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一種陣列基板及其制備方法、光學觸控屏和顯示裝置.pdf

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一種 陣列 及其 制備 方法 光學 觸控屏 顯示裝置
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摘要
申請專利號:

CN201510239499.6

申請日:

2015.05.12

公開號:

CN104898896A

公開日:

2015.09.09

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||實質審查的生效IPC(主分類):G06F 3/042申請日:20150512|||公開
IPC分類號: G06F3/042 主分類號: G06F3/042
申請人: 京東方科技集團股份有限公司; 北京京東方顯示技術有限公司
發明人: 白金超; 郭總杰; 丁向前; 劉耀; 劉曉偉; 陳曦
地址: 100015北京市朝陽區酒仙橋路10號
優先權:
專利代理機構: 北京同達信恒知識產權代理有限公司11291 代理人: 黃志華
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201510239499.6

授權公告號:

||||||

法律狀態公告日:

2018.06.22|||2015.10.07|||2015.09.09

法律狀態類型:

授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

本發明公開了一種陣列基板及其制備方法、光學觸控屏和顯示裝置,以解決現有技術的內嵌式光學觸摸屏制備工藝復雜、成本高的問題。所述陣列基板,包括形成于柵極金屬層且沿行方向延伸的多條第一感應線,形成于半導體層且彼此絕緣的多個第一感光元件和多個第二感光元件,形成于源漏極金屬層且沿列方向延伸的多條第二感應線,以及形成于柵極金屬層的遮擋電極,遮擋電極位于第二感光元件的下方;位于同一行的第一感光元件與同一條第一感應線電連接,位于同一列的第二感光元件與同一條第二感應線電連接,第一感光元件和第二感光元件用于根據外部光線產生電流信號,第一感應線和第二感應線用于分別傳輸第一感光元件和第二感光元件產生的電流信號。

權利要求書

權利要求書
1.  一種陣列基板,包括形成于襯底基板上的柵極金屬層、半導體層、源漏極金屬層和像素電極層,所述柵極金屬層包括柵線和薄膜晶體管的柵電極,所述漏極金屬層包括數據線、薄膜晶體管的源電極和漏電極,所述半導體層包括薄膜晶體管的有源層;其特征在于,所述陣列基板還包括形成于所述柵極金屬層且沿行方向延伸的多條第一感應線,形成于所述半導體層且彼此絕緣的多個第一感光元件和多個第二感光元件,形成于所述源漏極金屬層且沿列方向延伸的多條第二感應線,以及形成于所述柵極金屬層的遮擋電極,所述遮擋電極位于所述第二感光元件的下方;
位于同一行的所述第一感光元件與同一條所述第一感應線電連接,位于同一列的所述第二感光元件與同一條所述第二感應線電連接,所述第一感光元件和所述第二感光元件用于根據外部光線產生電流信號,所述第一感應線和所述第二感應線用于分別傳輸所述第一感光元件和所述第二感光元件產生的電流信號。

2.  如權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板還包括形成于所述像素電極層的連接電極,所述第一感應線與所述第一感光元件通過所述連接電極電連接。

3.  如權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板還包括形成于所述源漏極金屬層的過渡電極,所述連接電極與所述第一感光元件通過所述過渡電極電連接。

4.  如權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第一感應線與所述柵線平行,所述第二感應線與所述數據線平行。

5.  如權利要求4所述的陣列基板,其特征在于,所述柵線和所述數據線限定多個像素單元,以一個所述第一感光元件和一個所述第二感光元件為感光元件組,一個所述感光元件組對應一個所述像素單元,或者一個所述感光元件組對應多個所述像素單元。

6.  如權利要求1至5任一項所述的陣列基板,其特征在于,所述第一感光元件和所述第二感光元件為非晶硅材料形成。

7.  一種光學觸控屏,其特征在于,包括權利要求1至6任一項所述的陣列基板。

8.  如權利要求7所述的光學觸控屏,其特征在于,所述光學觸控屏還包括彩膜基板,所述彩膜基板包括黑矩陣,所述黑矩陣在所述陣列基板上的垂直投影與所述第一感光元件和所述第二感光元件在所述陣列基板上的垂直投影無交集。

