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半導體裝置的制造方法及半導體裝置.pdf

關 鍵 詞:
半導體 裝置 制造 方法
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摘要
申請專利號:

CN201110052233.2

申請日:

2011.03.04

公開號:

CN102194716B

公開日:

2015.01.28

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 專利權的轉移號牌文件類型代碼:1602號牌文件序號:101757277110IPC(主分類):H01L 21/56專利號:ZL2011100522332登記生效日:20170728變更事項:專利權人變更前權利人:株式會社東芝變更后權利人:東芝存儲器株式會社變更事項:地址變更前權利人:日本東京都變更后權利人:日本東京|||授權|||實質審查的生效IPC(主分類):H01L 21/56申請日:20110304|||公開
IPC分類號: H01L21/56; H01L21/60; H01L21/78; H01L23/495; H01L23/29 主分類號: H01L21/56
申請人: 株式會社東芝
發明人: 飯島利恒
地址: 日本東京都
優先權: 2010.03.05 JP 049348/2010
專利代理機構: 永新專利商標代理有限公司 72002 代理人: 徐殿軍
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201110052233.2

授權公告號:

|||102194716B||||||

法律狀態公告日:

2017.08.18|||2015.01.28|||2011.11.23|||2011.09.21

法律狀態類型:

專利申請權、專利權的轉移|||授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

基于本發明的一實施例的半導體裝置的制造方法包含以下工序:覆蓋工序,使多個基板互相分離地對分別搭載有半導體芯片的多個基板用密封樹脂進行覆蓋;及切斷工序,切斷多個基板間的密封樹脂。

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本文標題:半導體裝置的制造方法及半導體裝置.pdf
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