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具有超晶格結構的太陽能電池及其制備方法.pdf

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具有 晶格 結構 太陽能電池 及其 制備 方法
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摘要
申請專利號:

CN201210203843.2

申請日:

2012.06.20

公開號:

CN102738267B

公開日:

2015.01.21

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||實質審查的生效IPC(主分類):H01L 31/0352申請日:20120620|||公開
IPC分類號: H01L31/0352; H01L31/077(2012.01)I; H01L31/18 主分類號: H01L31/0352
申請人: 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
發明人: 鄭新和; 李雪飛; 張東炎; 吳淵淵; 陸書龍; 楊輝
地址: 215125 江蘇省蘇州市工業園區獨墅湖高教區若水路398號
優先權:
專利代理機構: 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218 代理人: 孫佳胤;翟羽
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201210203843.2

授權公告號:

102738267B||||||

法律狀態公告日:

2015.01.21|||2012.12.12|||2012.10.17

法律狀態類型:

授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

本發明提供一種具有超晶格結構的太陽能電池,包括第一GaAs層和有源區,所述有源區置于第一GaAs層的裸露表面上,所述有源區包括第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格結構,所述第二GaNAs/InGaAs超晶格結構設置于第一GaNAs/InGaAs超晶格結構表面,且所述第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格結構中的InGaAs層厚度不同。本發明還提供一種如上述具有超晶格結構的太陽能電池的制備方法,在第一GaAs層的裸露表面上生長兩種GaNAs/InGaAs超晶格結構以形成有源區,所述兩種GaNAs/InGaAs超晶格結構中的InGaAs層厚度不同。

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