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一種發光二極管芯片結構.pdf

關 鍵 詞:
一種 發光二極管 芯片 結構
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摘要
申請專利號:

CN201110037091.2

申請日:

2011.02.12

公開號:

CN102637799B

公開日:

2015.01.28

當前法律狀態:

終止

有效性:

無權

法律詳情: 未繳年費專利權終止IPC(主分類):H01L 33/36申請日:20110212授權公告日:20150128終止日期:20160212|||授權|||實質審查的生效IPC(主分類):H01L 33/36申請日:20110212|||公開
IPC分類號: H01L33/36(2010.01)I; H01L33/38(2010.01)I 主分類號: H01L33/36
申請人: 上海藍光科技有限公司
發明人: 張楠; 齊勝利; 潘堯波; 郝茂盛
地址: 201210 上海市浦東新區張江高科技園區芳春路400號
優先權:
專利代理機構: 上海光華專利事務所 31219 代理人: 李儀萍
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201110037091.2

授權公告號:

|||102637799B||||||

法律狀態公告日:

2017.03.29|||2015.01.28|||2012.10.03|||2012.08.15

法律狀態類型:

專利權的終止|||授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

本發明公開了一種發光二極管芯片結構,該結構的P型半導體層之上設有P型歐姆接觸電極層;在所述P型歐姆接觸電極層之上設有絕緣阻隔結構;在所述絕緣阻隔結構上設有P型透明導電層,所述P型透明導電層將所述絕緣阻隔結構包裹;其P電極與所述P型透明導電層接觸。其中,所述絕緣阻隔結構包括多個柱狀絕緣結構或者為設有多個通孔的絕緣層。本發明的發光二極管芯片結構通過改善電流的擴展,提高電流的注入效率,從而提高了LED的亮度。

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本文標題:一種發光二極管芯片結構.pdf
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