9.  一種顯示裝置,其特征在于,包括權利要求7或8所述的觸控屏。

10.  一種陣列基板的制備方法,其特征在于,包括:
在襯底基板上形成柵極金屬薄膜,通過構圖工藝形成包括薄膜晶體管的柵電極、柵線、第一感應線和遮擋電極的柵極金屬層;
在所述柵極金屬層之上依次形成柵極絕緣層、半導體層薄膜和源漏極金屬薄膜,在所述源漏極金屬薄膜上涂覆光刻膠并進行半曝光處理;
通過刻蝕工藝去除半曝光處理后暴露的所述源漏極金屬薄膜,形成包括數據線、薄膜晶體管的源電極和漏電極、第二感應線和過渡電極的源漏極金屬層;
通過刻蝕工藝去除半曝光對應區域的半導體層薄膜,形成包括薄膜晶體管的有源層、第一感光元件和第二感光元件的半導體層,所述第二感光元件位于所述第二感應線下方并接觸連接;
在所述源漏極金屬層之上形成鈍化層,并形成分別與所述第一感應線和所述第一感光元件位置對應的過孔;
在所述鈍化層之上形成像素電極層薄膜,通過構圖工藝形成包括像素電極和連接電極的像素電極層。

說明書

說明書一種陣列基板及其制備方法、光學觸控屏和顯示裝置
技術領域
本發明涉及觸摸屏技術領域,尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、光學觸控屏和顯示裝置。
背景技術
隨著顯示技術的飛速發展,觸摸屏(Touch Screen Panel)已經逐漸遍及人們的生活中。目前,按照原理分類,觸摸屏大致包括:電阻傳感式觸摸屏、電容傳感式觸摸屏、光學傳感式觸摸屏等。按照組成結構分類,觸摸屏大致包括:觸摸屏外掛在顯示面板上的觸摸屏(Out-cell Touch Panel)、觸摸屏在顯示面板上面的觸摸屏(On-cell Touch Panel)、觸摸屏內嵌在面板中的觸摸屏(In-cell Touch Panel)。其中,觸摸屏內嵌在面板中的結構(即內嵌式觸摸屏)可以減薄觸摸屏整體的厚度,又可以降低觸摸屏的制作成本。
現有的光學觸摸屏技術大多需要單獨提供光源,并通過阻斷光源來檢測觸摸動作,例如紅外觸摸技術、非全內反射觸摸技術、激光平面觸摸技術、發光二極管平面觸摸技術和CCD/CMOS觸摸技術等等,通常需要提供主動光源,結構復雜,厚度較厚,且難于的實現內嵌式光學觸摸屏;現有的光學觸摸屏技術還提供對環境光進行檢測的光學觸摸屏技術,例如在液晶面板像素中集成一個發光二極管或光敏晶體管對外部環境光進行檢測的光學觸摸屏技術,該種光學觸摸屏技術中,由于發光二極管或光敏晶體管內嵌于液晶面板的陣列基板中,因此實現了內嵌式光學觸摸屏,但是制備工藝復雜且成本較高。
發明內容
本發明的目的是提供一種陣列基板及其制備方法、光學觸控屏和顯示裝 置,以解決現有技術的內嵌式光學觸摸屏制備工藝復雜、成本高的問題。
本發明的目的是通過以下技術方案實現的:
本發明實施例提供一種陣列基板,包括形成于襯底基板上的柵極金屬層、半導體層、源漏極金屬層和像素電極層,所述柵極金屬層包括柵線和薄膜晶體管的柵電極,所述漏極金屬層包括數據線、薄膜晶體管的源電極和漏電極,所述半導體層包括薄膜晶體管的有源層;所述陣列基板還包括形成于所述柵極金屬層且沿行方向延伸的多條第一感應線,形成于所述半導體層且彼此絕緣的多個第一感光元件和多個第二感光元件,形成于所述源漏極金屬層且沿列方向延伸的多條第二感應線,以及形成于所述柵極金屬層的遮擋電極,所述遮擋電極位于所述第二感光元件的下方;
