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一種減小碳化硅凹槽損傷提高肖特基柵可靠性的方法.pdf

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一種 減小 碳化硅 凹槽 損傷 提高 肖特基柵 可靠性 方法
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摘要
申請專利號:

CN201210424730.5

申請日:

2012.10.30

公開號:

CN102931067B

公開日:

2015.01.28

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||實質審查的生效IPC(主分類):H01L 21/28申請日:20121030|||公開
IPC分類號: H01L21/28 主分類號: H01L21/28
申請人: 中國電子科技集團公司第五十五研究所
發明人: 陳剛; 柏松; 李理
地址: 210000 江蘇省南京市白下區瑞金路街道中山東路524號
優先權:
專利代理機構: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201210424730.5

授權公告號:

102931067B||||||

法律狀態公告日:

2015.01.28|||2013.03.20|||2013.02.13

法律狀態類型:

授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

本發明公開了一種減小碳化硅凹槽損傷提高肖特基柵可靠性的方法,該方法包括以第一光刻膠層(3)作為阻擋層,采用三氟化氮作為刻蝕氣體刻蝕碳化硅外延層(2)以形成柵凹槽(5);和對所述碳化硅外延層(2)的表面進行高溫氧化處理以形成犧牲氧化層(6)并進一步去除所述犧牲氧化層(6)。本發明的減小碳化硅凹槽損傷提高肖特基柵可靠性的方法可以有效地減少刻蝕表面的碳殘余物,從而獲得光滑的刻蝕表面,并且通過高溫氧化的方法對輕損傷的碳化硅表面進行氧化處理,進一步減小了柵凹槽因刻蝕產生的損傷和粗糙,提高了肖特基柵金屬與碳化硅之間接觸的性能。

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本文標題:一種減小碳化硅凹槽損傷提高肖特基柵可靠性的方法.pdf
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