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摻雜單元、摻雜晶片、摻雜方法、電池及制作方法.pdf

關 鍵 詞:
摻雜 單元 晶片 方法 電池 制作方法
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摘要
申請專利號:

CN201110095570.X

申請日:

2011.04.15

公開號:

CN102738263B

公開日:

2015.01.28

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 專利權人的姓名或者名稱、地址的變更號牌文件類型代碼:1602號牌文件序號:101731342324IPC(主分類):H01L 31/0352專利號:ZL201110095570X變更事項:專利權人變更前:上海凱世通半導體有限公司變更后:上海凱世通半導體股份有限公司變更事項:地址變更前:201203 上海市浦東新區張江高科技園區牛頓路200號7號樓1號變更后:201203 上海市浦東新區張江高科技園區牛頓路200號7號樓1號|||授權|||實質審查的生效IPC(主分類):H01L 31/0352申請日:20110415|||公開
IPC分類號: H01L31/0352; H01L31/068(2012.01)I; H01L31/18 主分類號: H01L31/0352
申請人: 上海凱世通半導體有限公司
發明人: 陳炯; 錢鋒; 洪俊華
地址: 201203 上海市浦東新區張江高科技園區牛頓路200號7號樓1號
優先權:
專利代理機構: 上海弼興律師事務所 31283 代理人: 薛琦;朱水平
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201110095570.X

授權公告號:

|||102738263B||||||

法律狀態公告日:

2016.04.20|||2015.01.28|||2012.12.12|||2012.10.17

法律狀態類型:

專利權人的姓名或者名稱、地址的變更|||授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

本發明公開了一種摻雜單元,包括:一N型基底;形成于該N型基底背面中的P型重摻雜區域以及N型重摻雜區域;形成于該P型重摻雜區域周圍的P型輕摻雜區域;其中,該N型重摻雜區域與該P型重摻雜區域以及該N型重摻雜區域與該P型輕摻雜區域互不接觸,其中,所述的P型替換為N型時,N型同時替換為P型。本發明公開了一種摻雜晶片、摻雜方法、太陽能電池以及太陽能電池的制作方法。本發明中P型重摻雜區域與N型重摻雜區域之間具有N型基底材料和P型輕摻雜區域作為緩沖層,使得PN結之間不會因為耗盡層太薄而導致被擊穿,由此形成的P+/P-/N/N+結構的PN結使得載流子的遷移更均勻,速率更穩定,由此提高了該摻雜晶片的使用壽命。

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