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蒸鍍掩模、蒸鍍裝置、薄膜形成方法.pdf

關 鍵 詞:
蒸鍍掩模 裝置 薄膜 形成 方法
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摘要
申請專利號:

CN201110036180.5

申請日:

2011.02.11

公開號:

CN102162082B

公開日:

2015.01.28

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||實質審查的生效IPC(主分類):C23C 14/04申請日:20110211|||公開
IPC分類號: C23C14/04; C23C14/24; H01L51/56 主分類號: C23C14/04
申請人: 株式會社愛發科
發明人: 深尾萬里; 羽根功二; 伊藤正博
地址: 日本神奈川縣
優先權: 2010.02.12 JP 2010-029353
專利代理機構: 中國專利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 朱美紅;楊楷
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201110036180.5

授權公告號:

102162082B||||||

法律狀態公告日:

2015.01.28|||2013.01.16|||2011.08.24

法律狀態類型:

授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

提供一種能夠對應于大型基板的蒸鍍掩模、蒸鍍裝置、蒸鍍方法。在蒸鍍掩模(10)上形成開口部(11),以使其中心間距離為基板(50)的像素(51a1、51a2)的中心間距離的2倍。將該蒸鍍掩模配置在基板上,在進行對位以使開口部和遮蔽部(19)交替地配置在各像素(51a1、51a2、51ax)的上方的狀態下,將與開口部面對的像素(51a1)成膜,接著使蒸鍍掩模移動像素(51a1、51a2)的中心間距離,使開口部位于在移動前與遮蔽部面對的未成膜的像素(51a2、51ax)的上方,在此狀態下在未成膜的像素(51a2、51ax)上成膜薄膜。由于開口部的間隔比以往寬,所以能夠使在開口部形成時蒸鍍掩模損壞的可能性比以往減小,大型的蒸鍍掩模的制造變得容易。

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本文標題:蒸鍍掩模、蒸鍍裝置、薄膜形成方法.pdf
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