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金屬線路微結構的制法.pdf

摘要
申請專利號:

CN201410230913.2

申請日:

2014.05.28

公開號:

CN105278709A

公開日:

2016.01.27

當前法律狀態:

撤回

有效性:

無權

法律詳情: 發明專利申請公布后的視為撤回IPC(主分類):G06F 3/041申請公布日:20160127|||實質審查的生效IPC(主分類):G06F 3/041申請日:20140528|||公開
IPC分類號: G06F3/041 主分類號: G06F3/041
申請人: 介面光電股份有限公司
發明人: 葉裕洲; 胡志明; 崔久震
地址: 中國臺灣桃園縣
優先權:
專利代理機構: 隆天知識產權代理有限公司72003 代理人: 王芝艷; 鄒宗亮
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201410230913.2

授權公告號:

||||||

法律狀態公告日:

2018.08.28|||2016.02.24|||2016.01.27

法律狀態類型:

發明專利申請公布后的視為撤回|||實質審查的生效|||公開

摘要

本案涉及一種金屬線路微結構的制法,包括步驟:(a)提供基板;(b)形成籽晶層于基板的表面上;(c)形成光致抗蝕劑層于籽晶層的表面上,且進行曝光及光刻工藝以于光致抗蝕劑層中形成溝槽圖案,其中溝槽圖案具有特定溝槽寬度;(d)以電鍍方式將金屬導電層填入溝槽圖案;以及(e)移除光致抗蝕劑層及移除未為金屬導電層接觸與連接的籽晶層的部分,以形成金屬線路微結構。

權利要求書

1.一種金屬線路微結構的制法,包括步驟:
(a)提供一基板;
(b)形成一籽晶層于該基板的一表面上;
(c)形成一光致抗蝕劑層于該籽晶層的該表面上,且進行一曝光及光刻工
藝以于該光致抗蝕劑層中形成一溝槽圖案,其中該溝槽圖案具有一特定溝槽
寬度;
(d)以電鍍方式將一金屬導電層填入該溝槽圖案;以及
(e)移除該光致抗蝕劑層及移除未為該金屬導電層接觸與連接的該籽晶
層的部分,以形成該金屬線路微結構。
2.根據權利要求1的金屬線路微結構的制法,其中該基板為一透明基
板、一柔性基板或一柔性透明基板。
3.根據權利要求1的金屬線路微結構的制法,其中該籽晶層的厚度介于
5nm至100nm之間,且該籽晶層為金屬或金屬合金,其中該金屬或金屬合
金選自鉻/金金屬膜、鈦/金金屬膜、鈦/銅金屬膜、銅/銅金屬膜或鈦鎢/金金屬
膜。
4.根據權利要求1的金屬線路微結構的制法,其中該溝槽圖案具有一特
定溝槽深度,該特定溝槽寬度介于1μm至20μm之間,該特定溝槽深度介于
0.1μm至20μm之間。
5.根據權利要求4的金屬線路微結構的制法,其中該特定溝槽寬度介于
1μm至5μm之間,該特定溝槽深度介于0.1μm至2μm之間。
6.根據權利要求4的金屬線路微結構的制法,其中該特定溝槽寬度為
3μm以下。
7.根據權利要求1的金屬線路微結構的制法,其中于該步驟(c)中,還暴
露部分的該籽晶層,且于該步驟(d)中,該金屬導電層與暴露的該籽晶層的部
分接觸與連接。
8.根據權利要求1的金屬線路微結構的制法,其中該金屬導電層的材料
選自銅、金、銀、鋁、鎢、鐵、鎳、鉻、鈦、鉬、銦、錫或其至少任二者以
上所組成的復合材料。
9.根據權利要求1的金屬線路微結構的制法,其中該金屬導電層的寬度
對應于該特定溝槽寬度,且該金屬導電層的厚度介于0.1μm至2μm。
10.一種金屬線路微結構的制法,包括步驟:
(a)提供一基板;
(b)形成一籽晶層于該基板的一表面上;
(c)形成一光致抗蝕劑層于該籽晶層的該表面上,且進行一曝光與光刻工
藝以于該光致抗蝕劑層中形成一溝槽圖案,其中該溝槽圖案具有一特定溝槽
寬度;
(d)以電鍍方式將一金屬導電層填入該溝槽圖案;
(e)將一抗氧化層填入該溝槽圖案,且該抗氧化層形成于該金屬導電層
上;以及
(f)移除該光致抗蝕劑層及移除未為該金屬導電層接觸與連接的該籽晶
層的部分,以形成該金屬線路微結構。
11.根據權利要求10的金屬線路微結構的制法,其中該抗氧化層為一抗
氧化金屬層,且該抗氧化層包含酚醛樹脂、感光化合物、有機有色高分子染
料、無機有色染料以及溶劑。
12.一種金屬線路微結構的制法,包括步驟:
(a)提供一基板;
(b)形成一籽晶層于該基板的一表面上;
(c)形成一光致抗蝕劑層于該籽晶層的該表面上,且進行一曝光與光刻工
藝以于該光致抗蝕劑層中形成一第一溝槽圖案及一第二溝槽圖案,其中該第
一溝槽圖案具有一第一特定溝槽寬度,該第二溝槽圖案具有一第二特定溝槽
寬度,該第二特定溝槽寬度大于該第一特定溝槽寬度;
(d)將一金屬導電層分別填入該第一溝槽圖案及該第二溝槽圖案;以及
(e)移除該光致抗蝕劑層及移除未為該金屬導電層接觸與連接的該籽晶
層的部分,以形成一第一金屬線路微結構及一第二金屬線路微結構。
13.根據權利要求12的金屬線路微結構的制法,其中該第一特定溝槽寬
度介于1μm至5μm之間,該第二特定溝槽寬度介于5μm至20μm之間,且
該第一金屬線路微結構及該第二金屬線路微結構的線寬分別對應于該第一
特定溝槽寬度及該第二特定溝槽寬度。