位于同一行的所述第一感光元件與同一條所述第一感應線電連接,位于同一列的所述第二感光元件與同一條所述第二感應線電連接,所述第一感光元件和所述第二感光元件用于根據外部光線產生電流信號,所述第一感應線和所述第二感應線用于分別傳輸所述第一感光元件和所述第二感光元件產生的電流信號。
本實施例中,在薄膜晶體管的有源層所在的所述半導體層形成所述第一感光元件和所述第二感光元件,所述第一感光元件和所述第二感光元件用于對外界環境光變化進行感應并產生的電流信號,在所述柵極金屬層和所述源漏極金屬層分別形成所述第一感應線和所述第二感應線,所述第一感應線和所述第二感應線分別接收所述第一感光元件和所述第二感光元件產生的電流信號,所述第一感光元件、所述第二感光元件、所述第一感應線和所述第二感應線以陣列基板的現有層為制備基礎,從而以簡單的工藝和較低的成本實現光學觸控功能。
優選的,所述陣列基板還包括形成于所述像素電極層的連接電極,所述第一感應線與所述第一感光元件通過所述連接電極電連接。本實施例中,所述連接電極形成于所述像素電極層,不需要額外增加制備層和制備工序,工藝簡單 且成本低。
優選的,所述陣列基板還包括形成于所述源漏極金屬層的過渡電極,所述連接電極與所述第一感光元件通過所述過渡電極電連接。本實施例中,所述過渡電極形成于所述源漏極金屬層,不需要額外增加制備層和制備工序,工藝簡單且成本低。
優選的,所述第一感應線與所述柵線平行,所述第二感應線與所述數據線平行。
優選的,所述柵線和所述數據線限定多個像素單元,以一個所述第一感光元件和一個所述第二感光元件為感光元件組,一個所述感光元件組對應一個所述像素單元,或者一個所述感光元件組對應多個所述像素單元。本實施例中,可以根據觸控精度的要求,使所述感光元件組對應一個像素單元或多個像素單元。
優選的,所述第一感光元件和所述第二感光元件為非晶硅材料形成。
本發明實施例有益效果如下:在薄膜晶體管的有源層所在的所述半導體層形成所述第一感光元件和所述第二感光元件,所述第一感光元件和所述第二感光元件用于對外界環境光變化進行感應并產生的電流信號,在所述柵極金屬層和所述源漏極金屬層分別形成所述第一感應線和所述第二感應線,所述第一感應線和所述第二感應線分別接收所述第一感光元件和所述第二感光元件產生的電流信號,所述第一感光元件、所述第二感光元件、所述第一感應線和所述第二感應線以陣列基板的現有層為制備基礎,從而以簡單的工藝和較低的成本實現光學觸控功能。
本發明實施例提供一種光學觸控屏,包括如上實施例提供的所述陣列基板。
優選的,所述光學觸控屏還包括彩膜基板,所述彩膜基板包括黑矩陣,所述黑矩陣在所述陣列基板上的垂直投影與所述第一感光元件和所述第二感光元件在所述陣列基板上的垂直投影無交集。
本發明實施例有益效果如下:在薄膜晶體管的有源層所在的所述半導體層形成所述第一感光元件和所述第二感光元件,所述第一感光元件和所述第二感光元件用于對外界環境光變化進行感應并產生的電流信號,在所述柵極金屬層和所述源漏極金屬層分別形成所述第一感應線和所述第二感應線,所述第一感應線和所述第二感應線分別接收所述第一感光元件和所述第二感光元件產生的電流信號,所述第一感光元件、所述第二感光元件、所述第一感應線和所述第二感應線以陣列基板的現有層為制備基礎,從而以簡單的工藝和較低的成本實現光學觸控功能。
本發明實施例提供一種顯示裝置,包括上述實施例提供的所述光學觸控屏。
