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半導體裝置及其制造方法.pdf

關 鍵 詞:
半導體 裝置 及其 制造 方法
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摘要
申請專利號:

CN201210214671.9

申請日:

2009.01.20

公開號:

CN102768965B

公開日:

2015.01.14

當前法律狀態:

有效性:

法律詳情: 專利權人的姓名或者名稱、地址的變更IPC(主分類):H01L 21/60變更事項:專利權人變更前:瑞薩電子株式會社變更后:瑞薩電子株式會社變更事項:地址變更前:日本神奈川縣變更后:日本東京|||授權|||實質審查的生效IPC(主分類):H01L 21/60申請日:20090120|||公開
IPC分類號: H01L21/60; H01L21/56; H01L23/495; H01L23/29 主分類號: H01L21/60
申請人: 瑞薩電子株式會社
發明人: 谷藤雄一; 中條卓也; 岡浩偉
地址: 日本神奈川縣
優先權: 2008.01.28 JP 2008-016551
專利代理機構: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 代理人: 劉國偉
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201210214671.9

授權公告號:

|||102768965B||||||

法律狀態公告日:

2017.12.26|||2015.01.14|||2012.12.26|||2012.11.07

法律狀態類型:

專利權人的姓名或者名稱、地址的變更|||授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

本發明涉及半導體裝置及其制造方法。本發明使得介于半導體芯片和芯片墊部之間的導電性接著劑的接合可靠性提高。硅芯片3A搭載在與漏極引線Ld一體形成的芯片墊部4D上,且在硅芯片3A的主面上形成有源極墊7。硅芯片3A的背面構成一功率MOSFET的漏極,且經由Ag膏5而接合于芯片墊部4D上。源極引線Ls與源極墊7是通過Al帶10而電連接。在硅芯片3A的背面上形成有Ag納米粒子涂膜9A,在芯片墊部4D與引線(漏極引線Ld、源極引線Ls)的表面上形成有Ag納米粒子涂膜9B。

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本文標題:半導體裝置及其制造方法.pdf
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