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陣列基板、顯示面板、顯示裝置以及陣列基板的制作方法.pdf

摘要
申請專利號:

CN201510588132.5

申請日:

2015.09.16

公開號:

CN105068349A

公開日:

2015.11.18

當前法律狀態:

實審

有效性:

審中

法律詳情: 著錄事項變更IPC(主分類):G02F 1/1362變更事項:申請人變更前:京東方科技集團股份有限公司變更后:京東方科技集團股份有限公司變更事項:地址變更前:100176 北京市北京經濟技術開發區地澤路9號變更后:100015 北京市朝陽區酒仙橋路10號變更事項:申請人變更前:北京京東方顯示技術有限公司變更后:北京京東方顯示技術有限公司|||實質審查的生效IPC(主分類):G02F 1/1362申請日:20150916|||公開
IPC分類號: G02F1/1362; G02F1/1368; H01L27/12; H01L21/77 主分類號: G02F1/1362
申請人: 京東方科技集團股份有限公司; 北京京東方顯示技術有限公司
發明人: 王守坤; 郭會斌; 馮玉春; 李梁梁; 郭總杰
地址: 100176北京市北京經濟技術開發區地澤路9號
優先權:
專利代理機構: 中國專利代理(香港)有限公司72001 代理人: 李亞非; 景軍平
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201510588132.5

授權公告號:

||||||

法律狀態公告日:

2016.10.19|||2015.12.16|||2015.11.18

法律狀態類型:

著錄事項變更|||實質審查的生效|||公開

摘要

本公開涉及顯示技術領域,并且提供了一種陣列基板、顯示面板、顯示裝置以及陣列基板的制作方法。該陣列基板包括在襯底基板上相互絕緣并且交叉以限定多個亞像素單元的柵線和數據線,每個亞像素單元內形成有薄膜晶體管和像素電極,所述數據線包括并排設置在每兩列相鄰亞像素單元之間的第一數據線和第二數據線,其中在每兩列相鄰亞像素單元中,奇數行亞像素單元連接第一數據線,且偶數行亞像素單元連接第二數據線,其中在每兩個相鄰亞像素單元之間,至少部分的所述第一數據線和相鄰的所述第二數據線不同層設置。在本公開中,通過將至少部分的第一數據線和相鄰的第二數據線設置在不同層上,解決了雙數據線間短路的問題。

