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觸控顯示裝置及其制備方法、電子設備.pdf

摘要
申請專利號:

CN201510201023.3

申請日:

2015.04.24

公開號:

CN104915052A

公開日:

2015.09.16

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||實質審查的生效IPC(主分類):G06F 3/041申請日:20150424|||公開
IPC分類號: G06F3/041; H01L21/768 主分類號: G06F3/041
申請人: 武漢華星光電技術有限公司
發明人: 陳歸; 薛景峰
地址: 430070湖北省武漢市東湖開發區高新大道666號生物城C5棟
優先權:
專利代理機構: 北京聿宏知識產權代理有限公司11372 代理人: 朱繪; 張文娟
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201510201023.3

授權公告號:

||||||

法律狀態公告日:

2018.03.30|||2015.10.14|||2015.09.16

法律狀態類型:

授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

本發明公開了一種觸控顯示裝置及其制備方法、電子設備。制備觸控顯示裝置時,用于使連接電極連接觸控電極和公共電極的過孔的形成,以及用于連接像素電極和數據線金屬層的過孔的形成僅需一次光刻工藝就能完成。本發明的觸控顯示裝置的制備工藝簡單,工藝誤差小,生產周期短,生產成本低;大幅提高了生產效率。

權利要求書

權利要求書
1.  一種觸控顯示裝置,其特征在于,包括薄膜晶體管,以及依次形成于所述薄膜晶體管上的平坦層、公共電極、界面層、觸控電極、保護層、連接電極和像素電極;
所述平坦層上開設有第一過孔,所述界面層上開設有第二過孔和與所述第一過孔相連通的第三過孔,所述保護層上開設有與所述第二過孔相連通的第四過孔和與所述第三過孔相連通的第五過孔;所有過孔通過同一次光刻工藝形成;
所述連接電極通過所述第四過孔連接所述觸控電極,并通過所述第二過孔連接所述公共電極;
所述像素電極依次通過所述第五過孔、所述第三過孔和所述第一過孔連接所述薄膜晶體管的數據線金屬層。

2.  根據權利要求1所述的觸控顯示裝置,其特征在于,所述連接電極和所述像素電極同層設置。

3.  根據權利要求1或2所述的觸控顯示裝置,其特征在于,所述薄膜晶體管為低溫多晶硅薄膜晶體管。

4.  根據權利要求3所述的觸控顯示裝置,其特征在于,所述薄膜晶體管包括:
N型金屬氧化半導體;
位于所述N型金屬氧化半導體上的柵極絕緣層;
位于所述柵極絕緣層上的掃描線金屬層;
位于所述掃描線金屬層上的層間絕緣層;以及
所述數據線金屬層,其位于所述層間絕緣層上。

5.  一種電子設備,其特征在于,包括如權利要求1至4中任一項所述的觸控顯示裝置。

6.  一種用于制備觸控顯示裝置的方法,其特征在于,包括:
提供薄膜晶體管;
依次在所述薄膜晶體管上形成平坦層、公共電極、界面層、觸控電極和保護層;
利用同一次光刻工藝,在所述平坦層上形成第一過孔,在所述界面層上形成 第二過孔和與所述第一過孔相連通的第三過孔,并在所述保護層上形成與所述第二過孔相連通的第四過孔和與所述第三過孔相連通的第五過孔;
在所述保護層上形成連接電極和像素電極,使得所述連接電極通過所述第二過孔連接所述觸控電極,還通過所述第一過孔連接所述公共電極;并使得所述像素電極依次通過所述第五過孔、第三過孔和第一過孔連接所述薄膜晶體管的數據線金屬層。

7.  根據權利要求6所述的方法,其特征在于,在所述保護層上形成所述連接電極和所述像素電極,并使得所述連接電極和所述像素電極同層設置。

8.  根據權利要求6或7所述的方法,其特征在于,所述薄膜晶體管為低溫多晶硅薄膜晶體管。

9.  根據權利要求8所述的方法,其特征在于,還包括形成所述薄膜晶體管的方法,包括:
提供N型金屬氧化半導體;
在所述N型金屬氧化半導體上形成柵極絕緣層;
在所述柵極絕緣層上形成掃描線金屬層;
在所述掃描線金屬層上形成層間絕緣層;
在所述層間絕緣層上形成所述數據線金屬層。

關 鍵 詞:
顯示裝置 及其 制備 方法 電子設備
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