說明書

金屬線路微結構的制法

技術領域

本案涉及一種微結構的制法,特別涉及一種金屬線路微結構的制法。

背景技術

目前,觸控技術已廣泛地應用于各種電子產品的觸控顯示裝置中,以便
于使用者利用觸控方式操控該電子產品的作動。常用的觸控面板為了使其觸
控區域的電極不易被視認,通常采用氧化銦錫(ITO)來形成透明電極。但隨著
觸控面板的應用逐漸朝大尺寸的方向發展,使用氧化銦錫透明電極的技術存
在著電阻較大、觸控回應速度較慢,需多道工藝步驟以及制作成本較高等技
術問題,因此金屬線路(或稱金屬網格(MetalMesh))于是被發展以取代氧化銦
錫透明電極的應用。

相較于使用氧化銦錫透明電極,利用金屬線路當作導體的技術具有電阻
較小、導電性較佳、反應速度較快以及制作成本較低等優點。現有制作金屬
線路的方法主要采用印刷工藝,直接在基板上印刷上所需金屬線路圖案,然
而采用印刷工藝制作金屬線路的精細度控制不易,且難以制作出具5μm以下
線寬的金屬線路,如此將使金屬線路的性能表現、透光率以及線路不可視率
無法進一步地提升。此外,采用印刷工藝需使用到模板,而模板的制備及清
洗成本也會增加制作金屬線路的成本,且模板經多次印刷操作后會因變形而
影響印刷精確度,模板需時常替換也會增加整體成本。再則,如欲制作出具
5μm以下線寬的金屬線路,其制作成本勢必會大幅增加且也會面臨精確度控
制不易及線路過細所產生的斷線等良率問題。更甚者,使用銀,鋁或銅作為
金屬線路的材料時也會面臨氧化的問題,如欲防止氧化的發生也會增加了工
藝的難度與成本。

有鑒于此,實有必要發展一種金屬線路微結構的制法,以解決前述現有
技術所遭遇的種種問題。

發明內容

本案的目的在于提供一種金屬線路微結構的制法,其可以較低成本制備
更細微化的金屬線路,且于應用于觸控面板時可以提升金屬線路的透光率及
不可視率。

本案的另一目的在于提供一種金屬線路微結構的制法,其制作金屬線路
的精細度較易控制,可制備具5μm以下線寬的金屬線路,可以提升產品良率,
并可防止金屬線路氧化的發生。

本案的另一目的在于提供一種適用于觸控面板的金屬線路微結構的制
法,其可利用同一工藝步驟同時于基板上形成觸控面板的可視觸控區域及引
線區域的金屬線路。

為達上述目的,本案的一較佳實施方式為提供一種金屬線路微結構的制
法,包括步驟:(a)提供基板;(b)形成籽晶層于基板的表面上;(c)形成光致抗
蝕劑層于籽晶層的表面上,且進行曝光及光刻工藝以于光致抗蝕劑層中形成
溝槽圖案,其中溝槽圖案具有特定溝槽寬度;(d)以電鍍方式將金屬導電層填
入溝槽圖案;以及(e)移除光致抗蝕劑層及移除未為金屬導電層接觸與連接的
籽晶層的部分,以形成金屬線路微結構。

