO。

8.  如權利要求7所述的互電容觸控顯示面板的制作方法,其特征在于,所述透明導電膜的厚度為

9.  如權利要求6所述的互電容觸控顯示面板的制作方法,其特征在于,所述步驟6中導電膜的材料為ITO或金屬。

10.  如權利要求6所述的互電容觸控顯示面板的制作方法,其特征在于,所述基板(21)為玻璃基板。

說明書

說明書互電容觸控顯示面板及其制作方法
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種互電容觸控顯示面板及其制作方法。
背景技術
隨著顯示技術的飛速發展,觸控顯示面板已經廣泛地被人們所接受及使用,如智能手機、平板電腦等均使用了觸控顯示面板。觸控顯示面板采用嵌入式觸控技術將觸控面板和液晶顯示面板結合為一體,并將觸控面板功能嵌入到液晶顯示面板內,使得液晶顯示面板同時具備顯示和感知觸控輸入的功能。
液晶顯示面板的通常是由一彩色濾光片基板(Color Filter,CF)、一薄膜晶體管陣列基板(Thin Film Transistor Array Substrate,TFT Array Substrate)以及一配置于兩基板間的液晶層(Liquid Crystal Layer)所構成,其工作原理是通過在兩片玻璃基板上施加驅動電壓來控制液晶層的液晶分子的旋轉,將背光模組的光線折射出來產生畫面。按照液晶的取向方式不同,目前主流市場上的液晶顯示面板可以分為以下幾種類型:垂直配向(Vertical Alignment,VA)型、扭曲向列(Twisted Nematic,TN)或超扭曲向列(Super Twisted Nematic,STN)型、平面轉換(In-Plane Switching,IPS)型、及邊緣場開關(Fringe Field Switching,FFS)型。
觸控顯示面板依感應技術不同可分為電阻式、電容式、光學式、音波式四種,目前主流的觸控技術為電容式,其中電容式又分為自電容式和互電容式,目前市場上的電容式觸控顯示面板為主要為互電容式,互電容的優點在于可實現多點觸控。觸控顯示面板根據結構不同可劃分為:觸控電路覆蓋于液晶盒上式(On Cell),觸控電路內嵌在液晶盒內式(In Cell)、以及外掛式。其中,In cell式具有成本低、超薄、和窄邊框的優點,主要應用在高端觸控產 品中,但由于In cell式觸控技術工藝難度較大,信號干擾等因素,其靈敏度較差。目前市場上應用最多的觸控顯示面板仍為外掛式,外掛式的優點在于靈敏度高,響應速度快,但缺點是成本高,產品超薄化受限制。On Cell式集成了外掛式和In cell式的優點,既能提高靈敏度又能降低面板厚度,但由于在On Cell式觸控顯示面板的制作過程中,只能在液晶成盒之后在面板表面鍍用于制作觸控電路的透明電極氧化銦錫(ITO),ITO退火溫度受限制,因此電阻很難降低,導致觸控靈敏度提高受限。
發明內容
本發明的目的在于提供一種互電容觸控顯示面板,其觸控感應電極的電阻較低,觸控靈敏度較高。
本發明的目的還在于提供一種互電容觸控顯示面板的制作方法,能夠在不增加制程工藝、不影響面板開口率的情況下,降低觸控感應電極的電阻,提升觸控顯示面板的觸控靈敏度。
為實現上述目的,本發明提供一種互電容觸控顯示面板,包括:TFT陣列基板、與所述TFT陣列基板相對設置的CF基板、夾設于所述TFT陣列基板與CF基板之間的液晶層、設于所述CF基板遠離液晶層一側的數條相互平行的觸控發射電極、及設于所述CF基板靠近液晶層一側的數條相互平行且在空間上垂直于觸控發射電極的透明的觸控感應電極;
所述觸控感應電極經過高溫退火處理。
