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存儲器的制造方法.pdf

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存儲器 制造 方法
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摘要
申請專利號:

CN201210089926.3

申請日:

2012.03.28

公開號:

CN103367257B

公開日:

2015.01.28

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||實質審查的生效IPC(主分類):H01L 21/8247申請日:20120328|||公開
IPC分類號: H01L21/8247 主分類號: H01L21/8247
申請人: 華邦電子股份有限公司
發明人: 蔣汝平; 謝榮源
地址: 中國臺灣臺中市大雅區科雅一路8號
優先權:
專利代理機構: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 代理人: 張龍哺;馮志云
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201210089926.3

授權公告號:

103367257B||||||

法律狀態公告日:

2015.01.28|||2013.11.20|||2013.10.23

法律狀態類型:

授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

本發明公開了一種存儲器的制造方法。于導體層上形成罩幕圖案,包括有源區的第一線形圖案與周邊區的ㄩ字形圖案,后者具有形成開口的第二、第三以及第四線形圖案,其中第二及第三線形圖案與第四線形圖案的兩端連接。對罩幕圖案實施修整工藝。于罩幕圖案側壁上自行對準地形成絕緣圖案,填滿開口。移除罩幕圖案,使絕緣圖案具溝槽。移除部分絕緣圖案,形成與溝槽連通的開口。以絕緣圖案為罩幕,圖案化導體層,于有源區與周邊區形成第一與第二導體圖案。移除絕緣圖案。于第一與第二導體圖案之間形成介電層。形成與第二導體圖案電性連接的導體圖案。本發明通過具特殊構形的罩幕圖案、移除特定部分的絕緣圖案以及圖案化光阻層的位置,提升周邊區效能。

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本文標題:存儲器的制造方法.pdf
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