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具有改進的組件匹配的雙平衡混頻器.pdf

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具有 改進 組件 匹配 平衡混頻器
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摘要
申請專利號:

CN201080045099.7

申請日:

2010.10.15

公開號:

CN102549914B

公開日:

2015.01.28

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||實質審查的生效號牌文件類型代碼:1604號牌文件序號:101322546235IPC(主分類):H03D 7/14專利申請號:2010800450997申請日:20101015|||公開
IPC分類號: H03D7/14 主分類號: H03D7/14
申請人: 高通股份有限公司
發明人: 王承漢
地址: 美國加利福尼亞州
優先權: 2009.10.16 US 12/580,998
專利代理機構: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 代理人: 宋獻濤
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201080045099.7

授權公告號:

102549914B||||||

法律狀態公告日:

2015.01.28|||2012.09.05|||2012.07.04

法律狀態類型:

授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

本發明描述一種改進型有源或無源雙平衡混頻器,其具有減少的電容器電壓失配。所述雙平衡混頻器包括兩組混頻器電路,每一組包含開關。每一開關被單獨劃分成具有不等數目個指狀物的第一部分和第二部分。與給定開關相關聯的第一和第二LO?AC耦合電容器在一端耦合到LO信號。所述第一LO?AC耦合電容器的輸出分別耦合到所述第一開關的所述第一部分和所述第二開關的所述第二部分,而所述第二LO?AC耦合電容器的輸出分別耦合到所述第一開關的所述第二部分和所述第二開關的所述第一部分。在一個實施例中,分別由n-1和n+1個指狀物來界定所述不等數目個指狀物。在替代實施例中,所述混頻器為具有跨導放大器和如上兩組混頻器電路的ADB混頻器。

權利要求書

1.一種雙平衡混頻器,其包含:
兩個開關,每一開關被劃分成具有不等數目個指狀物的第一部分和第二部分;以

第一和第二本機振蕩器LO?AC耦合電容器,其各自耦合到第一LO信號,所述
第一和第二LO?AC耦合電容器的輸出分別耦合到所述兩個開關的所述第一部分和
第二部分。
2.根據權利要求1所述的雙平衡混頻器,其中具有不等數目個指狀物的所述第一和第
二部分分別包含n-1和n+1個指狀物。
3.根據權利要求1所述的雙平衡混頻器,其中所述兩個開關界定第一組開關,所述雙
平衡混頻器進一步包含第二組開關,其中所述第二組開關被劃分成分別具有不等數
目個指狀物的第一部分和第二部分。
4.根據權利要求3所述的雙平衡混頻器,其進一步包含第三和第四LO?AC耦合電容
器,所述第三和第四LO?AC耦合電容器各自耦合到第二LO信號,所述第二LO信
號具有與所述第一LO信號相反的極性,所述第三和第四LO?AC耦合電容器的輸
出分別耦合到所述第二組開關的所述第一和第二部分。
5.根據權利要求4所述的雙平衡混頻器,其中所述第一和第二組開關呈橋接配置。
6.根據權利要求4所述的雙平衡混頻器,其中所述第一和第二組開關為MOS晶體管。
7.根據權利要求1所述的雙平衡混頻器,其中所述雙平衡混頻器適于耦合到數/模轉
換器DAC以校準所述DBM中的IM2失配。
8.根據權利要求1所述的雙平衡混頻器,其中所述雙平衡混頻器為無源雙平衡混頻
器。
9.根據權利要求2所述的雙平衡混頻器,其中所述雙平衡混頻器為無源雙平衡混頻
器。
10.根據權利要求3所述的雙平衡混頻器,其中所述雙平衡混頻器為無源雙平衡混頻
器。
11.根據權利要求4所述的雙平衡混頻器,其中所述雙平衡混頻器為無源雙平衡混頻
器。
12.根據權利要求5所述的雙平衡混頻器,其中所述雙平衡混頻器為無源雙平衡混頻
器。
13.根據權利要求6所述的雙平衡混頻器,其中所述雙平衡混頻器為無源雙平衡混頻
器。
14.根據權利要求7所述的雙平衡混頻器,其中所述雙平衡混頻器為無源雙平衡混頻
器。
15.根據權利要求1所述的雙平衡混頻器,其中所述雙平衡混頻器為有源雙平衡混頻
器。
16.一種包括雙平衡混頻器的無線通信裝置,其包含:
兩個開關,每一開關被劃分成具有不等數目個指狀物的第一部分和第二部分;以

