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半導體器件及其驅動方法.pdf

關 鍵 詞:
半導體器件 及其 驅動 方法
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摘要
申請專利號:

CN201180009045.X

申請日:

2011.01.25

公開號:

CN102742002B

公開日:

2015.01.28

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||實質審查的生效IPC(主分類):H01L 21/8242申請日:20110125|||公開
IPC分類號: H01L21/8242; G11C11/401; G11C11/405; H01L21/8247; H01L27/10; H01L27/105; H01L27/108; H01L27/115; H01L29/788; H01L29/792 主分類號: H01L21/8242
申請人: 株式會社半導體能源研究所
發明人: 井上廣樹; 加藤清; 松崎隆德; 長塚修平
地址: 日本神奈川縣厚木市
優先權: 2010.02.12 JP 2010-028820
專利代理機構: 中國專利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 何欣亭;李家麟
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201180009045.X

授權公告號:

102742002B||||||

法律狀態公告日:

2015.01.28|||2012.12.26|||2012.10.17

法律狀態類型:

授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

一個目的是提供一種具有新結構的半導體器件,其中甚至在沒有提供電力時也能夠保持已存儲數據,并且寫入次數不受限制。該半導體器件使用寬能隙半導體來形成,并且包括有選擇地向源線施加與位線的電位相等或不同的電位的電位變化電路。因此,半導體器件的功率消耗能夠充分降低。

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本文標題:半導體器件及其驅動方法.pdf
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