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半導體結構及其制造方法.pdf

關 鍵 詞:
半導體 結構 及其 制造 方法
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摘要
申請專利號:

CN201110115558.0

申請日:

2011.05.03

公開號:

CN102769028B

公開日:

2015.01.28

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||實質審查的生效IPC(主分類):H01L 29/423申請日:20110503|||公開
IPC分類號: H01L29/423; H01L21/28 主分類號: H01L29/423
申請人: 旺宏電子股份有限公司
發明人: 林鎮元; 林正基; 連士進; 吳錫垣
地址: 中國臺灣新竹科學工業園區力行路16號
優先權:
專利代理機構: 中科專利商標代理有限責任公司 11021 代理人: 宋焰琴
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201110115558.0

授權公告號:

102769028B||||||

法律狀態公告日:

2015.01.28|||2012.12.26|||2012.11.07

法律狀態類型:

授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

本發明公開了一種半導體結構及其制造方法。該半導體結構包括一第一摻雜阱、一第一摻雜電極、一第二摻雜電極、多個摻雜條紋與一摻雜頂區。摻雜條紋位于第一摻雜電極與第二摻雜電極之間的第一摻雜阱上。摻雜條紋互相分開。摻雜頂區位于摻雜條紋上,并延伸于摻雜條紋之間的第一摻雜阱上。第一摻雜阱與摻雜頂區具有一第一導電類型。摻雜條紋具有相反于第一導電類型的一第二導電類型。本發明各實施例的結構和方法能降低裝置的開啟阻抗,提升開啟電流與效能。

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本文標題:半導體結構及其制造方法.pdf
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