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第III族氮化物半導體發光器件.pdf

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III 氮化物 半導體 發光 器件
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摘要
申請專利號:

CN201210086827.X

申請日:

2012.03.28

公開號:

CN102738329B

公開日:

2015.01.28

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||實質審查的生效IPC(主分類):H01L 33/06申請日:20120328|||公開
IPC分類號: H01L33/06(2010.01)I; H01L33/32(2010.01)I 主分類號: H01L33/06
申請人: 豐田合成株式會社
發明人: 豐田優介; 奧野浩司; 西島和樹
地址: 日本愛知縣
優先權: 2011.03.30 JP 2011-074727; 2011.09.28 JP 2011-212298
專利代理機構: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 代理人: 蔡勝有;吳鵬章
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201210086827.X

授權公告號:

102738329B||||||

法律狀態公告日:

2015.01.28|||2012.12.12|||2012.10.17

法律狀態類型:

授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

本發明提供了一種在不增加驅動電壓的情況下表現出改進的發射性能的第III族氮化物半導體發光器件。該第III族氮化物半導體發光器件至少包括n型層側包覆層、具有包括AlxGa1-xN(0<x<1)層作為勢壘層的多量子結構的發光層以及p型層側包覆層,其中,每個層由第III族氮化物半導體形成。在發光層從n型層側包覆層到p型層側包覆層沿著厚度方向分為第一塊、第二塊和第三塊這三個塊的情況下,第一塊和第三塊中的勢壘層的數量相同,并且,每個發光層的Al組成比被設置成滿足關系式x+z=2y且z<x,其中,x表示第一塊中的勢壘層的平均Al組成比,y表示第二塊中的勢壘層的平均Al組成比,z表示第三塊中的勢壘層的平均Al組成比。

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本文標題:第III族氮化物半導體發光器件.pdf
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