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電子基板之制程與所應用的接著劑.pdf

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摘要
申請專利號:

CN201210041497.2

申請日:

2012.02.23

公開號:

CN102740601B

公開日:

2015.01.28

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||實質審查的生效IPC(主分類):H05K 3/00申請日:20120223|||公開
IPC分類號: H05K3/00; H05K3/46; C09J125/14; C09J7/02 主分類號: H05K3/00
申請人: 浙江國森精細化工科技有限公司
發明人: 莊學平; 王佩瑤; 陳怡全
地址: 313310 浙江省湖州市安吉縣天子湖工業園區五福路23號
優先權: 2011.04.27 TW 100114666
專利代理機構: 浙江杭州金通專利事務所有限公司 33100 代理人: 王雪
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201210041497.2

授權公告號:

102740601B||||||

法律狀態公告日:

2015.01.28|||2012.12.12|||2012.10.17

法律狀態類型:

授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

一種電子基板之制程與所應用的接著劑,其中制作電子基板的制程實施例包括先備置第一基板,特別是硬式的基板,并于其上涂布液態接著劑,接著透過升溫形成干膜;接著,于第一基板上貼合具有不同物理特性的第二基板,特別是軟性基板。之后經一處理程序后形成一電子基板;之后,透過降溫或是其它光學方法使接著劑干膜失去接著性,并可剝離電子基板。特別的是,經升溫形成接著劑干膜、降溫脫膜的接著劑為可回收的材料。

權利要求書

1.一種電子基板之制程,包括:備置一第一基板;于該第一基板上涂布一液態接著劑;經一除溶劑程序使該液態接著劑形成一具接著性的接著劑干膜;于該第一基板與該接著劑干膜上貼合一與該第一基板具有不同物理特性的第二基板;經一處理程序使該第二基板形成一電子基板;使該接著劑干膜失去接著性;以及剝離該電子基板。2.如權利要求1所述之電子基板之制程,其中系經一升溫程序形成該具接著性的接著劑干膜。3.如權利要求2所述之電子基板之制程,其中系經一降溫程序使該接著劑干膜處于一定溫度狀態下而失去接著性。4.如權利要求2所述之電子基板之制程,其中該具接著性的接著劑干膜系經一光線照射程序失去接著性。5.如權利要求1所述之電子基板之制程,其中該貼合第二基板之步驟系應用一滾輪壓合制程或一層壓制程。6.如權利要求1所述之電子基板之制程,其中該液態接著劑為一溶劑型的膠水。7.一種電子基板之制程,包括:備置一第一基板;于該第一基板上涂布一液態接著劑;固化經一升溫程序,使該液態接著劑形成一具吸附接著性的接著劑干膜;于該第一基板與該接著劑干膜上貼合一與該第一基板具有不同物理特性的第二基板;經一處理程序使該第二基板形成一電子基板;經一降溫程序使該接著劑干膜失去吸附接著性;以及剝離該電子基板。8.一種電子基板之制程,包括:備置一第一基板;于該第一基板上涂布一液態接著劑;經一升溫程序,使該液態接著劑形成一具接著性的接著劑干膜;于該第一基板與該接著劑干膜上貼合一與該第一基板具有不同物理特性的第二基板;經一處理程序使該第二基板形成一電子基板;經一光線照射程序使該接著劑干膜失去接著性;以及剝離該電子基板。9.一種應用于如申請專利范圍第1項或第7項所述之電子基板制程之接著劑,其組成為:其中:R1為氫(Hydrogen)、甲基(Methyl)之一;R2為壬基(Nonyl)、乙氧化壬基(Ethoxylated?Nonyl)之一;R3為氫(Hydrogen)、甲基(Methyl)之一;R4為以下化合物之一,包括:甲基(Methyl)、乙基(Ethyl)、丁基(Butyl)、乙基己基(Ethyl?Hexyl)、縮水甘油基(Glycidyl)、十八烷基(Stearyl)、烷氧化月桂基(Alkoxylated?Lauryl)、四氫呋喃基(Tetrahydro?furfuryl)、2-苯氧基乙基(2-Phenoxy?Ethyl)、異癸基(Isodecyl)、辛基(Octyl)、癸基(Decyl)與異冰片基(Isobornyl);x=0~5;y=5~25;z=10。10.如申請專利范圍第9項所述之接著劑,其中該組成具有升溫固化而使該接著劑干膜具有接著性,且于降溫使該接著劑干膜失去接著性的特性。

說明書

電子基板之制程與所應用的接著劑

技術領域

本說明書提出一種電子基板之制程與所應用的接著劑,特別是指一具溫控特性接著劑,與應用此接著劑的制程。

背景技術

隨著電路板的應用日趨廣泛且功能強大,應用上產生多層結構的電路板或是多層材料疊合的結構。在制作中,各層之間具有一定的物理差異,比如各層材料遇熱時因為各層上的結構與材料比熱的差異產生不同的現象,特別是因為制程中加熱或低溫時,各層對溫度的反應不一產生翹曲的問題,這使得各層不能密切貼合。