本發明實施例有益效果如下:在薄膜晶體管的有源層所在的所述半導體層形成所述第一感光元件和所述第二感光元件,所述第一感光元件和所述第二感光元件用于對外界環境光變化進行感應并產生的電流信號,在所述柵極金屬層和所述源漏極金屬層分別形成所述第一感應線和所述第二感應線,所述第一感應線和所述第二感應線分別接收所述第一感光元件和所述第二感光元件產生的電流信號,所述第一感光元件、所述第二感光元件、所述第一感應線和所述第二感應線以陣列基板的現有層為制備基礎,從而以簡單的工藝和較低的成本實現光學觸控功能。
本發明實施例提供一種陣列基板的制備方法,包括:
在襯底基板上形成柵極金屬薄膜,通過構圖工藝形成包括薄膜晶體管的柵電極、柵線、第一感應線和遮擋電極的柵極金屬層;
在所述柵極金屬層之上依次形成柵極絕緣層、半導體層薄膜和源漏極金屬薄膜,在所述源漏極金屬薄膜上涂覆光刻膠并進行半曝光處理;
通過刻蝕工藝去除半曝光處理后暴露的所述源漏極金屬薄膜,形成包括數據線、薄膜晶體管的源電極和漏電極、第二感應線和過渡電極的源漏極金屬層;
通過刻蝕工藝去除半曝光對應區域的半導體層薄膜,形成包括薄膜晶體管 的有源層、第一感光元件和第二感光元件的半導體層,所述第二感光元件位于所述第二感應線下方并接觸連接;
在所述源漏極金屬層之上形成鈍化層,并形成分別與所述第一感應線和所述第一感光元件位置對應的過孔;
在所述鈍化層之上形成像素電極層薄膜,通過構圖工藝形成包括像素電極和連接電極的像素電極層。
本發明實施例有益效果如下:在薄膜晶體管的有源層所在的所述半導體層形成所述第一感光元件和所述第二感光元件,所述第一感光元件和所述第二感光元件用于對外界環境光變化進行感應并產生的電流信號,在所述柵極金屬層和所述源漏極金屬層分別形成所述第一感應線和所述第二感應線,所述第一感應線和所述第二感應線分別接收所述第一感光元件和所述第二感光元件產生的電流信號,所述第一感光元件、所述第二感光元件、所述第一感應線和所述第二感應線以陣列基板的現有層為制備基礎,從而以簡單的工藝和較低的成本實現光學觸控功能。
附圖說明
圖1為本發明實施例提供的陣列基板的剖面結構示意圖;
圖2為本發明實施例中第一感應線和第一感光元件的俯視結構示意圖;
圖3為本發明實施例提供的陣列基板的連接結構示意圖;
圖4為本發明實施例提供的陣列基板的制備方法的流程圖;
圖5為本發明實施例中在襯底基板上形成柵極金屬層的剖面結構示意圖;
圖6為本發明實施例中在柵極金屬層上形成半導體薄膜、源漏極金屬薄膜和光刻膠的剖面結構示意圖;
圖7為本發明實施例中通過構圖工藝形成源漏極金屬層和半導體層的剖面結構示意圖;
圖8為本發明實施例中在鈍化層上形成過孔的剖面結構示意圖。
附圖標記說明:
襯底基板1,柵線21,柵電極22,第一感應線23,遮擋電極24,柵極絕緣層3,半導體層薄膜4,有源層41,第一感光元件42,第二感光元件43,半導體保留層44,源漏極金屬薄膜5,源電極51,漏電極52,數據線53,第二感應線54,過渡電極55,鈍化層6,像素電極71,連接電極72,光刻膠8。
具體實施方式
下面結合說明書附圖對本發明實施例的實現過程進行詳細說明。需要注意的是,自始至終相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的,僅用于解釋本發明,而不能理解為對本發明的限制。
