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陣列基板及其制作方法和顯示裝置.pdf

摘要
申請專利號:

CN201510246822.2

申請日:

2015.05.14

公開號:

CN104915054A

公開日:

2015.09.16

當前法律狀態:

實審

有效性:

審中

法律詳情: 實質審查的生效IPC(主分類):G06F 3/041申請日:20150514|||公開
IPC分類號: G06F3/041 主分類號: G06F3/041
申請人: 京東方科技集團股份有限公司
發明人: 張文林; 李禹奉
地址: 100015北京市朝陽區酒仙橋路10號
優先權:
專利代理機構: 北京路浩知識產權代理有限公司11002 代理人: 李相雨
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201510246822.2

授權公告號:

|||

法律狀態公告日:

2015.10.14|||2015.09.16

法律狀態類型:

實質審查的生效|||公開

摘要

本發明涉及一種陣列基板及其制作方法,以及一種顯示裝置,包括:有源層;與有源層同層設置的觸控信號的多個輸出電極和多個接收電極;多個接收電極包括多行沿第一方向間隔設置的接收電極;多個輸出電極包括多個沿第二方向延伸的輸出電極。根據本發明的技術方案,將輸出電極和接收電極與有源層同層設置,無需額外一次工藝制作輸出電極和接收電極,可以減少基板的制作工藝,簡化制作流程。

權利要求書

權利要求書
1.  一種陣列基板,其特征在于,包括:
有源層;
與所述有源層同層設置的觸控信號的多個輸出電極和多個接收電極;
所述多個接收電極包括多行沿第一方向間隔設置的接收電極;
所述多個輸出電極包括多個沿第二方向延伸的輸出電極。

2.  根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述有源層的材料為金屬氧化物半導體;
所述輸出電極和/或接收電極由對金屬氧化物半導體進行等離子體處理形成。

3.  根據權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述金屬氧化物半導體包括鎵銦鋅氧化物。

4.  根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,還包括:
柵絕緣層,所述有源層設置在所述柵絕緣層之上;
蝕刻阻擋層,設置在所述有源層之上,
其中,在蝕刻阻擋層中與所述有源層對應區域的設置有兩個第一過孔;
設置在所述蝕刻阻擋層之上的源極和漏極,
其中,所述源極通過所述兩個第一過孔中的一個第一過孔與所述有源層電連接,所述漏極通過所述兩個第一過孔中的另一個第一過孔與所述有源層電連接。

5.  根據權利要求4所述的陣列基板,其特征在于,還包括:
第一鈍化層,設置在所述蝕刻阻擋層之上,
其中,在所述第一鈍化層中與每個所述接收電極對應的位置設置有第二過孔;
多個接收電極連接線,設置在所述第一鈍化層之上并沿第一方向 延伸,每條接收電極連接線通過多個第二過孔與對應的多個接收電極電連接。

6.  根據權利要求5所述的陣列基板,其特征在于,還包括:
第二鈍化層,設置在所述第一鈍化層之上,
其中,在所述第一鈍化層中與所述漏極對應的位置設置有第三過孔,在所述第二鈍化層中與所述漏極對應的位置設置有第四過孔;
像素電極,設置在所述第二鈍化層之上,通過所述第三過孔和第四過孔與所述漏極電連接。

7.  根據權利要求1至6中任一項所述的陣列基板,其特征在于,所述接收電極和所述輸出電極在顯示階段被輸入公共電壓以用作公共電極。

8.  一種顯示裝置,其特征在于,包括權利要求1至7中任一項所述的陣列基板。

9.  一種陣列基板制作方法,其特征在于,包括:
形成半導體層;
對所述半導體層進行蝕刻,形成有源層和第一區域半導體層以及第二區域半導體層,
其中,所述第一區域半導體層包括多行沿第一方向間隔設置的半導體層,所述第二區域半導體層包括多個沿第二方向延伸的半導體層;
對所述第一區域半導體層進行處理形成觸控信號的輸出電極,對所述第二區域半導體層進行處理形成觸控信號的接收電極。

10.  根據權利要求9所述的陣列基板制作方法,其特征在于,對所述第一區域半導體層進行等離子體處理形成所述輸出電極,對所述第二區域半導體層進行等離子體處理形成所述接收電極,
其中,所述半導體層材料為鎵銦鋅氧化物。

11.  根據權利要求9所述的陣列基板制作方法,其特征在于,所 述形成有源層包括:
在柵絕緣層之上形成所述有源層;
所述陣列基板制作方法還包括:
在所述有源層之上形成蝕刻阻擋層;
在蝕刻阻擋層中與所述有源層對應區域的形成兩個第一過孔;
在所述蝕刻阻擋層之上形成源極和漏極,使所述源極通過所述兩個第一過孔中的一個第一過孔與所述有源層電連接,使所述漏極通過所述兩個第一過孔中的另一個第一過孔與所述有源層電連接。

12.  根據權利要求11所述的陣列基板制作方法,其特征在于,還包括:
在所述蝕刻阻擋層之上形成第一鈍化層;
在所述第一鈍化層中與每個所述接收電極對應的位置形成第二過孔;
在所述第一鈍化層之上形成多個沿第一方向延伸的接收電極連接線,每條接收電極連接線通過多個第二過孔與對應的多個接收電極電連接。

13.  根據權利要求12所述的陣列基板制作方法,其特征在于,還包括:
在所述第一鈍化層中與所述漏極對應的位置形成第三過孔;
在所述第一鈍化層之上形成第二鈍化層;
在所述第二鈍化層中與所述漏極對應的位置形成第四過孔;
在所述第二鈍化層之上形成像素電極,使所述像素電極通過所述第三過孔和第四過孔與所述漏極電連接。

14.  根據權利要求9至13中任一項所述的陣列基板制作方法,其特征在于,還包括:
在所述像素電極之上形成公共電極;
形成分別連接至所述公共電極、接收電極和輸出電極的公共電極 線;
在連接至所述接收電極和輸出電極的公共電極線中形成開關元件,所述開關元件在顯示階段閉合。

關 鍵 詞:
陣列 及其 制作方法 顯示裝置
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