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能通過可變磁通密度組件來調諧的電感器.pdf

關 鍵 詞:
通過 可變 密度 組件 調諧 電感器
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摘要
申請專利號:

CN201480025355.4

申請日:

2014.04.22

公開號:

CN105190798A

公開日:

2015.12.23

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||實質審查的生效IPC(主分類):H01F 21/06申請日:20140422|||公開
IPC分類號: H01F21/06; H01F21/08; H01F27/255 主分類號: H01F21/06
申請人: 高通股份有限公司
發明人: D·D·金; K·李; D·F·伯蒂; M·F·維綸茨; J·金; J-H·蘭; C·尹; N·S·慕達卡特; R·P·米庫爾卡
地址: 美國加利福尼亞州
優先權: 2013.05.06 US 13/887,633
專利代理機構: 上海專利商標事務所有限公司 31100 代理人: 唐杰敏
PDF完整版下載: PDF下載
法律狀態
申請(專利)號:

CN201480025355.4

授權公告號:

||||||

法律狀態公告日:

2018.01.30|||2016.01.20|||2015.12.23

法律狀態類型:

授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

公開了能通過可變磁通密度組件來調諧的電感器。一特定設備包括電感器。該設備進一步包括可變磁通密度組件(VMFDC),該VMFDC被定位成在電流被施加于電感器時影響電感器的磁場。

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本文標題:能通過可變磁通密度組件來調諧的電感器.pdf
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