參見圖1和圖3,本發明實施例提供一種陣列基板,包括形成于襯底基板1上的柵極金屬層、半導體層、源漏極金屬層和像素電極層(未標記),柵極金屬層包括柵線21和薄膜晶體管的柵電極22,漏極金屬層包括數據線53、薄膜晶體管的源電極51和漏電極52,半導體層包括薄膜晶體管的有源層41;陣列基板還包括形成于柵極金屬層且沿行方向延伸的多條第一感應線23,形成于半導體層且彼此絕緣的多個第一感光元件42和多個第二感光元件43,形成于源漏極金屬層且沿列方向延伸的多條第二感應線54,以及形成于柵極金屬層的遮擋電極24,遮擋電極24位于第二感光元件43的下方。
遮擋電極24的主要作用對顯示裝置的背光進行遮擋,避免第二感光元43一直處于背光照射狀態,無法對觸摸動作進行感應。當然,為了確保第一感光元件42的有效性,與第一感光元件42位置對應的第一感應線23的一部分也應該對第一感光元件42進行遮擋,如圖2所示的,第一感應線23可以設置有延展部231,由該延展部對第一感光元件42進行遮擋。
位于同一行的第一感光元件42與同一條第一感應線23電連接,位于同一列的第二感光元件43與同一條第二感應線54電連接,第一感光元件42和第 二感光元件43用于根據外部光線產生電流信號,第一感應線23第二感應線54用于分別傳輸第一感光元件42和第二感光元件43產生的電流信號。
此外,圖3所示的陣列基板的連接結構示意圖,是由俯視圖的角度觀察并進行等效得到,并不限定薄膜晶體管的具體結構。
具體的,第一感光元件42和第二感光元件43采用非晶硅材料制備,與薄膜晶體管的有源層41的材料相同,在外界環境光照射第一感光元件42和第二感光元件43時,第一感光元件42和第二感光元件43產生電流信號,該電流信號即光生載流子。
當第一感光元件42和第二感光元件43被手指或觸筆遮擋(即手指或觸筆觸摸該陣列基板所應用的光學觸摸屏)時,第一感光元件42和第二感光元件43產生的電流信號發生變化,籍此可以根據與第一感光元件42電連接的第一感應線23和與第二感光元件43電連接的第二感應線54所接受的電流信號的變化判斷手指或觸筆遮擋的觸摸點位置。對于電流信號的處理可以由集成電路芯片完成,在此不再贅述。
需要說明的是,手指或觸筆不觸摸光學觸摸屏而只是靠近光學觸摸屏時,由于漫反射的作用,光還是會照到第一感光元件42和第二感光元件43上,電流信號的變化會非常小,遠遠小于觸摸時的電流信號的變化,不能確定觸摸點位置,這也意味著采用本發明的第一感光元件42和第二感光元件43作為傳感器的光學觸摸屏,為接觸性光學觸摸屏。當然,該種情形的好處在于可以屏敝外界微弱自然光變化所帶來的誤判。
本實施例中,在薄膜晶體管的有源層41所在的半導體層形成第一感光元件42和第二感光元件43,第一感光元件42和第二感光元件43用于對外界環境光變化進行感應并產生的電流信號,在柵極金屬層和源漏極金屬層分別形成第一感應線23和第二感應線54,第一感應線23和第二感應線54分別接收第一感光元件42和第二感光元件43產生的電流信號,第一感光元件42、第二感光元件43、第一感應線23和第二感應線54以陣列基板的現有層(如柵極金屬 層、半層體層、源漏極金屬層和像素電極層)為制備基礎,從而以簡單的工藝和較低的成本實現光學觸控功能。