此類問題可參考圖1顯示為習知技術中多層電路板產生翹曲現象的示意圖。

圖中顯示有一個電路板結構10,示意為第一層電路板11、第二層電路板12與第三層電路板13所組成的結構。根據需求,各層應具有不同的布線(routing),且可能分布不均勻,使得各層之間產生差異。因為制程中會產生高熱,比如焊接、在各層貼合時加溫等程序,此時,因為對于溫度的反應不一而產生翹曲的問題,如所示的翹曲范圍15。

傳統上的制程可能產生翹曲的問題,會影響各層材料的貼合,對精密的電子設備來說,也會造成組裝上誤差與困擾。

發明內容

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為了改善多層材料的制程中可能因為各層材料、基板間的物理特性的差異產生制作上的問題,本說明書特別提出一種應用于電子基板制程中的一種具溫控特性接著劑,利用制程的改善與本說明書所描述的各層間接著劑,除了可以防止制程中產生的誤差,亦可以透過溫度控制,或是其它光學方法的處理,讓此接著劑順利處理基板間的貼合與剝離。

根據實施例,電子基板之制程包括先備置第一基板,此可為一硬式基板,特別是應用于一般機臺上,之后在第一基板上涂布一液態接著劑,可再利用溫度控制使此液態接著劑形成一具接著性的接著劑干膜。

液態接著劑經固化形成一干膜,可使得之后第二基板平整地貼合于上述第一基板上,比如利用滾輪壓合制程或是層壓制程,特別是針對第一基板與第二基板具有不同物理特性的情況下。之后,經一處理程序使第二基板形成一電子基板,此處理程序可為一半導體制程,于第二基板上形成電子組件,或是透過圖案化制程形成電路等制程。

特別的是,制程之后透過溫控或是光學方法使接著劑干膜失去接著性,并能順利剝離電子基板。

根據一實施例,上述液態接著劑的組成主要是具有升溫固化而使接著劑具有接著性的干膜,亦于降溫時使干膜失去接著性的特點。

附圖說明

圖1顯示為習知技術中多層電路板產生翹曲現象的示意圖;

圖2A至圖2I顯示本發明電子基板之制程實施例;

圖3描述本發明電子基板之制作流程實施例之一;

圖4描述本發明電子基板之制作流程實施例之二。

?

【主要組件符號說明】

電路板結構10???????????????翹曲范圍15

第一層電路板11???????????第二層電路板12

第三層電路板13???????????第一基板20

液態接著劑22???????????????接著劑干膜22’

第二基板24???????????????????電子元件201

步驟S301~S313?電子基板之制程一

步驟S401~S417?電子基板之制程二

具體實施方式

(一)本案指定代表圖為:圖3。

(二)本代表圖之組件符號簡單說明:

S301?備置第一基板

S303?涂布液態接著劑

S305?形成接著劑干膜

S307?貼合第二基板

S309?形成電子基板

S311?接著劑干膜失去接著性

S313?剝離電子基板

最能顯示發明特征的化學式:

本說明書提出一種接著劑,此接著劑應用于多層結構中不同基板材料間的貼合程序,接著劑特別是具有溫控特性,可以透過溫度控制改變其特性,比如接著劑的組成在高溫時具有接著性,而于降溫至一定溫度下,可以使其失去接著性;此溫控的方式可以依據接著劑的組成而有其它實施例。

根據實施例之一,此具有溫控特性的接著劑之組成包括有三個主成份,其摩爾比例分別以下圖的下標x,?y,?z來表示,根據可實施的組成,各主成份間的摩爾比例范圍分別為x=0~5;y=5~25;z=10。

接著劑的實施例組成如下:

其中:

R1為氫(Hydrogen)、甲基(Methyl)之一;

R2為壬基(Nonyl)、乙氧化壬基(Ethoxylated?Nonyl)之一;

R3為氫(Hydrogen)、甲基(Methyl)之一;

R4為以下化合物之一,包括:甲基(Methyl)、乙基(Ethyl)、丁基(Butyl)、乙基己基(Ethyl?Hexyl)、縮水甘油基(Glycidyl)、十八烷基(Stearyl)、烷氧化月桂基(Alkoxylated?Lauryl)、四氫呋喃基(Tetrahydro?furfuryl)、2-苯氧基乙基(2-Phenoxy?Ethyl)、異癸基(Isodecyl)、辛基(Octyl)、癸基(Decyl)與異冰片基(Isobornyl)。

上述接著劑特別是在制程中可以利用溫度控制來控制接著劑的黏性,此類接著劑材料在特定實施例中為可回收重復使用的材料。

在另一實施例中,可以利用光學方法控制黏性,比如先利用升溫或是紫外光(UV)固化液態接著劑,使之形成具有黏性的接著劑干膜,再于制程接近結束時,同樣利用光學方法使接著劑干膜失去黏性,而使得容易剝離基板。但是此類利用升溫產生接著性與利用光學方法脫膜的方式應用的接著劑不能回收使用。

利用上述接著劑干膜,可以改善多層材料的制程中可能因為各層材料、基板間的物理特性的差異產生制作上的問題,尤其是制程中針對軟性基板加工時,高溫會使得基板翹曲,或是不同層材料差異形成的翹曲現象。

