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三維集成高密度厚膜多芯片組件的集成方法.pdf

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三維 集成 高密度 厚膜多 芯片 組件 方法
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摘要
申請專利號:

CN201210492847.7

申請日:

2012.11.28

公開號:

CN103094219B

公開日:

2015.01.28

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||實質審查的生效IPC(主分類):H01L 21/98申請日:20121128|||公開
IPC分類號: H01L21/98; H01L21/60 主分類號: H01L21/98
申請人: 貴州振華風光半導體有限公司
發明人: 楊成剛; 蘇貴東
地址: 550018 貴州省貴陽市新添大道北段238號
優先權:
專利代理機構: 貴陽中工知識產權代理事務所 52106 代理人: 劉安寧
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201210492847.7

授權公告號:

103094219B||||||

法律狀態公告日:

2015.01.28|||2013.06.12|||2013.05.08

法律狀態類型:

授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

本發明公開了三維集成高密度陶瓷厚膜多芯片組件的集成方法,方法是先制作所需多層陶瓷厚膜基片,在多層陶瓷厚膜基片上,制作厚膜導帶-阻帶網絡,小多層陶瓷基片的對外引腳制作在的同一端的端面或者兩面;然后在垂直集成的相應鍵合區形成金球;再采用厚膜混合集成的方式進行集成,在小多層陶瓷基片的正反面集成一個以上半導體芯片或片式元器件,并完成引線鍵合;最后,采用共晶、合金或漿料粘接等焊接方式將集成后的小多層陶瓷基片垂直集成在底座多層陶瓷基片上。本發明采用三維豎向垂直集成,可將一個以上半導體芯片或其他片式元器件垂直集成在同一底座多層陶瓷基片上,實現高密度三維集成,提高多芯片組件的集成度和提高應用系統的可靠性。

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本文標題:三維集成高密度厚膜多芯片組件的集成方法.pdf
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