第一和第二LO?AC耦合電容器,其各自耦合到第一LO信號,所述第一和第二
LO?AC耦合電容器的輸出分別耦合到所述兩個開關的所述第一和第二部分。
17.根據權利要求16所述的無線通信裝置,其中具有不等數目個指狀物的所述第一和
第二部分分別包含n-1和n+1個指狀物。
18.根據權利要求16所述的無線通信裝置,其中所述兩個開關界定第一組開關,所述
雙平衡混頻器進一步包含第二組開關,其中所述第二組開關被劃分成分別具有不等
數目個指狀物的第一部分和第二部分。
19.根據權利要求18所述的無線通信裝置,其進一步包含第三和第四LO?AC耦合電容
器,所述第三和第四LO?AC耦合電容器各自耦合到第二LO信號,所述第二LO信
號具有與所述第一LO信號相反的極性,所述第三和第四LO?AC耦合電容器的輸
出分別耦合到所述第二組開關的所述第一和第二部分。
20.根據權利要求16所述的無線通信裝置,其中所述雙平衡混頻器為無源雙平衡混頻
器。
21.根據權利要求16所述的無線通信裝置,其中所述雙平衡混頻器為有源雙平衡混頻
器。
22.一種具有雙平衡混頻器的集成電路,其包含:
兩個開關,每一開關被劃分成具有不等數目個指狀物的第一部分和第二部分;以

第一和第二LO?AC耦合電容器,其各自耦合到第一LO信號,所述第一和第二
LO?AC耦合電容器的輸出分別耦合到所述兩個開關的所述第一部分和第二部分。
23.一種包括雙平衡混頻器的裝置,其包含:
多個開關,每一開關包括由平行晶體管指狀物界定的若干部分,每一開關的至少
第一部分中的指狀物的數目與同一開關中的至少第二部分的指狀物的數目為不等
數目;以及
多個LO?AC耦合電容器,其各自在一端耦合到LO信號且在另一端耦合到所述
多個開關中的每一者的對應部分以減少LO電容失配。

說明書

具有改進的組件匹配的雙平衡混頻器

技術領域

本發明涉及混頻器電路,且特定來說涉及具有改進的組件匹配的雙平衡混頻器電
路。

背景技術

在各種應用中使用混頻器電路。舉例來說,在射頻(RF)應用中經常使用混頻器電
路進行升頻轉換或降頻轉換。在此情境中,升頻轉換為將例如差動基帶信號等基帶信號
與由在RF范圍中操作的本機振蕩器電路產生的RF信號進行混頻的過程。此過程產生
已混頻RF信號,其中基帶信息包括在由本機振蕩器產生的RF信號內。降頻轉換為將
所述基帶信號與由本機振蕩器產生的已混頻RF信號分離的過程。當在第一降頻轉換中
將射頻(RF)頻譜直接轉變成基帶時,接收器被稱為“零差式”、“直接轉換式”或“零
IF式”架構。

圖1展示常規雙平衡混頻器100。雙平衡混頻器(DBM)100包括兩個混頻器電路,
所述兩個混頻器電路的輸出耦合到共同負載。DBM?100大體上包含兩組差動晶體管對
M1/M2?110/112和M3/M4?114/116,兩組差動晶體管對中的每一者分別接收第一差動輸
入信號RF_P、RF_M。兩組差動晶體管對M1/M2?110/112和M3/M4?114/116接收第二差
動信號LO_P、LO_M,第二差動信號LO_P、LO_M分別驅動晶體管對M1/M3?110/114
和M2/M4?112/116的柵極。此第二差動信號通常來自本機振蕩器(LO)。晶體管M1?110、
M2?112、M3?114和M4?116的柵極、漏極和源極端子的偏壓為此項技術中眾所周知的,
且將不作描述。

