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洗滌組合物、洗滌方法和半導體裝置的制造方法.pdf

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洗滌 組合 方法 半導體 裝置 制造
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摘要
申請專利號:

CN201110078415.7

申請日:

2011.03.24

公開號:

CN102206559B

公開日:

2015.01.28

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||實質審查的生效IPC(主分類):C11D 7/26申請日:20110324|||公開
IPC分類號: C11D7/26; C11D7/32; C11D7/04; H01L21/02 主分類號: C11D7/26
申請人: 富士膠片株式會社
發明人: 水谷篤史; 伏見英生; 高橋智威; 高橋和敬
地址: 日本國東京都
優先權: 2010.03.25 JP 2010-070821
專利代理機構: 中科專利商標代理有限責任公司 11021 代理人: 蔣亭
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201110078415.7

授權公告號:

102206559B||||||

法律狀態公告日:

2015.01.28|||2013.04.17|||2011.10.05

法律狀態類型:

授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

本發明提供不損傷布線結構、層間絕緣結構而能夠將半導體基板上的等離子體蝕刻殘渣充分除去的洗滌組合物、洗滌方法和使用了上述洗滌組合物的半導體裝置的制造方法。提供用于除去在半導體基板上形成的等離子體蝕刻殘渣的洗滌組合物、洗滌方法以及包含通過上述洗滌組合物洗滌在半導體基板上形成的等離子體蝕刻殘渣的工序的半導體裝置的制造方法,所述洗滌組合物的特征在于,含有57~95重量%的(成分a)水、1~40重量%的(成分b)具有仲羥基和/或叔羥基的羥基化合物、(成分c)有機酸、以及(成分d)季銨化合物,pH為5~10。

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