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性能導向的復合阻尼間隙磁流變阻尼單元的優化設計方法.pdf

關 鍵 詞:
性能 導向 復合 阻尼 間隙 流變 單元 優化 設計 方法
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摘要
申請專利號:

CN201510396796.1

申請日:

2015.07.02

公開號:

CN105045986A

公開日:

2015.11.11

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||實質審查的生效IPC(主分類):G06F 17/50申請日:20150702|||公開
IPC分類號: G06F17/50 主分類號: G06F17/50
申請人: 浙江大學
發明人: 朱笑叢; 司晨; 曹劍
地址: 310058浙江省杭州市西湖區余杭塘路866號
優先權:
專利代理機構: 杭州求是專利事務所有限公司33200 代理人: 邱啟旺
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201510396796.1

授權公告號:

||||||

法律狀態公告日:

2018.04.10|||2015.12.09|||2015.11.11

法律狀態類型:

授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

本發明涉及一種性能導向的復合阻尼間隙磁流變阻尼單元的優化設計方法,包括以下步驟:獲取用戶對性能的需求以及所需要的數據,確定外部設計參數和待優化內部設計參數,進行無量綱處理并確定具體值或范圍,建立阻尼單元的磁場強度等計算模型,建立阻尼單元的性能模型,對特定的阻尼單元長徑比建立并運行優化函數,得到相應的優化參數和優化后的性能,最后在給定的長徑比范圍內,重復上一步驟,繪制出相應的優化參數和優化性能敏感度曲線,根據應用環境等在性能敏感度曲線上靈活確定外部設計參數;該方法對磁流變阻尼單元的性能分析提供了精確、可靠、清晰的無量綱化的參數影響曲線,可實現對磁流變阻尼單元的優化設計。

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本文標題:性能導向的復合阻尼間隙磁流變阻尼單元的優化設計方法.pdf
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