盡管M1?110、M2?112、M3?114和M4?116被展示為晶體管裝置,但已知可替換所展
示配置中的任何等效的放大或開關裝置。術語無源通常用以指示混頻器配置不執行放
大。術語有源通常用以指示混頻器配置執行放大。互補金屬氧化物(CMOS)半導體技
術為常用的制造工藝技術。

需要使M1?110、M2?112、M3?114和M4?116匹配。然而,制造變化可導致電路的組
件失配。此類失配可導致電路的輸出包括各種不需要的頻率。舉例來說,差動裝置M1?110
與M2?112或M3?114與M4?116的失配可導致偶次諧波。在一些狀況下,由制造變化所
致的諧波雜質可能非常小且實際上可以忽略。當所述變化足夠大時,諧波雜質可能會影
響系統性能。舉例來說,在用于直接轉換接收器的DBM中,特定來說,二階互調制(IM2)
產物可使基帶處的信噪比(SNR)顯著降級。大的制造變化甚至可導致系統完全無法操
作。因而,可能不得不舍棄由制造工藝產生的電路的一些部分,從而影響所述工藝的“良
率”。隨著制造進行到更小的工藝節點,控制制造工藝的變化越來越困難,因而已提出
改進混頻器電路的頻譜純度的方法。

圖2展示具有IM2產物失配校正的圖1的雙平衡混頻器。

為解決失配效應,可調整晶體管M1?210、M2?212、M3?214和M4?216的一個或一
個以上偏壓電壓。在圖2的特定實例中,晶體管M2?212和M4?216的柵極端子分別經由
電阻器R2?214和R4?218連接到柵極電壓Vg。Vg可能無法被配置,例如受芯片上電壓
參考的限制時。

數/模轉換器(DAC)222分別經由電阻器R1?212和R3?216來配置晶體管M1?210和
M3?214的柵極。電阻器R1?212、R2?214、R3?216和R4?218在標稱情況下具有相同值。更
具體來說,當差動信號IF_P和IF_M失配時,DAC?222在兩個裝置M1?210和M3?214的
柵極處引入適當的DC電壓,以使信號IF_P和IF_M緊密匹配。電容器C1P?202、C1M?206、
C2P?204和C2M?208用以僅將信號LO_P和LO_M的AC分量耦合到混頻器,而將本機振
蕩器電路的DC電壓分別與裝置M1?210、M2?212、M3?214和M4?216的柵極處的偏壓電
壓隔離。電容器C1P?202、C1M?206、C2P?204和C2M?208在標稱情況下具有相同電容值。

在圖2中所展示的配置中,不考慮在輸出處由AC耦合電容器C1P?202、C1M?206、
C2P?204和C2M?208之間可能的失配所導致的頻譜純度,裝置失配得以校正。當使用大電
容器將本機振蕩器信號耦合到混頻器時,AC耦合電容器C1P?202、C1M?206、C2P?204和
C2M?208之間的失配通常不是IM2產物的主要來源。

然而,隨著裝置越來越小(尤其受對于越來越小的多模式、多協議無線電收發器架
構的需求的驅使),需要減少由并入其中的混頻器消耗的裸片面積和功率。

隨著技術縮小,并入其中的有源裝置(例如二極管和晶體管)的大小也縮小。相比
較來說,無源裝置(即,電阻器、電容器和電感器)未成比例地縮小。最終結果為,無
源組件成為小型化和功率效率的很大阻礙。在混頻器中使用的AC耦合電容器尤其如此。

AC耦合電容器大小的最佳大小與混頻器的所要操作頻率直接相關。隨著所要操作
頻率增大,所述值和因此AC耦合電容器值的大小也可減小。

然而,由減小電容器大小的愿望所激發的本機振蕩器AC耦合電容的任何減小均會
造成更大失配。此失配將導致LO_P信號與LO_M信號之間的耦合信號強度差。此又可
影響混頻器的IM2性能,其需要校準和校正,在沒有會造成額外面積、電路復雜性和功
率低效的額外電路的情況下,校準和矯正可能是不可能的。

