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功率晶體管結構及其制作方法.pdf

關 鍵 詞:
功率 晶體管 結構 及其 制作方法
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摘要
申請專利號:

CN201110081027.4

申請日:

2011.03.31

公開號:

CN102738229B

公開日:

2015.01.28

當前法律狀態:

終止

有效性:

無權

法律詳情: 未繳年費專利權終止IPC(主分類):H01L 29/78申請日:20110331授權公告日:20150128終止日期:20160331|||授權|||實質審查的生效IPC(主分類):H01L 29/78申請日:20110331|||公開
IPC分類號: H01L29/78; H01L29/739; H01L29/423; H01L21/336; H01L21/331 主分類號: H01L29/78
申請人: 無錫維賽半導體有限公司
發明人: 黃勤; 白玉明
地址: 214028 江蘇省無錫市國家高新技術產業開發區長江路21-1號創源大廈1001室
優先權:
專利代理機構: 上海光華專利事務所 31219 代理人: 李儀萍
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201110081027.4

授權公告號:

|||102738229B||||||

法律狀態公告日:

2017.05.17|||2015.01.28|||2012.12.12|||2012.10.17

法律狀態類型:

專利權的終止|||授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

本發明公開了一種功率晶體管結構及制作方法。該結構包括下電極、襯底、漂移區、兩個第一導電類型區、兩個第二導電類型體區、兩個柵區單元、隔離結構和上電極;其中兩個第二導電類型體區分別位于兩個第一導電類型區與漂移區之間,兩個柵區單元分別位于兩個第二導電類型體區之上,隔離結構覆蓋兩個柵區單元表面,上電極覆蓋隔離結構表面并同時與兩個第一導電類型區和兩個第二導電類型體區電導通。當襯底采用第一導電類型時,該結構可作為場效應管;采用第二導電類型襯底時,該結構可作為絕緣柵雙極型晶體管。這種結構的柵極實際覆蓋面積小,能減小柵極電荷Qg和柵漏電荷Qgd及源漏導通電阻Rdson,提高器件性能,其制作工藝簡單,生產成本較低。

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本文標題:功率晶體管結構及其制作方法.pdf
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