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半導體器件.pdf

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半導體器件
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摘要
申請專利號:

CN201080061571.6

申請日:

2010.12.20

公開號:

CN102742003B

公開日:

2015.01.28

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||實質審查的生效IPC(主分類):H01L 21/8247申請日:20101220|||公開
IPC分類號: H01L21/8247; G11C11/402; G11C11/405; H01L21/8242; H01L27/108; H01L27/115; H01L29/786; H01L29/788; H01L29/792 主分類號: H01L21/8247
申請人: 株式會社半導體能源研究所
發明人: 山崎舜平; 小山潤; 加藤清
地址: 日本神奈川縣
優先權: 2010.01.15 JP 2010-007482
專利代理機構: 上海專利商標事務所有限公司 31100 代理人: 張欣
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201080061571.6

授權公告號:

102742003B||||||

法律狀態公告日:

2015.01.28|||2013.02.13|||2012.10.17

法律狀態類型:

授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

目的是提供即使沒有提供電源時也可保持所存儲的數據的半導體器件,且對于寫入周期的次數沒有限制。本發明的半導體器件,包括源極線、位線、第一信號線、第二信號線、字線、連接在該源極線和位線之間的存儲單元、電連接至該位線的第一驅動電路、電連接至第一信號線的第二驅動電路、電連接至第二信號線的第三驅動電路、以及電連接至字線和源極線的第四驅動電路。使用除氧化物半導體之外的半導體材料形成第一晶體管。使用氧化物半導體材料形成第二晶體管。

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本文標題:半導體器件.pdf
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