在沒有任何額外校準電路的情況下使此額外影響來源最小化在雙平衡混頻器中是
有益的,在雙平衡混頻器中為實現IM2校準目的而分割用于相同極性的一個或一個以上
本機振蕩器(LO)電容器。

發明內容

附圖說明

圖1展示雙平衡混頻器。

圖2展示具有IM2產物失配校正的圖1的雙平衡混頻器。

圖3展示具有失配的LO耦合電容器的雙平衡混頻器。

圖4展示根據一示范性實施例的無源雙平衡混頻器。

圖5展示根據一替代示范性實施例的有源雙平衡混頻器。

具體實施方式

詞語“示范性”在本文中用以表示“充當實例、例項或說明”。本文中描述為“示
范性”的任何實施例未必被解釋為比其它實施例優選或有利。

下文中結合附圖所闡述的具體實施方式希望作為對本發明的示范性實施例的描述,
且不希望表示可實踐本發明的僅有實施例。在此描述全篇中使用的術語“示范性”表示
“充當實例、例項或說明”,且未必應被解釋為比其它示范性實施例優選或有利。具體實
施方式包括特定細節以便提供對本發明的示范性實施例的透徹理解。所屬領域的技術人
員將顯而易見,可在無這些特定細節的情況下實踐本發明的示范性實施例。在一些例項
中,以框圖形式展示眾所周知的結構和裝置以避免混淆本文中所呈現的示范性實施例的
新穎性。

所屬領域的技術人員將理解,可使用各種不同技術和技藝中的任一者來表示信息和
信號。舉例來說,可通過電壓、電流、電磁波、磁場或磁粒子、光場或光粒子或其任何
組合來表示可能在以上整個描述中引用的數據、指令、命令、信息、信號、位、符號和
碼片。

本發明針對雙平衡混頻器,其中出于IM2校準目的而分割用于相同極性的一個或一
個以上本機振蕩器(LO)電容器。

圖3展示具有失配的LO耦合電容器302、304、306、308的無源雙平衡混頻器300。
如所展示,正本機振蕩器信號(LOP)耦合到電容器302和306的第一端子。電容器302
的第二端子耦合到晶體管310的柵極端子。晶體管310的漏極端子耦合到正基帶輸出端
子(BBP)。電容器306的第二端子耦合到晶體管314的柵極端子。晶體管314的漏極端
子耦合到負基帶輸出端子(BBM)。

負本機振蕩器信號(LOM)耦合到電容器304和308的第一端子。電容器304的第
二端子耦合到晶體管312的柵極端子。晶體管312的源極端子耦合到負基帶輸出端子
(BBM)。電容器308的第二端子耦合到晶體管316的柵極端子。晶體管316的源極端子
耦合到正基帶輸出端子(BBP)。晶體管310的源極端子耦合到晶體管312的漏極端子和
RF輸入信號(RFP)。晶體管314的源極端子耦合到晶體管316的漏極端子和負RF
輸入信號(RFM)。

在晶體管310的柵極端子處呈現的信號可表示為:

LOP+δ????等式1

其中δ為由于通過電容器302所致的正本機振蕩器信號的振幅或相位變化。

類似地,在晶體管312的柵極端子處呈現的信號可表示為:

LOM+σ????等式2

其中σ為由于通過電容器304所致的負本機振蕩器信號的振幅或相位變化。

在晶體管314的柵極端子處呈現的信號可表示為:

LOP-δ????等式3

其中δ為由于通過電容器306所致的正本機振蕩器信號的振幅或相位變化。

在晶體管316的柵極端子處呈現的信號可表示為:

LOM-σ????等式4

其中σ為由于通過電容器308所致的負本機振蕩器信號的振幅或相位變化。

在正基帶輸出端子處呈現的所得信號可表示為:

BBP=(LOP+δ)RFP+(LOM-σ)RFM????等式5

在負基帶輸出端子處呈現的所得信號可表示為:

BBM=(LOP-δ)RFM+(LOM+σ)RFP????等式6

根據等式5和6,跨所述基帶輸出端子而呈現的所得信號可表示為:

BBOUT=BBP-BBM=(LOP-δ)RFM+(LOM+σ)RFP????等式7

可看出,電容器電壓失配在很大程度上造成混頻器300的輸出處的總基帶電壓電平。

下文描述一種改進的無源雙平衡混頻器,其具有減少的電容器電壓失配。無源雙平
衡混頻器包括兩組混頻器電路,每一組包含開關。每一開關被單獨劃分成具有不等數目
個指狀物的第一部分和第二部分。與給定開關相關聯的第一和第二LO?AC耦合電容器
在一端耦合到第一LO信號。第一和第二LO?AC耦合電容器的輸出分別耦合到兩個開關
的第一和第二部分。在一個實施例中,分別通過n+1和n-1個指狀物來界定所述不等數
目個指狀物。

圖4展示根據一示范性實施例的無源雙平衡混頻器400。此處,每一開關430、432、
434、436具有2N個指狀物,所述2N個指狀物被劃分成具有不等數目個指狀物(N-x
和N+x)的兩個部分,每一部分構成單獨的相異晶體管。在一示范性實施例中,所述第
一部分包含N-1個指狀物且所述第二部分包含N+1個指狀物。正本機振蕩器信號(LOP)
耦合到電容器402和406的第一端子。電容器402的第二端子耦合到晶體管410(具有
N-1個指狀物)和415(具有N+1個指狀物)的柵極端子。晶體管410的漏極端子耦合
到正基帶輸出端子(BBP)。晶體管415的漏極端子耦合到負基帶輸出端子(BBM)。電
容器406的第二端子耦合到晶體管414(具有N-1個指狀物)和411(具有N+1個指狀
物)的柵極端子。晶體管414的漏極端子耦合到負基帶輸出端子(BBM)。晶體管411
的漏極端子耦合到正基帶輸出端子(BBP)。

負本機振蕩器信號(LOM)耦合到電容器404和408的第一端子。電容器404的第
二端子耦合到晶體管412(具有N-1個指狀物)和417(具有N+1個指狀物)的柵極端
子。晶體管412的源極端子耦合到負基帶輸出端子(BBM)。晶體管417的源極端子耦
合到正基帶輸出端子(BBP)。電容器408的第二端子耦合到晶體管416(具有N-1個指
狀物)和413(具有N+1個指狀物)的柵極端子。晶體管416的源極端子耦合到正基帶
輸出端子(BBP)。晶體管413的源極端子耦合到負基帶輸出端子(BBM)。

晶體管410的源極端子耦合到晶體管412的漏極端子、晶體管413的漏極端子、晶
體管411的源極端子和正RF輸入信號(RFP)。晶體管414的源極端子耦合到晶體管416
的漏極端子、晶體管417的漏極端子、晶體管415的源極端子和負RF輸入信號(RFM)。

為簡單起見,圖4中的指狀物的數目可被視為正規化的(用(N-1)/2N代替N-1,用
(N+1)/2N代替N+1)。

在無源雙平衡混頻器400的所述配置中,在晶體管410和415的柵極端子處呈現的
信號可表示為:

LO P + δ 2 ]]>等式8

其中δ為由于通過電容器402所致的正本機振蕩器信號的振幅或相位變化。

在晶體管412和417的柵極端子處呈現的信號可表示為:

LO M + σ 2 ]]>等式9

其中σ為由于通過電容器404所致的負本機振蕩器信號的振幅或相位變化。

在晶體管414和411的柵極端子處呈現的信號可表示為:

LO P - δ 2 ]]>等式10

其中δ為由于通過電容器406所致的正本機振蕩器信號的振幅或相位變化。

在晶體管416和413的柵極端子處呈現的信號可表示為:

LO M - σ 2 ]]>等式11

其中σ為由于通過電容器408所致的負本機振蕩器信號的振幅或相位變化。

在正基帶輸出端子處呈現的所得信號可表示為:

BB P = ( LO P + δ 2 ) RF P ( N - 1 ) 2 N + ( LO P - δ 2 ) RF P ( N + 1 ) 2 N + ]]>等式12

( LO M - σ 2 ) RF M ( N - 1 ) 2 N + ( LO M + σ 2 ) RF M ( N + 1 ) 2 N ]]>

在負基帶輸出端子處呈現的所得信號可表示為:

BB M = ( LO M + σ 2 ) RF P ( N - 1 ) 2 N + ( LO M - σ 2 ) RF P ( N + 1 ) 2 N + ]]>等式13

( LO P - δ 2 ) RF M ( N - 1 ) 2 N + ( LO P + δ 2 ) RF M ( N + 1 ) 2 N ]]>

因此,跨所述基帶輸出端子而呈現的所得信號可表示為:

BB OUT = BB P - BB M = RF P ( LO P - LO M + ]]>

等式14

δ N - σ N ) + RF M ( LO M - LO P - σ N + δ N ) ]]>

如在以上等式14中描述的所得基帶輸出信號中可看出,當在無源混頻器電路內實
施開關分割時,由AC耦合電容器造成的LO失配減少因數1/N。

技術人員將進一步了解,無源雙混頻器可配置為包含跨導放大器的有源混頻器。還
應了解,有源混頻器配置通常還可受益于將開關劃分成單獨部分。

圖5展示根據替代示范性實施例的有源雙平衡(ADB)混頻器500。此處,RF信號
經由跨導放大器522耦合到ADB混頻器500,所述跨導放大器522將所要的放大提供給
混頻器。此處,如同圖4的實施例中一樣,每一開關530、532、534、536具有2N個指
狀物,所述2N個指狀物被劃分成具有不等數目個指狀物(N-x和N+x)的兩個部分,
每一部分構成單獨的相異晶體管。在一示范性實施例中,所述第一部分包含N-1個指狀
物且所述第二部分包含N+1個指狀物。在圖5的示范性實施例中,正本機振蕩器信號
(LOP)耦合到電容器502和506的第一端子。電容器502的第二端子耦合到晶體管510
(具有N-1個指狀物)和515(具有N+1個指狀物)的柵極端子。晶體管510的漏極端
子耦合到正基帶輸出端子(BBP)。晶體管515的漏極端子耦合到負基帶輸出端子(BBM)。
電容器506的第二端子耦合到晶體管514(具有N-1個指狀物)和511(具有N+1個指
狀物)的柵極端子。晶體管514的漏極端子耦合到負基帶輸出端子(BBM)。晶體管511
的漏極端子耦合到正基帶輸出端子(BBP)。

負本機振蕩器信號(LOM)耦合到電容器504和508的第一端子。電容器504的第
二端子耦合到晶體管512(具有N-1個指狀物)和517(具有N+1個指狀物)的柵極端
子。晶體管512的漏極端子耦合到負基帶輸出端子(BBM)。晶體管517的漏極端子耦
合到正基帶輸出端子(BBP)。電容器508的第二端子耦合到晶體管516(具有N-1個指
狀物)和513(具有N+1個指狀物)的柵極端子。晶體管516的漏極端子耦合到正基帶
輸出端子(BBP)。晶體管513的漏極端子耦合到負基帶輸出端子(BBM)。

晶體管510的源極端子耦合到晶體管512的源極端子、晶體管513的源極端子、晶
體管511的源極端子且耦合到跨導放大器522。晶體管514的源極端子耦合到晶體管516
的源極端子、晶體管517的源極端子、晶體管515的源極端子且耦合到跨導放大器522。

盡管已借助跨導放大器的特定配置來展示ADB混頻器,但此僅為說明目的,因為
混頻器設計領域的技術人員將容易了解,此跨導放大器可實施于各種實施例中。

此外,應了解,盡管已借助分割成兩個部分的開關來描述以上示范性實施例,但可
能有可能或有必要將一開關分割成兩個以上部分;或在兩個開關的情況下分割一個開關
但不分割另一個開關。