在本發明的金屬線路微結構的制法的一個實施方式中,該基板為一透明
基板、一柔性基板或一柔性透明基板。

在本發明的金屬線路微結構的制法的另一個實施方式中,該籽晶層的厚
度介于5nm至100nm之間,且該籽晶層為金屬或金屬合金,其中該金屬或
金屬合金選自鉻/金金屬膜、鈦/金金屬膜、鈦/銅金屬膜、銅/銅金屬膜或鈦鎢
/金金屬膜。

在本發明的金屬線路微結構的制法的另一個實施方式中,該溝槽圖案具
有一特定溝槽深度,該特定溝槽寬度介于1μm至20μm之間,該特定溝槽深
度介于0.1μm至20μm之間。

在本發明的金屬線路微結構的制法的另一個實施方式中,該特定溝槽寬
度介于1μm至5μm之間,該特定溝槽深度介于0.1μm至2μm之間。

在本發明的金屬線路微結構的制法的另一個實施方式中,該特定溝槽寬
度為3μm以下。

在本發明的金屬線路微結構的制法的另一個實施方式中,于該步驟(c)
中,還暴露部分的該籽晶層,且于該步驟(d)中,該金屬導電層與暴露的該籽
晶層的部分接觸與連接。

在本發明的金屬線路微結構的制法的另一個實施方式中,該金屬導電層
的材料選自銅、金、銀、鋁、鎢、鐵、鎳、鉻、鈦、鉬、銦、錫或其至少任
二者以上所組成的復合材料。

在本發明的金屬線路微結構的制法的另一個實施方式中,該金屬導電層
的寬度對應于該特定溝槽寬度,且該金屬導電層的厚度介于0.1μm至2μm。

為達上述目的,本案的另一較佳實施方式為提供一種金屬線路微結構的
制法,包括步驟:(a)提供基板;(b)形成籽晶層于基板的表面上;(c)形成光致
抗蝕劑層于籽晶層的表面上,且進行曝光與光刻工藝以于光致抗蝕劑層中形
成溝槽圖案,其中溝槽圖案具有特定溝槽寬度;(d)以電鍍方式將金屬導電層
填入溝槽圖案;(e)將抗氧化層填入溝槽圖案,且抗氧化層形成于金屬導電層
上;以及(f)移除光致抗蝕劑層及移除未為金屬導電層接觸與連接的籽晶層的
部分,以形成金屬線路微結構。

在本發明的金屬線路微結構的制法的一個實施方式中,該抗氧化層為一
抗氧化金屬層,且該抗氧化層包含酚醛樹脂、感光化合物、有機有色高分子
染料、無機有色染料以及溶劑。

為達上述目的,本案的又一較佳實施方式為提供一種金屬線路微結構的
制法,包括步驟:(a)提供基板;(b)形成籽晶層于基板的表面上;(c)形成光致
抗蝕劑層于籽晶層的表面上,且進行曝光與光刻工藝以于光致抗蝕劑層中形
成第一溝槽圖案及第二溝槽圖案,其中第一溝槽圖案具有第一特定溝槽寬
度,第二溝槽圖案具有第二特定溝槽寬度,第二特定溝槽寬度大于第一特定
溝槽寬度;(d)將金屬導電層分別填入第一溝槽圖案及第二溝槽圖案;以及(e)
移除光致抗蝕劑層及移除未為金屬導電層接觸與連接的籽晶層的部分,以形
成第一金屬線路微結構及第二金屬線路微結構。

在本發明的金屬線路微結構的制法的一個實施方式中,該第一特定溝槽
寬度介于1μm至5μm之間,該第二特定溝槽寬度介于5μm至20μm之間,
且該第一金屬線路微結構及該第二金屬線路微結構的線寬分別對應于該第
一特定溝槽寬度及該第二特定溝槽寬度。

本案金屬線路微結構的制法,其可以較低成本制備更細微化的金屬線
路,且于應用于觸控面板時可以提升金屬線路的透光率及不可視率。此外,
本案金屬線路微結構的制法,其制作金屬線路的精細度較易控制,可制備具
5μm以下線寬的金屬線路,可以提升產品良率,并可防止金屬線路氧化的發
生。再則,本案金屬線路微結構的制法,其可利用同一工藝步驟同時于基板
上形成觸控面板的可視觸控區域及引線區域的金屬線路。

附圖說明

圖1A至圖1E顯示本案第一較佳實施例的金屬線路微結構制法的結構流
程示意圖。

圖2為本案第一較佳實施例的金屬線路微結構制法的步驟流程圖。

圖3A至圖3F顯示本案第二較佳實施例的金屬線路微結構制法的結構流
程示意圖。

圖4為本案第二較佳實施例的金屬線路微結構制法的步驟流程圖。

圖5A至圖5E顯示本案第三較佳實施例的金屬線路微結構制法的結構流
程示意圖。

圖6為本案第三較佳實施例的金屬線路微結構制法的步驟流程圖。

圖7為本案第三較佳實施例的制法應用于形成一觸控面板的金屬線路的
示意圖。

其中,附圖標記說明如下:

1:觸控面板

11、31:基板

12、32:籽晶層

13、33:光致抗蝕劑層

14:溝槽圖案

34、35:第一溝槽圖案、第二溝槽圖案

15、36、37:金屬導電層

17:抗氧化層

16、18:金屬線路微結構

W1:第一特定溝槽寬度

W2:第二特定溝槽寬度

38:第一金屬線路微結構

39:第二金屬線路微結構

S20、S21、S22、S23、S24、S40、S41、S42、S43、S44、S45、S60、
S61、S62、S63、S64:流程步驟

具體實施方式

體現本案特征與優點的一些典型實施例將在后段的說明中詳細敘述。應
理解的是本案能夠在不同的方式上具有各種的變化,其皆不脫離本案的范
圍,且其中的說明及附圖在本質上當作說明之用,而非用于限制本案。

圖1A至圖1E顯示本案第一較佳實施例的金屬線路微結構制法的結構流
程示意圖;以及圖2為本案第一較佳實施例的金屬線路微結構制法的步驟流
程圖。本案的金屬線路微結構制法包括下述步驟,首先,如圖1A及圖2所
示,于步驟S20中,提供基板11,其中該基板11為透明基板、柔性基板或
柔性透明基板,且基板11的厚度可介于但不限于20μm至800μm之間。

于一些實施例中,基板11的材料可選自聚對苯二甲酸乙二酯
(Polyethyleneterephthalatem,PET)、聚醚亞酰胺(Polyetherimide,PEI)、
聚苯砜(Polyphenylensulfon,PPSU)、聚酰亞胺(Polyimide,PI)、聚萘二
甲酸乙二醇酯(Polyethylenenaphthalate,PEN)、環烯烴類共聚物(Cyclic
olefincopolymer,COC)、液晶高分子聚合物(LiquidCrystalPolymer,LCP)、
玻璃或其組合等,且不以此為限。于本實施例中,該基板11以柔性透明基
板為較佳,且其材料以聚對苯二甲酸乙二酯為較佳,其具有耐沖擊、不易破
碎、透光率較高等特性。

接著,如圖1B及圖2所示,于步驟S21中,形成一籽晶層12(seedlayer)
于基板11的一表面。于一些實施例中,可利用沉積法形成金屬膜于基板11
的表面上以作為籽晶層12,其中沉積法包括但不限于濺鍍法或蒸鍍法,且以
濺鍍法為較佳。籽晶層12具有良好的導電性及與基板11的附著性,其可作
為連結非金屬材質的基板11與后續電鍍金屬導電層的界面,作為后續電鍍
步驟的起始層,可提升微結構的強度及導電性。此外,籽晶層12的厚度可
介于5nm至100nm之間,但不以此為限,其厚度可視實際應用需求而調整。
于一些實施例中,籽晶層12可為金屬或金屬合金,較佳可選自鉻/金金屬膜
(CrunderAumetalfilm)、鈦/金金屬膜(TiunderAumetalfilm)、鈦/銅金屬膜(Ti
underCumetalfilm)、銅/銅金屬膜或鈦鎢/金金屬膜(Ti-WunderAu)等,但不
以此為限。

然后,如圖1C及圖2所示,于步驟S22中,形成光致抗蝕劑層13于籽
晶層12的表面上,且進行曝光及光刻工藝以于光致抗蝕劑層13中形成溝槽
圖案14并暴露部分的籽晶層12,其中該曝光及光刻工藝將光掩模上的圖案
轉移至光致抗蝕劑層13并形成該溝槽圖案14。于本實施例中,光致抗蝕劑
層13可為濕膜光致抗蝕劑或干膜光致抗蝕劑,其分別可利用例如涂布方式
或貼覆方式將光致抗蝕劑層13形成于籽晶層12的表面上。此外,光致抗蝕
劑層13所使用的光致抗蝕劑可包括正型光致抗蝕劑或負型光致抗蝕劑,其
中正型光致抗蝕劑與負型光致抗蝕劑的應用與原理為現有技術,于此不再贅
述。于此步驟中,可利用例如但不限于光掩模圖案設計及曝光量、曝光時間
等條件的控制,以形成具有特定溝槽寬度及特定溝槽深度的溝槽圖案14。于
本實施例中,溝槽圖案14的特定溝槽寬度可介于1μm至20μm之間,其中
該特定溝槽寬度以介于1μm至5μm之間為較佳,且以3μm以下為更佳。此
外,溝槽圖案14的特定溝槽深度可介于0.1μm至20μm之間,且以介于0.1μm
至2μm之間為較佳。

