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等離子體處理方法和等離子體處理裝置.pdf

關 鍵 詞:
等離子體 處理 方法 裝置
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摘要
申請專利號:

CN201110249639.X

申請日:

2011.08.23

公開號:

CN102376559B

公開日:

2015.01.28

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||實質審查的生效IPC(主分類):H01L 21/3065申請日:20110823|||公開
IPC分類號: H01L21/3065; H01J37/32 主分類號: H01L21/3065
申請人: 東京毅力科創株式會社
發明人: 大矢欣伸; 田邊明良; 安田吉紀
地址: 日本東京都
優先權: 2011.08.04 JP 2011-171005; 2010.08.23 JP 2010-186017
專利代理機構: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 代理人: 龍淳
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201110249639.X

授權公告號:

102376559B||||||

法律狀態公告日:

2015.01.28|||2012.04.25|||2012.03.14

法律狀態類型:

授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

本發明提供一種等離子體處理方法和等離子體處理裝置,能夠提高RF偏置功能的控制性,針對微細加工的各種要求條件實現等離子體工藝的最優化。該等離子體處理裝置中,從第三高頻電源(66)對上部電極(46)(或下部電極(12))施加適于電容耦合的等離子體生成的高頻(RFH),并且為了控制從等離子體入射到半導體晶片(W)的離子的能量,從第一和第二高頻電源(36)、(38)對基座(12)重疊地施加適于離子引入的2種高頻(RFL1(0.8MHz))、(RFL2(13MHz))。根據工藝的規格、條件或處理方案,控制部88控制2個高頻(RFL1)、(RFL2)的總功率和功率比。

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