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碳化硅半導體器件及其制造方法.pdf

關 鍵 詞:
碳化硅 半導體器件 及其 制造 方法
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摘要
申請專利號:

CN201110435840.7

申請日:

2011.12.22

公開號:

CN102569367B

公開日:

2015.01.28

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||實質審查的生效IPC(主分類):H01L 29/423申請日:20111222|||公開
IPC分類號: H01L29/423; H01L29/78; H01L21/336 主分類號: H01L29/423
申請人: 株式會社電裝; 豐田自動車株式會社
發明人: 三村智博; 宮原真一朗; 高谷秀史; 杉本雅裕; 副島成雅; 石川剛; 渡邊行彥
地址: 日本愛知縣
優先權: 2010.12.22 JP 286101/2010
專利代理機構: 永新專利商標代理有限公司 72002 代理人: 陳松濤;王英
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201110435840.7

授權公告號:

102569367B||||||

法律狀態公告日:

2015.01.28|||2012.09.12|||2012.07.11

法律狀態類型:

授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

一種SiC半導體器件包括襯底(1)、漂移層(2)、基極區(3)、源極區(4)、溝槽(6)、柵極氧化物膜(7)、柵電極(8)、源電極(9)和漏電極(11)。襯底(1)以Si面作為主表面。源極區(4)具有Si面。從所述源極區(4)的表面到比所述基極區(3)更深的部分提供溝槽(6),所述溝槽(6)在一個方向上沿縱向延伸并具有Si面底部。所述溝槽(6)至少在與所述基極區(3)接觸的部分具有倒錐形形狀,該倒錐形形狀在入口部分的寬度比底部更小。

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本文標題:碳化硅半導體器件及其制造方法.pdf
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