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半導體裝置以及功率變換裝置.pdf

關 鍵 詞:
半導體 裝置 以及 功率 變換
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摘要
申請專利號:

CN201210001137.X

申請日:

2012.01.04

公開號:

CN102593167B

公開日:

2015.01.28

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||專利申請權的轉移IPC(主分類):H01L 29/739變更事項:申請人變更前權利人:株式會社日立制作所變更后權利人:株式會社日立功率半導體變更事項:地址變更前權利人:日本東京都變更后權利人:日本國茨城縣登記生效日:20140714|||實質審查的生效IPC(主分類):H01L 29/739申請日:20120104|||公開
IPC分類號: H01L29/739; H01L21/331; H01L25/07; H02M1/00(2007.01)I 主分類號: H01L29/739
申請人: 株式會社日立功率半導體
發明人: 白石正樹; 森睦宏; 鈴木弘; 渡邊聰
地址: 日本茨城縣
優先權: 2011.01.12 JP 2011-003845
專利代理機構: 中科專利商標代理有限責任公司 11021 代理人: 張寶榮
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201210001137.X

授權公告號:

102593167B|||||||||

法律狀態公告日:

2015.01.28|||2014.08.06|||2012.09.19|||2012.07.18

法律狀態類型:

授權|||專利申請權、專利權的轉移|||實質審查的生效|||公開

摘要

提供了一種半導體裝置,能夠在保持低損失和高耐壓的同時,提高柵極驅動電路對在導通開關時間段中的dv/dt的控制性。該半導體裝置設置有:第1導電型的第1半導體層(4);在其表面附近形成的第2導電型的第2半導體層(2);與其電連接的第1主電極(11),與第1半導體層(4)鄰接且在與第2半導體層(2)相反側的表面附近形成的第2導電型的第3半導體層(6);在其上部上選擇性地設置的第1導電型的第4半導體層(7);與第3半導體層(6)以及第4半導體層(7)電連接的第2主電極(14);其側面與第4半導體層(7)和第3半導體層(6)接觸且達到第1半導體層(4)的溝槽(17);沿著該側面通過多晶硅的邊壁形成的柵極電極(9);以及在溝槽(17)內離開柵極電極(9)而設置且與第2主電極(14)電連接的多晶硅電極(18)。

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本文標題:半導體裝置以及功率變換裝置.pdf
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