之后,如圖1D及圖2所示,于步驟S23中,以電鍍方式將金屬導電層
15填入溝槽圖案14,其中金屬導電層15與暴露于溝槽圖案14底部的該籽
晶層12的部分接觸與連接。于本實施例中,采用電鍍方式將金屬導電層15
填入溝槽圖案14具有形成速度較快且較易控制金屬導電層15厚度等優點,
且對于成形的金屬導電層15無需進行后續的處理步驟,有利于工藝步驟的
簡化。于一些實施例中,金屬導電層15的材料可選自銅、金、銀、鋁、鎢、
鐵、鎳、鉻、鈦、鉬、銦、錫或其至少任二者以上所組成的復合材料。于一
些實施例中,金屬導電層15的厚度可介于0.1μm至20μm之間,且以介于
0.1μm至2μm之間為較佳,并以介于0.1μm至0.5μm之間為更佳。

然后,如圖1E及圖2所示,于步驟S24中,移除光致抗蝕劑層13及移
除未為該金屬導電層15接觸與連接的該籽晶層12的部分(即光致抗蝕劑層
13原覆蓋的該籽晶層12的部分),以形成金屬線路微結構16。于一些實施例
中,移除光致抗蝕劑層13的方式可依據光致抗蝕劑層13為濕膜光致抗蝕劑
或干膜光致抗蝕劑而分別采用蝕刻方式或剝離方式實現。此外,移除未與金
屬導電層15接觸與連接的籽晶層12的該部分的方式可采用蝕刻方式實現,
且不以此為限。于本實施例中,所制作完成的金屬線路微結構16其線寬對
應于溝槽圖案14的該特定溝槽寬度,換言之,金屬線路微結構16的線寬也
可介于1μm至20μm之間,其中金屬線路微結構16的線寬范圍以介于1μm
至5μm之間為較佳,且以3μm以下為更佳。由于金屬線路微結構16的線寬
可以通過溝槽圖案14的該特定溝槽寬度而控制于1μm至5μm之間,特別是
可控制于3μm以下,因此當應用于觸控面板的可視觸控區域的金屬線路(或
金屬網格)時,可使其更細微化,且可提升金屬線路的透光率及不可視率。此
外,金屬線路微結構16的線寬也可控制介于1μm至20μm之間,例如介于5μm
至20μm之間,藉此也可應用于觸控面板的非觸控區域的金屬線路,換言之,
可作為觸控面板邊緣區域的金屬引線線路。此外,金屬線路微結構16的高
度也可對應于溝槽圖案14的深度而可介于0.1μm至20μm之間,藉此可依據
阻抗值的要求而調整金屬線路微結構16的高度以控制所形成的金屬線路的
穩定性。

圖3A至圖3F顯示本案第二較佳實施例的金屬線路微結構制法的結構流
程示意圖;以及圖4為本案第二較佳實施例的金屬線路微結構制法的步驟流
程圖。本案的金屬線路微結構制法包括下述步驟,首先,如圖3A及圖4所
示,于步驟S40中,提供基板11,其中該基板11為透明基板、柔性基板或
柔性透明基板,且基板11的厚度可介于但不限于20μm至800μm之間。

于一些實施例中,基板11的材料可選自聚對苯二甲酸乙二酯
(Polyethyleneterephthalatem,PET)、聚醚亞酰胺(Polyetherimide,PEI)、
聚苯砜(Polyphenylensulfon,PPSU)、聚酰亞胺(Polyimide,PI)、聚萘二
甲酸乙二醇酯(Polyethylenenaphthalate,PEN)、環烯烴類共聚物(Cyclic
olefincopolymer,COC)、液晶高分子聚合物(LiquidCrystalPolymer,LCP)、
玻璃或其組合等,且不以此為限。于本實施例中,該基板11以柔性透明基
板為較佳,且其材料以聚對苯二甲酸乙二酯為較佳,其具有耐沖擊、不易破
碎、透光率較高等特性。

接著,如圖3B及圖4所示,于步驟S41中,形成一籽晶層12(seedlayer)
于基板11的一表面。于一些實施例中,可利用沉積法形成金屬膜于基板11
的表面上以作為籽晶層12,其中沉積法包括但不限于濺鍍法或蒸鍍法,且以
濺鍍法為較佳。籽晶層12具有良好的導電性及與基板11的附著性,其可作
為連結非金屬材質的基板11與后續電鍍金屬導電層的界面,作為后續電鍍
步驟的起始層,可提升微結構的強度及導電性。此外,籽晶層12的厚度可
介于5nm至100nm之間,但不以此為限,其厚度可視實際應用需求而調整。
于一些實施例中,籽晶層12為金屬或金屬合金,較佳可選自鉻/金金屬膜(Cr
underAumetalfilm)、鈦/金金屬膜(TiunderAumetalfilm)、鈦/銅金屬膜(Ti
underCumetalfilm)、銅/銅金屬膜或鈦鎢/金金屬膜(Ti-WunderAu)等,但不
以此為限。

