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制備布圖設計的方法、光掩膜、半導體器件及其制造方法.pdf

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制備 設計 方法 光掩膜 半導體器件 及其 制造
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摘要
申請專利號:

CN201510105265.2

申請日:

2015.03.10

公開號:

CN104916634A

公開日:

2015.09.16

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||實質審查的生效IPC(主分類):H01L 27/02申請日:20150310|||公開
IPC分類號: H01L27/02; H01L21/77; H01L23/528; H01L21/768; H01L21/027; G03F1/48(2012.01)I 主分類號: H01L27/02
申請人: 三星電子株式會社
發明人: 李憲國; 金泓秀; 李朱嬿
地址: 韓國京畿道水原市
優先權: 10-2014-0028462 2014.03.11 KR
專利代理機構: 北京銘碩知識產權代理有限公司11286 代理人: 尹淑梅; 韓芳
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201510105265.2

授權公告號:

||||||

法律狀態公告日:

2019.01.04|||2016.10.12|||2015.09.16

法律狀態類型:

授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

提供了制備半導體器件的布圖設計的方法、光掩模、利用該布圖設計制造的半導體器件及其制造方法。制備半導體器件的布局設計的步驟可以包括將輔助圖案設置在位于薄弱的有源圖案上的主柵極圖案附近。薄弱的有源圖案可以是例如有源圖案中的最外側的有源圖案,并且可以是預期在制造工藝期間寬度增大的有源圖案。

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本文標題:制備布圖設計的方法、光掩膜、半導體器件及其制造方法.pdf
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