所述CF基板包括基板,所述數條觸控發射電極設于該基板遠離液晶層一側的表面上,所述數條觸控感應電極設于該基板靠近液晶層一側的表面上;所述CF基板還包括設于所述基板與數條觸控感應電極上的彩色色阻、將所述彩色色阻間隔開的黑色矩陣、設于所述黑色矩陣上的光阻間隔物、及覆蓋所述彩色色阻、黑色矩陣、與光阻間隔物的配向膜。
所述觸控感應電極的材料為ITO。
所述觸控感應電極的厚度為
所述觸控發射電極的材料為ITO或金屬。
本發明還提供一種互電容觸控顯示面板的制作方法,包括如下步驟:
步驟1、提供一基板,在所述基板的一側表面上鍍一層透明導電膜,然后 通過掩膜刻蝕工藝對所述透明導電膜進行圖案化處理,形成數條相互平行的透明的觸控感應電極;
步驟2、對所述數條相互平行的透明的觸控感應電極進行高溫退火,以降低觸控感應電極的電阻;
步驟3、通過掩膜刻蝕工藝依次在所述基板與觸控感應電極上制作出黑色矩陣、彩色色阻、及光阻間隔物;
其中,所述黑色矩陣將彩色色阻間隔開,所述光阻間隔物設于所述黑色矩陣上;
步驟4、在所述彩色色阻、黑色矩陣、與光阻間隔物上涂布配向液,形成配向膜,完成CF基板的制作;
步驟5、提供一TFT陣列基板,將TFT陣列基板與CF基板對組,使所述觸控感應電極朝向TFT陣列基板,向TFT陣列基板與CF基板之間灌入液晶,形成液晶層;
步驟6、在CF基板的基板遠離液晶層一側的表面上鍍一層導電膜,然后通過掩膜刻蝕工藝對所述導電膜進行圖案化處理,形成數條相互平行且在空間上垂直于觸控感應電極的觸控發射電極。
所述步驟1中的透明導電膜的材料為ITO。
所述透明導電膜的厚度為
所述步驟6中導電膜的材料為ITO或金屬。
所述基板為玻璃基板。
本發明的有益效果:本發明提供的一種互電容觸控顯示面板,將觸控發射電極集成在CF基板遠離液晶層的一側,將透明的觸控感應電極集成在CF基板靠近液晶層的一側,且觸控感應電極經過高溫退火處理,從而觸控感應電極的電阻較低,觸控顯示面板的觸控靈敏度較高。本發明提供的一種互電容觸控顯示面板的制作方法,于液晶層形成以前在CF基板靠近液晶層一側的表面上制作出透明的觸控感應電極,并采用高溫退火來降低觸控感應電極的電阻,再在CF基板與TFT基板對組、液晶層形成以后在CF基板遠離液晶層一側的表面上制作出觸控發射電極,實現了在不增加制程工藝、不影響面板開口率的情況下,降低觸控感應電極的電阻,提升觸控顯示面板的觸控靈敏度。
為了能更進一步了解本發明的特征以及技術內容,請參閱以下有關本發明 的詳細說明與附圖,然而附圖僅提供參考與說明用,并非用來對本發明加以限制。
附圖說明
下面結合附圖,通過對本發明的具體實施方式詳細描述,將使本發明的技術方案及其它有益效果顯而易見。
附圖中,
圖1為本發明的互電容觸控顯示面板的剖面結構示意圖;
圖2為本發明的互電容觸控顯示面板的觸控感應電極和觸控發射電極的俯視示意圖;
圖3為本發明的互電容觸控顯示面板的制作方法的流程圖。
具體實施方式
為更進一步闡述本發明所采取的技術手段及其效果,以下結合本發明的優選實施例及其附圖進行詳細描述。
請同時參閱圖1與圖2,本發明首先提供一種互電容觸控顯示面板,包括:TFT陣列基板1、與所述TFT陣列基板1相對設置的CF基板2、夾設于所述TFT陣列基板1與CF基板2之間的液晶層3、設于所述CF基板2遠離液晶層3一側的數條相互平行的觸控發射電極4、及設于所述CF基板2靠近液晶層3一側的數條相互平行且在空間上垂直于觸控發射電極4的透明的觸控感應電極5。
所述TFT陣列基板1包括襯底基板、柵極、柵極絕緣層、半導體層、源\漏極、像素電極、保護層、梳形公共電極、配向膜等,與現有技術中IPS型和FFS型液晶顯示面板的TFT陣列基板無異,此處不展開詳述。
