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具有溝槽邊緣終端的半導體元件.pdf

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具有 溝槽 邊緣 終端 半導體 元件
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摘要
申請專利號:

CN201110119588.9

申請日:

2011.05.10

公開號:

CN102244091B

公開日:

2015.01.28

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||實質審查的生效IPC(主分類):H01L 29/06申請日:20110510|||公開
IPC分類號: H01L29/06; H01L29/78; H01L29/739; H01L29/74; H01L29/861 主分類號: H01L29/06
申請人: 英飛凌科技奧地利有限公司
發明人: G.施密特
地址: 奧地利菲拉赫
優先權: 2010.05.10 US 12/776,866
專利代理機構: 中國專利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 曲寶壯;李家麟
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201110119588.9

授權公告號:

102244091B||||||

法律狀態公告日:

2015.01.28|||2012.02.08|||2011.11.16

法律狀態類型:

授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

具有溝槽邊緣終端的半導體元件,包括:半導體本體,具有第一表面和第二表面且具有內部區域和邊緣區域;pn結,位于第一導電類型的第一半導體區域和第二導電類型的第二半導體區域之間,該pn結在內部區域中在半導體本體的橫向方向延伸;第一溝槽,從邊緣區域中第一側延伸到半導體本體內,其中該溝槽具有彼此相對布置且相對于半導體本體的水平方向傾斜的側壁。

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本文標題:具有溝槽邊緣終端的半導體元件.pdf
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