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等離子體處理裝置.pdf

關 鍵 詞:
等離子體 處理 裝置
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摘要
申請專利號:

CN201110442876.8

申請日:

2011.12.26

公開號:

CN102568992B

公開日:

2015.01.28

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||實質審查的生效IPC(主分類):H01J 37/32申請日:20111226|||公開
IPC分類號: H01J37/32 主分類號: H01J37/32
申請人: 東京毅力科創株式會社
發明人: 花岡秀敏
地址: 日本東京都
優先權: 2010.12.27 JP 2010-290508
專利代理機構: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 代理人: 劉新宇;張會華
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201110442876.8

授權公告號:

102568992B||||||

法律狀態公告日:

2015.01.28|||2012.09.12|||2012.07.11

法律狀態類型:

授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

本發明提供一種等離子體處理裝置。該等離子體處理裝置能夠易于對處理的因作為被施加于上部電極的直流電壓的地線的直流電壓用接地構件的設置狀態引起的偏差進行校正,從而能夠高效地實施均勻的處理。該等離子體處理裝置包括:高頻電源,其用于對下部電極施加高頻電力;直流電源,其用于對上部電極施加直流電壓;直流電壓用接地構件,其由導電性材料形成,整體形狀形成為環狀,以至少一部分暴露出到處理空間中的方式配置在處理腔室內,用于形成被施加于上部電極的直流電壓的接地電位;多個上下運動機構,其能夠通過使直流電壓用接地構件上下運動來調整該直流電壓用接地構件的接地狀態。

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