然后,如圖3C及圖4所示,于步驟S42中,形成光致抗蝕劑層13于籽
晶層12的表面上,且進行曝光及光刻工藝以于光致抗蝕劑層13中形成溝槽
圖案14并暴露部分的籽晶層12,其中該曝光及光刻工藝將光掩模上的圖案
轉移至光致抗蝕劑層13并形成該溝槽圖案14。于本實施例中,光致抗蝕劑
層13可為濕膜光致抗蝕劑或干膜光致抗蝕劑,其分別可利用例如涂布方式
或貼覆方式將光致抗蝕劑層13形成于籽晶層12的表面上。此外,光致抗蝕
劑層13所使用的光致抗蝕劑可包括正型光致抗蝕劑或負型光致抗蝕劑,其
中正型光致抗蝕劑與負型光致抗蝕劑的應用與原理為現有技術,于此不再贅
述。于此步驟中,可利用例如但不限于光掩模圖案設計及曝光量、曝光時間
等條件的控制,以形成具有特定溝槽寬度及特定溝槽深度的溝槽圖案14。于
本實施例中,溝槽圖案14的特定溝槽寬度可介于1μm至20μm之間,其中
該特定溝槽寬度以介于1μm至5μm之間為較佳,且以3μm以下為更佳。此
外,溝槽圖案14的特定溝槽深度可介于0.1μm至20μm之間,且以介于0.1μm
至2μm之間為較佳。

之后,如圖3D及圖4所示,于步驟S43中,以電鍍方式將金屬導電層
15填入溝槽圖案14,其中金屬導電層15與暴露于溝槽圖案14底部的該籽
晶層12的部分接觸與連接。于本實施例中,采用電鍍方式將金屬導電層15
填入溝槽圖案14具有形成速度較快且較易控制金屬導電層15厚度等優點,
且對于成形的金屬導電層15無需進行后續的處理步驟,有利于工藝步驟的
簡化。于一些實施例中,金屬導電層15的材料可選自銅、金、銀、鋁、鎢、
鐵、鎳、鉻、鈦、鉬、銦、錫或其至少任二者以上所組成的復合材料。于一
些實施例中,金屬導電層15的厚度可介于0.1μm至20μm之間,且以介于
0.1μm至2μm之間為較佳,并以介于0.1μm至0.5μm之間為更佳。

然后,如圖3E及圖4所示,于步驟S44中,將抗氧化層17填入溝槽圖
案14,且該抗氧化層17形成于金屬導電層15上。于一些實施例中,抗氧化
層17可為抗氧化金屬層,且抗氧化層17可包含酚醛樹脂、感光化合物、有
機有色高分子染料、無機有色染料以及溶劑,但并不以此為限,其中無機有
色染料包含金屬成分。抗氧化層17可為但不限于黑色,且可用以保護金屬
導電層、避免金屬導電層氧化及改變金屬線路的色澤,以使金屬線路的不可
視率更為提升。

然后,如圖3F及圖4所示,于步驟S45中,移除光致抗蝕劑層13及移
除未為該金屬導電層15接觸與連接的該籽晶層12的部分(即光致抗蝕劑層
13原覆蓋的該籽晶層12的部分),以形成金屬線路微結構18。于一些實施例
中,移除光致抗蝕劑層13的方式可依據光致抗蝕劑層13為濕膜光致抗蝕劑
或干膜光致抗蝕劑而分別采用蝕刻方式或剝離方式實現。此外,移除未與金
屬導電層15接觸與連接的籽晶層12的該部分的方式可采用蝕刻方式實現,
且不以此為限。于本實施例中,所制作完成的金屬線路微結構18其線寬對
應于溝槽圖案14的該特定溝槽寬度,換言之,金屬線路微結構18的線寬也
可介于1μm至20μm之間,其中金屬線路微結構18的線寬范圍以介于1μm
至5μm之間為較佳,且以3μm以下為更佳。由于金屬線路微結構18的線寬
可以通過溝槽圖案14的該特定溝槽寬度而控制于1μm至5μm之間,特別是
可控制于3μm以下,因此當應用于觸控面板的可視觸控區域的金屬線路(或
金屬網格)時,可使其更細微化,且可提升金屬線路的透光率及不可視率。此
外,金屬線路微結構18的線寬也可控制介于1μm至20μm之間,例如介于5μm
至20μm之間,藉此也可應用于觸控面板的非觸控區域的金屬線路,換言之,
可作為觸控面板邊緣區域的金屬引線線路。此外,金屬線路微結構18的高
度也可對應于溝槽圖案14的深度而可介于0.1μm至20μm之間,藉此可依據
阻抗值的要求而調整金屬線路微結構18的高度以控制所形成的金屬線路的
穩定性。