技術人員將進一步了解,結合本文中所揭示的實施例而描述的各種說明性邏輯塊、
模塊、電路和算法步驟可實施為電子硬件、計算機軟件或兩者的組合。為清楚地說明硬
件與軟件的此可互換性,上文已大體上在功能性方面描述了各種說明性組件、塊、模塊、
電路和步驟。此功能性實施為硬件還是軟件取決于特定應用和強加于整個系統的設計約
束。熟練的技術人員可針對每一特定應用以不同方式來實施所描述的功能性,但此類實
施決策不應被解釋為導致脫離本發明的示范性實施例的范圍。

結合本文中所揭示的實施例而描述的各種說明性邏輯塊、模塊和電路可用通用處理
器、數字信號處理器(DSP)、專用集成電路(ASIC)、現場可編程門陣列(FPGA)或
其它可編程邏輯裝置、離散門或晶體管邏輯、離散硬件組件或其經設計以執行本文中所
描述的功能的任何組合來實施或執行。通用處理器可為微處理器,但在替代方案中,處
理器可為任何常規的處理器、控制器、微控制器或狀態機。處理器還可實施為計算裝置
的組合,例如,DSP與微處理器的組合、多個微處理器的組合、結合DSP核心的一個或
一個以上微處理器,或任一其它此類配置。

結合本文中所揭示的實施例而描述的方法或算法的步驟可直接體現于硬件中、由處
理器執行的軟件模塊中,或兩者的組合中。軟件模塊可駐留于隨機存取存儲器(RAM)、
快閃存儲器、只讀存儲器(ROM)、電可編程ROM(EPROM)、電可擦除可編程ROM
(EEPROM)、寄存器、硬盤、可裝卸盤、CD-ROM或此項技術中已知的任何其它形式的
存儲媒體中。示范性存儲媒體耦合到處理器,使得處理器可從存儲媒體讀取信息和將信
息寫入到存儲媒體。在替代方案中,存儲媒體可與處理器成一體式。處理器和存儲媒體
可駐留于ASIC中。ASIC可駐留于用戶終端中。在替代方案中,處理器和存儲媒體可作
為離散組件而駐留于用戶終端中。

在一個或一個以上示范性實施例中,可以硬件、軟件、固件或其任何組合來實施所
描述的功能。如果以軟件加以實施,那么所述功能可作為一個或一個以上指令或代碼而
存儲于計算機可讀媒體上或經由計算機可讀媒體進行發射。計算機可讀媒體包括計算機
存儲媒體與通信媒體兩者,通信媒體包括促進計算機程序從一處傳送到另一處的任何媒
體。存儲媒體可為可由計算機存取的任何可用媒體。借助實例而非限制,此計算機可讀
媒體可包含:RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其它光盤存儲裝置、磁盤存儲裝置
或其它磁性存儲裝置,或可用以載運或存儲呈指令或數據結構形式的所要程序代碼且可
由計算機存取的任何其它媒體。并且,將任何連接恰當地稱為計算機可讀媒體。舉例來
說,如果使用同軸電纜、光纖纜線、雙絞線、數字訂戶線(DSL)或無線技術(例如紅
外線、無線電和微波)而從網站、服務器或其它遠程源發射軟件,那么同軸電纜、光纖
纜線、雙絞線、DSL或無線技術(例如紅外線、無線電和微波)包括于媒體的定義中。
如本文中所使用,磁盤(Disk)和光盤(disc)包括緊密光盤(CD)、激光光盤、光學
光盤、數字多功能光盤(DVD)、軟性磁盤和藍光光盤,其中磁盤通常以磁性方式再現
數據,而光盤通過激光以光學方式再現數據。上述各者的組合也應包括于計算機可讀媒
體的范圍內。

提供對所揭示的示范性實施例的先前描述以使所屬領域的任何技術人員能夠制造
或使用本發明。所屬領域的技術人員將易于了解對這些示范性實施例的各種修改,且在
不脫離本發明的精神或范圍的情況下,本文所定義的一般原理可應用于其它實施例。因
而,本發明不希望限于本文中所展示的實施例,而是應被賦予與本文中所揭示的原理和
新穎特征一致的最廣范圍。

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本文標題:具有改進的組件匹配的雙平衡混頻器.pdf
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