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相移掩膜的制造方法、相移掩膜及相移掩膜的制造裝置.pdf

關 鍵 詞:
相移 制造 方法 裝置
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摘要
申請專利號:

CN201480005329.5

申請日:

2014.04.17

公開號:

CN104919368A

公開日:

2015.09.16

當前法律狀態:

實審

有效性:

審中

法律詳情: 實質審查的生效IPC(主分類):G03F 1/28申請日:20140417|||公開
IPC分類號: G03F1/28; G03F1/29 主分類號: G03F1/28
申請人: 愛發科成膜株式會社
發明人: 望月圣; 中村大介; 影山景弘
地址: 日本埼玉縣
優先權: 2013-086983 2013.04.17 JP
專利代理機構: 北京德琦知識產權代理有限公司11018 代理人: 張路; 王琦
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201480005329.5

授權公告號:

|||

法律狀態公告日:

2015.10.14|||2015.09.16

法律狀態類型:

實質審查的生效|||公開

摘要

使構成相移層的多級區域的最上層與其下的層相比,含氧量更多。據此,成為曝光光入射側的最上層的反射率降低。因此,能夠減少由相移掩膜反射的反射光,防止由反射光引起的圖案形成精度的降低,從而能夠實現微細且高精度的圖案形成。

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本文標題:相移掩膜的制造方法、相移掩膜及相移掩膜的制造裝置.pdf
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