優選的,陣列基板還包括形成于像素電極層的連接電極72,即連接電極72和像素電極71同層設置,第一感應線23與第一感光元件42通過連接電極72電連接。本實施例中,連接電極72形成于像素電極層,不需要額外增加制備層和制備工序,工藝簡單且成本低。
優選的,陣列基板還包括形成于源漏極金屬層的過渡電極55,連接電極72與第一感光元件42通過過渡電極55電連接。本實施例中,過渡電極55形成于源漏極金屬層,不需要額外增加制備層和制備工序,工藝簡單且成本低。
實際上,由于第一感應線23和第一感光元件42位于不同層,其中第一感應線23位于柵極金屬層,第一感光元件42位于半導體層,因此第一感應線與第一感光元件的電連接可以經過孔完成,即連接電極72經過孔分別連接第一感應線23和過渡電極55,在此不對過孔進行贅述。
優選的,第一感應線23與柵線21平行,第二感應線54與數據線53平行。
優選的,柵線21和數據線53限定多個像素單元,以一個第一感光元件42和一個第二感光元件43為感光元件組,一個感光元件組對應一個像素單元,或者一個感光元件組對應多個像素單元。例如,對于觸控精度要求高的光學觸摸屏中,一個感光元件組對應一個像素單元,該像素單元可以為一個R、G、B亞像素單元,也可以為包括R、G、B的像素單元。又例如,對于觸控精度要求低的光學觸摸屏中,一個感光元件組可以對應多個像素單元,使感光元件組的數量小于像素單元的數量。本實施例中,可以根據觸控精度的要求,使感光元件組對應一個像素單元或多個像素單元。
優選的,第一感光元件42和第二感光元件43為非晶硅材料形成。
此外,在數據線53下方保留了部分半導體材料,記為半導體保留層44,該半導體保留層44可以對數據線53進行抗氧化的保護或在刻蝕時防止刻蝕液的侵蝕;同時,不去除該半導體保留層44也可以節省工序。
本發明實施例有益效果如下:在薄膜晶體管的有源層所在的半導體層形成第一感光元件和第二感光元件,第一感光元件和第二感光元件用于對外界環境光變化進行感應并產生的電流信號,在柵極金屬層和源漏極金屬層分別形成第一感應線和第二感應線,第一感應線和第二感應線分別接收第一感光元件和第二感光元件產生的電流信號,第一感光元件、第二感光元件、第一感應線和第二感應線以陣列基板的現有層為制備基礎,從而以簡單的工藝和較低的成本實現光學觸控功能。
基于同一發明構思,本發明實施例還提供一種光學觸控屏,包括如上實施例提供的陣列基板。
優選的,光學觸控屏還包括彩膜基板,彩膜基板包括黑矩陣,黑矩陣在陣列基板上的垂直投影與如圖1中第一感光元件42和第二感光元件43在陣列基板上的垂直投影無交集。可以理解為黑矩陣不對第一感光元件42和第二感光元件43進行遮擋,以使第一感光元件42和第二感光元件43能夠感應外界光線的變化。
本發明實施例有益效果如下:在薄膜晶體管的有源層所在的半導體層形成第一感光元件和第二感光元件,第一感光元件和第二感光元件用于對外界環境光變化進行感應并產生的電流信號,在柵極金屬層和源漏極金屬層分別形成第一感應線和第二感應線,第一感應線和第二感應線分別接收第一感光元件和第二感光元件產生的電流信號,第一感光元件、第二感光元件、第一感應線和第二感應線以陣列基板的現有層為制備基礎,從而以簡單的工藝和較低的成本實現光學觸控功能。
基于同一發明構思,本發明實施例還提供一種顯示裝置,包括上述實施例提供的光學觸控屏。