所述CF基板2包括基板21,所述數條觸控發射電極4設于該基板1遠離液晶層3一側的表面上,所述數條觸控感應電極5設于該基板1靠近液晶層3一側的表面上;所述CF基板2還包括設于所述基板21與數條觸控感應電極5上的彩色色阻22、將所述彩色色阻22間隔開的黑色矩陣23、設于所述黑色矩陣23上的光阻間隔物24、及覆蓋所述彩色色阻22、黑色矩陣23、與光阻間隔物24的配向膜25。
所述觸控感應電極5經過高溫退火處理。
具體地,所述基板21為玻璃基板。
所述觸控感應電極5的材料為氧化銦錫(ITO),厚度為
所述觸控發射電極4的材料可為ITO,也可為金屬。
本發明的互電容觸控顯示面板將觸控發射電極4集成在CF基板2遠離液晶層3的一側,將透明的觸控感應電極5集成在CF基板2靠近液晶層3的一側,且觸控感應電極5經過高溫退火處理,從而觸控感應電極5的電阻較低,觸控顯示面板的觸控靈敏度較高。
請參閱圖3,結合圖1與圖2,本發明還提供一種互電容觸控顯示面板的制作方法,包括如下步驟:
步驟1、提供一基板21,在所述基板21的一側表面上鍍一層透明導電膜,然后通過掩膜刻蝕工藝對所述透明導電膜進行圖案化處理,形成數條相互平行的透明的觸控感應電極5。
具體地,所述基板21優選為玻璃基板;所述透明導電膜的材料為ITO,厚度為
步驟2、對所述數條相互平行的透明的觸控感應電極5進行高溫退火,以降低觸控感應電極5的電阻。
步驟3、通過掩膜刻蝕工藝依次在所述基板21與觸控感應電極5上制作出黑色矩陣23、彩色色阻22、及光阻間隔物24。
其中,所述黑色矩陣23將彩色色阻22間隔開,所述光阻間隔物24設于所述黑色矩陣23上。
步驟4、在所述彩色色阻22、黑色矩陣23、與光阻間隔物24上涂布配向液,形成配向膜25,完成CF基板2的制作。
步驟5、提供一TFT陣列基板1,將TFT陣列基板1與CF基板2對組,使所述觸控感應電極5朝向TFT陣列基板1,向TFT陣列基板1與CF基板2之間灌入液晶,形成液晶層3。
其中,所述TFT陣列基板1的結構及制程過程與現有技術中IPS型和FFS型液晶顯示面板的TFT陣列基板無異,此處不展開詳述。
步驟6、在CF基板2的基板21遠離液晶層3一側的表面上鍍一層導電膜,然后通過掩膜刻蝕工藝對所述導電膜進行圖案化處理,形成數條相互平行且在空間上垂直于觸控感應電極5的觸控發射電極4。
具體地,所述導電膜的材料為ITO或金屬。
本發明的互電容觸控顯示面板的制作方法,于液晶層3形成以前在CF基板2靠近液晶層3一側的表面上制作出透明的觸控感應電極5,并采用高溫退火來降低觸控感應電極5的電阻,再在CF基板2與TFT基板1對組、液晶層3形成以后在CF基板2遠離液晶層3一側的表面上制作出觸控發射電極4,實現了在不增加制程工藝、不影響面板開口率的情況下,降低觸控感應電極5的電阻,提升觸控顯示面板的觸控靈敏度。
綜上所述,本發明的互電容觸控顯示面板,將觸控發射電極集成在CF基板遠離液晶層的一側,將透明的觸控感應電極集成在CF基板靠近液晶層的一側,且觸控感應電極經過高溫退火處理,從而觸控感應電極的電阻較低,觸控顯示面板的觸控靈敏度較高。本發明的互電容觸控顯示面板的制作方法,于液晶層形成以前在CF基板靠近液晶層一側的表面上制作出透明的觸控感應電極,并采用高溫退火來降低觸控感應電極的電阻,再在CF基板與TFT基板對組、液晶層形成以后在CF基板遠離液晶層一側的表面上制作出觸控發射電極,實現了在不增加制程工藝、不影響面板開口率的情況下,降低觸控感應電極的電阻,提升觸控顯示面板的觸控靈敏度。
以上所述,對于本領域的普通技術人員來說,可以根據本發明的技術方案和技術構思作出其他各種相應的改變和變形,而所有這些改變和變形都應屬于本發明權利要求的保護范圍。

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