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優化淺槽隔離刻蝕工藝的方法.pdf

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優化 隔離 刻蝕 工藝 方法
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摘要
申請專利號:

CN201210501020.8

申請日:

2012.11.29

公開號:

CN102983096B

公開日:

2015.01.28

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||實質審查的生效IPC(主分類):H01L 21/762申請日:20121129|||公開
IPC分類號: H01L21/762 主分類號: H01L21/762
申請人: 上海華力微電子有限公司
發明人: 許進; 王國兵; 唐在峰; 呂煜坤; 張旭昇
地址: 201203 上海市浦東新區張江高科技園區高斯路497號
優先權:
專利代理機構: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 代理人: 陸花
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201210501020.8

授權公告號:

102983096B||||||

法律狀態公告日:

2015.01.28|||2013.04.17|||2013.03.20

法律狀態類型:

授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

本發明公開了一種優化淺槽隔離刻蝕工藝的方法,該方法通過先調整刻蝕時間以獲得不同刻蝕時間下的不同頂部圓化弧度形貌的淺溝槽,并進行頂部圓化弧度測量,建立淺溝槽頂部圓化弧度與刻蝕時間之間的對應關系;然后根據器件的電性規格與淺溝槽頂部圓化弧度之間的趨勢,得到不同電性規格的器件實際對應的淺溝槽頂部圓化弧度;最后,根據不同電性規格的器件實際對應的淺溝槽頂部圓化弧度以及淺溝槽頂部圓化弧度與刻蝕時間之間的對應關系,計算并調節刻蝕時間,以精確控制并穩定器件的淺溝槽頂部圓化弧度。從而改變了以往只能粗略評估淺槽隔離頂部形貌的缺點,實現了精確控制在線制品的形貌和最終的電性,大大提高淺槽隔離開發效率和產品良率的方法。

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本文標題:優化淺槽隔離刻蝕工藝的方法.pdf
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