因此可以防止制程中產生的誤差,同時可以透過溫度控制,或是其它光學方法的處理使接著劑干膜可以在制程中輕易貼合與剝離各層材料。

根據一實施例,本說明書揭示的制程可以為在一般機臺上制作軟性電路板的情況,因為此類機臺通常為硬式的機臺,當軟性基板貼附時,兩者的物理差異通常會使得制程產生誤差,本說明書所揭示的接著劑可以改善此現象。

圖2A至圖2I接著顯示本發明軟性基板之制程實施例,其中顯示利用上述具溫控特性接著劑的制程,但仍適用于可控制接著劑接著性的各種實現方式使接著劑干膜失去接著性。

制程先備置機臺、載具,再如圖2A所示,備置有第一基板20,可為玻璃基板、金屬基板等硬式基板,更可如晶圓制程中的載具。

接著如圖2B所示,于第一基板20上涂布一液態接著劑22,此液態接著劑為接著用的材料,可經處理控制其特性,比如具有溫度控制接著性的特性。如圖2C所示,經一溫度處理,產生一個形成干膜的過程,形成具接著性的接著劑干膜22’。

接著備置有一欲形成各式電子基板的第二基板24,如圖2D所示,第二基板24特別是可與第一基板20具有不同物理特性的基板,比如為一種軟性基板,特別因為兩個基板因材料與布置的內容的不同產生不同的膨脹系數、不同的比熱,第二基板24透過接著劑干膜22’貼合于第一基板20,如圖2E所示。貼合的方法如利用一滾輪的壓合制程,或是一種層壓(lamination)的方式使第二基板24形成于第一基板20上。

再如圖2F所示,經貼合第二基板24之后,此基板作為制作其它電子組件或是布線的基板,如圖中顯示,可以透過其它半導體制程制作電子元件201于第二基板24之上,其它還可透過微影(lithography)、蝕刻等圖案化制程制作線路,或利用印刷制程(printing)而形成的各式電子基板。

完成上述制程后,程序如圖2G所示,利用溫度控制或是光線照射的方式,使接著劑干膜22’可以失去接著性,而能輕易剝離第二基板24所形成的電子基板。

接著如圖2H所示,留下失去接著性的接著劑干膜22’。最后經除接著劑干膜之后,制程留下第一基板20,如圖2I。

上述制程中,貼合第二基板24的步驟可利用滾輪壓合制程或層壓制程,而在這些步驟之前可應用一調準程序(alignment)調準第一基板20與第二基板24。特別是可借助著接著劑干膜使得不同特性的兩種基板平整貼合,而能順利執行后續制程。如圖3所整理描述的電子基板之制作流程實施例。

根據圖3,經步驟S301備置第一基板后,再如步驟S303,涂布一種液態接著劑,如溶劑型的膠水。經除溶劑后形成具接著性的干膜,如步驟S305所述形成接著劑干膜。再貼合第二基板(步驟S307),第一基板與第二基板可具有不同物理特性。經其它制程處理后,在第二基板上形成電子元件、布線等,以形成特定功能的電子基板(步驟S309),再使接著劑干膜失去接著性(步驟S311),以能順利剝離電子基板(步驟S313)。

圖4描述本發明電子基板之制作流程實施例,此系描述透過溫度處理控制接著劑干膜的特性的實施例,在特定實施例中,制程后段在第一基板上的接著劑干膜為可重復利用的干膜。

步驟如S401,先備置第一基板,特別為一不易彎曲的硬式基板,并不限制為此。再如步驟S403,涂布一層液態接著劑于第一基板上。之后經加熱至一定高溫后(步驟S405),液態接著劑形成具有接著性的接著劑干膜(步驟S407)。

此時,如步驟S409,將欲貼合的第二基板進行調準,并將整體裝置置于一真空環境中,在真空中貼合第二基板,特別為一軟性基板,如軟性電子基板(步驟S411)。之后經特定制程形成電子基板(步驟S413)。

完成后,可以以降溫處理,經降溫至一特定低溫后(步驟S415),接著劑干膜將失去接著性,使得電子基板可輕易剝離(步驟S417)。

上述貼合第二基板的步驟中,特別是在可以減少其它雜質的真空環境下進行,并且可再于加熱同時執行加壓貼合的制程。

上述改變接著劑干膜的接著性的方式可不限于上述實施方式,比如,接著劑可經一升溫程序使其產生接著性;并可在制程后段經一頻率調變光線照射程序使接著劑干膜失去接著性。

上述中,若第一基板上的液態接著劑為一溶劑型膠水,則可施以除溶劑以形成具接著性的干膜。

綜上所述,本說明書所提出的接著劑可參考本文描述的化學方程式與其中組成,特別是能夠透過溫度控制控制其接著劑干膜的接著性,另外仍可透過特定光線照射程序的光學方法使接著劑干膜改變接著性。

惟以上所述僅為本發明之較佳可行實施例,非因此即局限本發明之專利范圍,故舉凡運用本發明說明書及圖示內容所為之等效結構變化,均同理包含于本發明之范圍內,合予陳明。

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