權利要求書

1.一種陣列基板,包括在襯底基板上相互絕緣并且交叉以限定多個亞像素單元的柵線和數據線,每個亞像素單元內形成有薄膜晶體管和像素電極,所述數據線包括并排設置在每兩列相鄰亞像素單元之間的第一數據線和第二數據線,其中在每兩列相鄰亞像素單元中,奇數行亞像素單元連接第一數據線,且偶數行亞像素單元連接第二數據線,其特征在于,在每兩個列相鄰亞像素單元之間,至少部分的所述第一數據線和相鄰的所述第二數據線不同層設置。2.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第一數據線包括交替設置的多個第一節段和第二節段,每個所述第一節段和每個所述第二節段與所述薄膜晶體管的柵電極同層設置,并且每個所述第一節段和毗鄰的第二節段通過第一電連接件相互電連接;以及所述第二數據線與所述薄膜晶體管的源/漏電極同層設置。3.根據權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述第一數據線的每個所述第一節段在其沿所述第一數據線的延伸方向的兩個端部設置有貫穿所述薄膜晶體管的柵極絕緣層和鈍化層的第一過孔;所述第一數據線的每個所述第二節段在其沿所述第一數據線的延伸方向的兩個端部設置有貫穿所述柵極絕緣層和所述鈍化層的第二過孔;所述薄膜晶體管的源/漏電極上方設置有貫穿所述鈍化層的第三過孔;以及所述第一電連接件通過所述第一過孔、所述第二過孔和所述第三過孔,電連接所述源/漏電極、所述第一數據線的每個第一節段以及與所述第一節段毗鄰的第二節段。4.根據權利要求2或3所述的陣列基板,其特征在于,所述第一電連接件與每個亞像素單元的所述像素電極同層設置。5.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第一數據線包括交替設置的多個第一節段和第二節段,所述第一節段與所述薄膜晶體管的源/漏電極同層設置,所述第二節段與所述薄膜晶體管的柵電極同層設置,并且每個所述第一節段和毗鄰的第二節段通過第二電連接件相互電連接。6.根據權利要求5所述的陣列基板,其特征在于,所述第二數據線與所述薄膜晶體管的源/漏電極同層設置。7.根據權利要求6所述的陣列基板,其特征在于,所述第一數據線的每個所述第一節段在其沿所述第一數據線的延伸方向的兩個端部設置有貫穿所述薄膜晶體管的鈍化層的第四過孔;所述第一數據線的每個所述第二節段在其沿所述第一數據線的延伸方向的兩個端部設置有貫穿所述柵極絕緣層和所述鈍化層的第五過孔;以及所述第二電連接件通過所述第四過孔和所述第五過孔,電連接所述第一數據線的每個所述第一節段和與所述第一節段毗鄰的第二節段。8.根據權利要求5-7中任意一項所述的陣列基板,其特征在于,所述第二電連接件與每個亞像素單元的所述像素電極同層設置。9.根據權利要求6所述的陣列基板,其特征在于,所述第二數據線包括交替設置的多個第一節段和第二節段;所述第二數據線的所述第一節段與所述第一數據線的所述第一節段并排設置,并且與所述薄膜晶體管的柵電極同層設置;所述第二數據線的所述第二節段與所述第一數據線的所述第二節段并排設置,并且與所述薄膜晶體管的源/漏電極同層設置;以及所述第二數據線的所述第一節段和第二節段通過第三電連接件相互電連接。10.根據權利要求9所述的陣列基板,其特征在于,所述第二數據線的每個所述第一節段在其沿所述第二數據線的延伸方向的兩個端部設置有貫穿所述薄膜晶體管的柵極絕緣層和鈍化層的第六過孔;所述第二數據線的每個所述第二節段在其沿所述第二數據線的延伸方向的兩個端部設置有貫穿所述鈍化層的第七過孔;以及所述第三電連接件通過所述第六過孔和所述第七過孔,電連接所述第二數據線的每個所述第一節段和與所述第一節段毗鄰的第二節段。11.根據權利要求9或10所述的陣列基板,其特征在于,所述第三電連接件與每個亞像素單元的所述像素電極同層設置。12.一種顯示面板,包括如權利要求1-11中任意一項所述的陣列基板。13.一種顯示裝置,包括如權利要求12所述的顯示面板。14.一種陣列基板的制作方法,所述陣列基板包括在襯底基板上相互絕緣并且交叉以限定多個亞像素單元的柵線和數據線,每個亞像素單元內形成有薄膜晶體管和像素電極,所述數據線包括并排設置在每兩列相鄰亞像素單元之間的第一數據線和第二數據線,其中在每兩列相鄰亞像素單元中,奇數行亞像素單元連接第一數據線,且偶數行亞像素單元連接第二數據線,其特征在于,所述方法包括下述步驟:通過第一圖案化工藝,在襯底基板上形成包括所述薄膜晶體管的柵電極和柵線以及所述第一數據線的第二節段的圖形;通過第二圖案化工藝形成包括所述薄膜晶體管的源/漏電極和所述第二數據線的第二節段的圖形,其中所述第二數據線的所述第二節段與所述第一數據線的所述第二節段并排設置;通過第三圖案化工藝形成包括所述第一數據線的所述第二節段和所述第二數據線的所述第二節段上方的過孔的圖形;以及通過第四圖案化工藝形成包括電連接件的圖形,其中電連接件將所述第一數據線的所述第二節段電連接到毗鄰的所述第一數據線的第一節段。15.根據權利要求14所述的方法,其特征在于,在所述第一圖案化工藝中,形成包括所述薄膜晶體管的所述柵電極和所述柵線、所述第一數據線的所述第二節段以及所述第一數據線的所述第一節段的圖形;以及在所述第二圖案化工藝中,形成包括所述薄膜晶體管的所述源/漏電極以及連續第二數據線的圖形。