本發明實施例有益效果如下:在薄膜晶體管的有源層所在的半導體層形成第一感光元件和第二感光元件,第一感光元件和第二感光元件用于對外界環境光變化進行感應并產生的電流信號,在柵極金屬層和源漏極金屬層分別形成第 一感應線和第二感應線,第一感應線和第二感應線分別接收第一感光元件和第二感光元件產生的電流信號,第一感光元件、第二感光元件、第一感應線和第二感應線以陣列基板的現有層為制備基礎,從而以簡單的工藝和較低的成本實現光學觸控功能。
參見圖4,本發明實施例提供一種陣列基板的制備方法,包括:
101,在襯底基板上形成柵極金屬薄膜,通過構圖工藝形成包括薄膜晶體管的柵電極、柵線、第一感應線和遮擋電極的柵極金屬層。
102,在柵極金屬層之上依次形成柵極絕緣層、半導體層薄膜和源漏極金屬薄膜,在源漏極金屬薄膜上涂覆光刻膠并進行半曝光處理。
103,通過刻蝕工藝去除半曝光處理后暴露的源漏極金屬薄膜,形成包括數據線、薄膜晶體管的源電極和漏電極、第二感應線和過渡電極的源漏極金屬層。
104,通過刻蝕工藝去除半曝光對應區域的半導體層薄膜,形成包括薄膜晶體管的有源層、第一感光元件和第二感光元件的半導體層,第二感光元件位于第二感應線下方并接觸連接。
105,在源漏極金屬層之上形成鈍化層,并形成分別與第一感應線和第一感光元件位置對應的過孔。
106,在鈍化層之上形成像素電極層薄膜,通過構圖工藝形成包括和連接電極的像素電極層。
為了更清晰的對本實施例提供的陣列基板的制備方法進行描述,結合圖1、圖5至圖8說明如下:
參見圖5,在襯底基板1上形成柵極金屬薄膜,通過構圖工藝形成包括薄膜晶體管的柵電極22、柵線21、第一感應線23和遮擋電極24的柵極金屬層。
參見圖6,在柵極金屬層之上依次形成柵極絕緣層3、半導體層薄膜4和源漏極金屬薄膜5,在源漏極金屬薄膜5上涂覆光刻膠8并進行半曝光處理。
參見圖7,通過刻蝕工藝去除半曝光處理后暴露的源漏極金屬薄膜5,形 成包括數據線53、薄膜晶體管的源電極51和漏電極52、第二感應線54和過渡電極55的源漏極金屬層。
通過刻蝕工藝去除半曝光對應區域的半導體層薄膜4,形成包括薄膜晶體管的有源層41、第一感光元件42和第二感光元件43的半導體層,第二感光元件43位于第二感應線54下方并接觸連接。
參見圖8,在源漏極金屬層之上形成鈍化層6,并形成分別與第一感應線23和第一感光元件42位置對應的過孔(未標注)。
參見圖1,在鈍化層6之上形成像素電極層薄膜,通過構圖工藝形成包括像素電極71和連接電極72的像素電極層。
本實施例中的刻蝕工藝可以視具體工藝采用干刻和濕刻工藝,在此不再贅述。
本發明實施例有益效果如下:在薄膜晶體管的有源層所在的半導體層形成第一感光元件和第二感光元件,第一感光元件和第二感光元件用于對外界環境光變化進行感應并產生的電流信號,在柵極金屬層和源漏極金屬層分別形成第一感應線和第二感應線,第一感應線和第二感應線分別接收第一感光元件和第二感光元件產生的電流信號,第一感光元件、第二感光元件、第一感應線和第二感應線以陣列基板的現有層為制備基礎,從而以簡單的工藝和較低的成本實現光學觸控功能。
顯然,本領域的技術人員可以對本發明進行各種改動和變型而不脫離本發明的精神和范圍。這樣,倘若本發明的這些修改和變型屬于本發明權利要求及其等同技術的范圍之內,則本發明也意圖包含這些改動和變型在內。   內容來自專利網www.wwszu.club轉載請標明出處

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