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用于半導體襯底的貫穿硅通孔及其生產方法.pdf

關 鍵 詞:
用于 半導體 襯底 貫穿 硅通孔 及其 生產 方法
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摘要
申請專利號:

CN201210104185.1

申請日:

2012.04.10

公開號:

CN102738119B

公開日:

2015.01.14

當前法律狀態:

有效性:

法律詳情: 授權|||實質審查的生效IPC(主分類):H01L 23/538申請日:20120410|||公開
IPC分類號: H01L23/538 主分類號: H01L23/538
申請人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
發明人: 余振華; 張正宏; 廖鄂斌; 余佳霖; 王湘儀; 張俊華; 黃立賢; 郭智維; 吳倉聚; 邱文智
地址: 中國臺灣新竹
優先權: 2011.04.13 US 13/085,668
專利代理機構: 北京德恒律師事務所 11306 代理人: 陸鑫;房嶺梅
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201210104185.1

授權公告號:

102738119B||||||

法律狀態公告日:

2015.01.14|||2012.12.12|||2012.10.17

法律狀態類型:

授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

半導體元件包括具有頂面的半導體襯底。開口從頂面延伸至半導體襯底中。該開口包括內表面。具有第一壓縮應力的第一介電襯里設置在開口的內表面上。具有拉伸應力的第二介電襯里設置在第一介電襯里上。具有第二壓縮應力的第三介電襯里設置在第二介電襯里上。金屬阻擋層設置在第三介電襯里上。導電材料設置在金屬阻擋層上并填充開口。本發明還提供了一種用于半導體襯底的貫穿硅通孔及其生產方法。

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本文標題:用于半導體襯底的貫穿硅通孔及其生產方法.pdf
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