16.根據權利要求15所述的方法,其特征在于,在所述第三圖案化工藝中,形成包括第一過孔、第二過孔和第三過孔的圖形,其中所述第一過孔設置在所述第一數據線的每個所述第一節段在其沿所述第一數據線的延伸方向的兩個端部并且貫穿所述薄膜晶體管的柵極絕緣層和鈍化層,所述第二過孔設置在所述第一數據線的每個所述第二節段在其沿所述第一數據線的延伸方向的兩個端部并且貫穿所述柵極絕緣層和所述鈍化層,并且所述第三過孔設置在所述薄膜晶體管的源/漏電極上方并且貫穿所述鈍化層;以及在所述第四圖案化工藝中,形成包括第一電連接件的圖形,其中所述第一電連接件通過所述第一過孔、所述第二過孔以及所述第三過孔,電連接所述源/漏電極、所述第一數據線的每個第一節段以及與所述第一節段毗鄰的第二節段。17.根據權利要求14所述的方法,其特征在于,在所述第二圖案化工藝中,形成包括所述薄膜晶體管的所述源/漏電極、所述第二數據線的所述第二節段以及所述第一數據線的第一節段的圖形。18.根據權利要求17所述的方法,其特征在于,在所述第二圖案化工藝中,形成包括所述薄膜晶體管的所述源/漏電極、連續第二數據線以及所述第一數據線的所述第一節段的圖形。19.根據權利要求18所述的方法,其特征在于,在所述第三圖案化工藝中,形成包括第四過孔和第五過孔的圖形,其中所述第四過孔設置在所述第一數據線的每個所述第一節段在其沿所述第一數據線的延伸方向的兩個端部并且貫穿所述薄膜晶體管的鈍化層,并且所述第五過孔設置在所述第一數據線的每個所述第二節段在其沿所述第一數據線的延伸方向的兩個端部并且貫穿所述柵極絕緣層和所述鈍化層;以及在所述第四圖案化工藝中,形成包括第二電連接件的圖形,其中所述第二電連接件通過所述第四過孔和所述第五過孔,電連接所述第一數據線的每個所述第一節段和與所述第一節段毗鄰的第二節段。20.根據權利要求17所述的方法,其特征在于,在所述第一圖案化工藝中,形成包括所述薄膜晶體管的所述柵電極和所述柵線、所述第一數據線的所述第二節段以及所述第二數據的第一節段的圖形。21.根據權利要求20所述的方法,其特征在于,在所述第三圖案化工藝中,形成包括第六過孔和第七過孔的圖形,其中所述第六過孔設置在所述第二數據線的每個所述第一節段在其沿所述第二數據線的延伸方向的兩個端部并且貫穿所述薄膜晶體管的柵極絕緣層和鈍化層,并且所述第七過孔設置在所述第二數據線的每個所述第二節段在其沿所述第二數據線的延伸方向的兩個端部并且貫穿所述鈍化層;以及在所述第四圖案化工藝中,形成包括第三電連接件的圖形,其中所述第三電連接件通過所述第六過孔和所述第七過孔,電連接所述第二數據線的每個所述第一節段和與所述第一節段毗鄰的第二節段。22.根據權利要求14所述的方法,其特征在于,在所述第四圖案化工藝中,在完成所述第三圖案化工藝的所述襯底基板上,沉積第一電連接層,其中所述第一電連接層包括用于形成所述像素電極的導電材料;通過曝光,保留將形成像素電極和電連接件的區域的光致抗蝕劑并且移除其余區域的光致抗蝕劑;移除所述其余區域的所述導電材料;以及剝離將形成像素電極和電連接件的區域的光致抗蝕劑,以形成電連接件和所述像素電極。23.根據權利要求14所述的方法,其特征在于,通過所述第四圖案化工藝形成包括電連接件的圖形的步驟包括:在完成所述第三圖案化工藝的所述襯底基板上,依次沉積第一電連接層和第二電連接層,其中所述第一電連接層包括用于形成所述像素電極的導電材料,并且所述第二電連接層不包含Al;利用半透式掩模板進行曝光,保留將形成電連接件的區域的光致抗蝕劑,部分移除將形成像素電極的區域的光致抗蝕劑,并且全部移除其余區域的光致抗蝕劑;干法刻蝕以移除所述其余區域的所述第二電連接層,并且進一步刻蝕以移除所述其余區域的所述第一電連接層;灰化光致抗蝕劑,以完全移除將形成像素電極的區域的光致抗蝕劑并且減薄將形成電連接件的區域的光致抗蝕劑;干法刻蝕以移除將形成像素電極的區域的所述第二電連接層,從而形成由所述第一電連接層構成的像素電極;以及剝離將形成電連接件的區域的光致抗蝕劑,以形成由所述第一電連接層和所述第二電連接層構成的電連接件。24.根據權利要求14所述的方法,其特征在于,通過所述第四圖案化工藝形成包括電連接件的圖形的步驟包括:在完成所述第三圖案化工藝的所述襯底基板上,依次沉積第一電連接層和第二電連接層,其中所述第一電連接層包括用于形成所述像素電極的導電材料,并且所述第二電連接層包含Al;利用半透式掩模板進行曝光,保留將形成電連接件的區域的光致抗蝕劑,部分移除將形成像素電極的區域的光致抗蝕劑,并且全部移除其余區域的光致抗蝕劑;干法刻蝕以移除所述其余區域的所述第二電連接層,并且進一步刻蝕以移除所述其余區域的所述第一電連接層;灰化光致抗蝕劑,以完全移除將形成像素電極的區域的光致抗蝕劑并且減薄將形成電連接件的區域的光致抗蝕劑;對所述第一電連接層退火;濕法刻蝕以移除將形成像素電極的區域的所述第二電連接層,從而形成由所述第一電連接層構成的像素電極;以及剝離將形成電連接件的區域的光致抗蝕劑,以形成由所述第一電連接層和所述第二電連接層構成的電連接件。

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陣列 顯示 面板 顯示裝置 以及 制作方法
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