圖5A至圖5E顯示本案第三較佳實施例的金屬線路微結構制法的結構流
程示意圖;以及圖6為本案第三較佳實施例的金屬線路微結構制法的步驟流
程圖。本案的金屬線路微結構制法包括下述步驟,首先,如圖5A及圖6所
示,于步驟S60中,提供基板31,其中該基板31為透明基板、柔性基板或
柔性透明基板,且基板31的厚度可介于但不限于20μm至800μm之間。

于一些實施例中,基板31的材料可選自聚對苯二甲酸乙二酯
(Polyethyleneterephthalatem,PET)、聚醚亞酰胺(Polyetherimide,PEI)、
聚苯砜(Polyphenylensulfon,PPSU)、聚酰亞胺(Polyimide,PI)、聚萘二
甲酸乙二醇酯(Polyethylenenaphthalate,PEN)、環烯烴類共聚物(Cyclic
olefincopolymer,COC)、液晶高分子聚合物(LiquidCrystalPolymer,LCP)、
玻璃或其組合等,且不以此為限。于本實施例中,該基板31以柔性透明基
板為較佳,且其材料以聚對苯二甲酸乙二酯為較佳,其具有耐沖擊、不易破
碎、透光率較高等特性。

接著,如圖5B及圖6所示,于步驟S61中,形成一籽晶層32(seedlayer)
于基板31的一表面。于一些實施例中,可利用沉積法形成金屬膜于基板31
的表面上以作為籽晶層32,其中沉積法包括但不限于濺鍍法或蒸鍍法,且以
濺鍍法為較佳。籽晶層32具有良好的導電性及與基板31的附著性,其可作
為連結非金屬材質的基板31與后續電鍍金屬導電層的界面,作為后續電鍍
步驟的起始層,可提升微結構的強度及導電性。此外,籽晶層32的厚度可
介于5nm至100nm之間,但不以此為限,其厚度可視實際應用需求而調整。
于一些實施例中,籽晶層32為金屬或金屬合金,較佳可選自鉻/金金屬膜(Cr
underAumetalfilm)、鈦/金金屬膜(TiunderAumetalfilm)、鈦/銅金屬膜(Ti
underCumetalfilm)、銅/銅金屬膜或鈦鎢/金金屬膜(Ti-WunderAu)等,但不
以此為限。

然后,如圖5C及圖6所示,于步驟S62中,形成光致抗蝕劑層33于籽
晶層32的表面上,且進行曝光及光刻工藝以于光致抗蝕劑層33中形成第一
溝槽圖案34及第二溝槽圖案35并暴露部分的籽晶層32,其中該曝光及光刻
工藝將光掩模上的圖案轉移至光致抗蝕劑層33并形成該第一溝槽圖案34及
該第二溝槽圖案35。于本實施例中,光致抗蝕劑層33可為濕膜光致抗蝕劑
或干膜光致抗蝕劑,其分別可利用例如涂布方式或貼覆方式將光致抗蝕劑層
33形成于籽晶層32的表面上。此外,光致抗蝕劑層33所使用的光致抗蝕劑
可包括正型光致抗蝕劑或負型光致抗蝕劑,其中正型光致抗蝕劑與負型光致
抗蝕劑的應用與原理為現有技術,于此不再贅述。于此步驟中,可利用例如
但不限于光掩模圖案設計及曝光量、曝光時間等條件的控制,以形成具有第
一特定溝槽寬度W1的第一溝槽圖案34、第二特定溝槽寬度W2的第二溝槽
圖案35及特定溝槽深度,且第二特定溝槽寬度W2大于第一特定溝槽寬度
W1。于本實施例中,第一特定溝槽寬度W1及第二特定溝槽寬度W2可介于
1μm至20μm之間,其中該第一特定溝槽寬度W1以介于1μm至5μm之間為
較佳,且以3μm以下為更佳。該第二特定溝槽寬度W2以介于5μm至20μm
之間為較佳。此外,特定溝槽深度可介于0.1μm至20μm之間,且以介于0.1μm
至2μm之間為較佳。

