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一種制作鰭式場效應管的翅片結構的方法.pdf

關 鍵 詞:
一種 制作 場效應 結構 方法
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摘要
申請專利號:

CN201110226535.7

申請日:

2011.08.09

公開號:

CN102931061B

公開日:

2015.01.28

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||實質審查的生效IPC(主分類):H01L 21/28申請日:20110809|||公開
IPC分類號: H01L21/28; H01L21/336 主分類號: H01L21/28
申請人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
發明人: 張海洋; 王冬江
地址: 201203 上海市浦東新區張江路18號
優先權:
專利代理機構: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 代理人: 牛崢;王麗琴
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201110226535.7

授權公告號:

102931061B||||||

法律狀態公告日:

2015.01.28|||2013.03.20|||2013.02.13

法律狀態類型:

授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

本發明公開了一種制作鰭式場效應管(FinFET)的翅片結構的方法,采用石墨烯作為制作翅片結構的材料,相比于現有技術采用硅作為翅片結構,其不會熱能釋放FinFET70%~80%的能量,因此,可以不使翅片結構以熱能的方式釋放能量,提高FinFET的工作能量。

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本文標題:一種制作鰭式場效應管的翅片結構的方法.pdf
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