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形成硅通孔開口的方法.pdf

關 鍵 詞:
形成 硅通孔 開口 方法
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摘要
申請專利號:

CN201110317983.8

申請日:

2011.10.18

公開號:

CN102738066B

公開日:

2015.01.14

當前法律狀態:

有效性:

法律詳情: 專利權的轉移號牌文件類型代碼:1602號牌文件序號:101726929636IPC(主分類):H01L 21/768專利號:ZL2011103179838登記生效日:20151231變更事項:專利權人變更前權利人:元芯光電股份有限公司變更后權利人:晶元光電股份有限公司變更事項:地址變更前權利人:中國臺灣新竹變更后權利人:中國臺灣新竹科學園區力行五路5號|||專利權的轉移IPC(主分類):H01L 21/768變更事項:專利權人變更前權利人:臺灣積體電路制造股份有限公司變更后權利人:元芯光電股份有限公司變更事項:地址變更前權利人:中國臺灣新竹變更后權利人:中國臺灣新竹登記生效日:20150911|||授權|||實質審查的生效IPC(主分類):H01L 21/768申請日:20111018|||公開
IPC分類號: H01L21/768 主分類號: H01L21/768
申請人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
發明人: 陳其賢; 吳欣賢; 張鈞琳; 夏興國; 郭鴻毅
地址: 中國臺灣新竹
優先權: 2011.04.14 US 13/086,542
專利代理機構: 北京德恒律師事務所 11306 代理人: 陸鑫;高雪琴
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201110317983.8

授權公告號:

||||||102738066B||||||

法律狀態公告日:

2016.01.20|||2015.10.07|||2015.01.14|||2012.12.12|||2012.10.17

法律狀態類型:

專利申請權、專利權的轉移|||專利申請權、專利權的轉移|||授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

一種形成硅通孔(TSV)開口的方法包括穿過襯底形成TSV開口。利用第一化學產品去除在該TSV開口的側壁上的襯底材料的重鑄物。利用第二化學產品基本上去除第一化學產品的殘留物來清潔TSV開口的側壁。

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本文標題:形成硅通孔開口的方法.pdf
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