之后,如圖5D及圖6所示,于步驟S63中,以電鍍方式分別將金屬導
電層36及37填入第一溝槽圖案34及第二溝槽圖案35,其中金屬導電層36
及37與暴露于第一溝槽圖案34及第二溝槽圖案35底部的該籽晶層32的部
分接觸與連接。于本實施例中,采用電鍍方式分別將金屬導電層36及37填
入第一溝槽圖案34及第二溝槽圖案35具有形成速度較快且較易控制金屬導
電層36及37厚度等優點,且對于成形的金屬導電層36及37無需進行后續
的處理步驟,有利于工藝步驟的簡化。于一些實施例中,金屬導電層36及
37的材料可為相同或不同,且可選自銅、金、銀、鋁、鎢、鐵、鎳、鉻、鈦、
鉬、銦、錫或其至少任二者以上所組成的復合材料。于一些實施例中,金屬
導電層36及37的厚度可介于0.1μm至20μm之間,且以介于0.1μm至2μm
之間為較佳,并以介于0.1μm至0.5μm之間為更佳。

然后,如圖5E及圖6所示,于步驟S64中,移除光致抗蝕劑層33及移
除未為該金屬導電層36及37接觸與連接的該籽晶層32的部分(即光致抗蝕
劑層33原覆蓋的該籽晶層32的部分),以分別形成第一金屬線路微結構38
及第二金屬線路微結構39。于一些實施例中,移除光致抗蝕劑層33的方式
可依據光致抗蝕劑層33為濕膜光致抗蝕劑或干膜光致抗蝕劑而分別采用蝕
刻方式或剝離方式實現。此外,移除未與金屬導電層36及37接觸與連接的
籽晶層32的該部分的方式可采用蝕刻方式實現,且不以此為限。于本實施
例中,所制作完成的第一金屬線路微結構38及第二金屬線路微結構39其線
寬對應于第一溝槽圖案34及第二溝槽圖案35的該第一特定溝槽寬度W1及
該第二特定溝槽寬度W2,換言之,第一金屬線路微結構38及第二金屬線路
微結構39的線寬也可介于1μm至20μm之間,其中第一金屬線路微結構38
的線寬范圍以介于1μm至5μm之間為較佳,且以3μm以下為更佳。由于第
一金屬線路微結構38的線寬可以第一溝槽圖案34的第一特定溝槽寬度W1
而控制于1μm至5μm之間,特別是可控制于3μm以下,因此可應用于觸控
面板的可視觸控區域的金屬線路(或金屬網格),使其更細微化,且可提升金
屬線路的透光率及不可視率。此外,第二金屬線路微結構39的線寬也可控
制介于1μm至20μm之間,且以介于5μm至20μm之間為較佳,因此可應用
于觸控面板的非觸控區域的金屬線路,換言之,可作為觸控面板邊緣區域的
金屬引線線路。此外,第一金屬線路微結構38及第二金屬線路微結構39的
高度也可對應于第一溝槽圖案34及第二溝槽圖案35的深度而可介于0.1μm
至20μm之間,藉此可依據阻抗值的要求而調整第一金屬線路微結構38及第
二金屬線路微結構39的高度以控制所形成的金屬線路的穩定性。

圖7為本案第三較佳實施例的制法應用于形成一觸控面板的金屬線路的
示意圖。如圖7所示,形成的第一金屬線路微結構38及第二金屬線路微結
構39分別位于觸控面板1的可視觸控區域及非觸控區域,其中可視觸控區
域的第一金屬線路微結構38可控制于1μm至5μm之間,特別是可控制于3μm
以下,藉此可使其更細微化,且可提升金屬線路的透光率及不可視率,而非
觸控區域的第二金屬線路微結構39可控制在5μm至20μm之間,用以作為
觸控面板邊緣區域的金屬引線線路。此外,如圖5A至圖5E、圖6及圖7所
示,本案的金屬線路微結構的制法可利用同一工藝步驟同時于基板上形成第
一金屬線路微結構38及第二金屬線路微結構39,以分別作為觸控面板1的
可視觸控區域的金屬線路及非觸控區域的金屬引線線路,藉此可簡化觸控面
板1的工藝步驟并降低制作成本。

綜上所述,本案提供一種金屬線路微結構的制法,其可以較低成本制備
更細微化的金屬線路,且于應用于觸控面板時可以提升金屬線路的透光率及
不可視率。此外,本案金屬線路微結構的制法,其制作金屬線路的精細度較
易控制,可制備具5μm以下線寬的金屬線路,可以提升產品良率,并可防止
金屬線路氧化的發生。再則,本案金屬線路微結構的制法,其可利用同一工
藝步驟同時于基板上形成觸控面板的可視觸控區域及引線區域的金屬線路。

本案得由本領域普通技術人員任施匠思而為諸般修飾,然皆不脫如附權
利要求所欲保護者。

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金屬 線路 微結構 制法
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