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一種亞微米級干法刻蝕工藝方法.pdf

關 鍵 詞:
一種 微米 級干法 刻蝕 工藝 方法
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摘要
申請專利號:

CN201510538118.4

申請日:

2015.08.28

公開號:

CN105045038A

公開日:

2015.11.11

當前法律狀態:

實審

有效性:

審中

法律詳情: 實質審查的生效IPC(主分類):G03F 7/004申請日:20150828|||公開
IPC分類號: G03F7/004; G03F7/20 主分類號: G03F7/004
申請人: 深圳華遠微電科技有限公司
發明人: 姚艷龍; 沙小強; 劉紹侃
地址: 518000廣東省深圳市寶安區沙井街道新二社區莊村路5號E棟一、三層
優先權:
專利代理機構: 深圳市神州聯合知識產權代理事務所(普通合伙)44324 代理人: 王志強
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201510538118.4

授權公告號:

|||

法律狀態公告日:

2016.06.15|||2015.11.11

法律狀態類型:

實質審查的生效|||公開

摘要

本發明提出一種亞微米級干法刻蝕工藝方法,涉及聲表面波技術領域。本發明包括鍍膜工藝、選取光刻膠、涂膠工藝、光刻工藝、流化工藝及干法刻蝕工藝等步驟,其中,光刻膠選用分辨率能滿足亞微米曝光要求,且本身隨溫度的升高體現出一定規律的流淌性的光刻膠。本發明利用光刻膠的流化效應這一特點,使得光刻膠逐漸變成高度變低,底邊變長的正梯形,變相的增加了線條寬度余量,有效的解決了在亞微米的工藝精度下,減少干法刻蝕工藝的側向腐蝕。

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本文標題:一種亞微米級干法刻蝕工藝方法.pdf
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