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半導體制造方法.pdf

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半導體 制造 方法
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摘要
申請專利號:

CN201110095459.0

申請日:

2011.04.17

公開號:

CN102751182B

公開日:

2015.01.14

當前法律狀態:

有效性:

法律詳情: 專利權的轉移IPC(主分類):H01L 21/266變更事項:專利權人變更前權利人:中國科學院微電子研究所變更后權利人:北京燕東微電子有限公司變更事項:地址變更前權利人:100029 北京市朝陽區北土城西路3#變更后權利人:100015 北京市朝陽區東直門外西八間房萬紅西街2號登記生效日:20150624|||授權|||實質審查的生效IPC(主分類):H01L 21/266申請日:20110417|||公開
IPC分類號: H01L21/266 主分類號: H01L21/266
申請人: 中國科學院微電子研究所
發明人: 李春龍; 李俊峰
地址: 100029 北京市朝陽區北土城西路3#
優先權:
專利代理機構: 北京藍智輝煌知識產權代理事務所(普通合伙) 11345 代理人: 陳紅
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201110095459.0

授權公告號:

|||102751182B||||||

法律狀態公告日:

2015.07.15|||2015.01.14|||2013.01.23|||2012.10.24

法律狀態類型:

專利申請權、專利權的轉移|||授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

一種半導體制造方法,在批量離子注入工藝中,在虛設晶圓上形成與欲進行離子注入的晶圓上相同的光刻膠圖案,這樣,虛設晶圓與欲進行離子注入的晶圓的光刻膠傳輸比(PR?transmission?ratio)相同,因此同一批次中的各個晶圓總的光刻膠傳輸比可以保持穩定和一致,這使所需要的壓力補償在各個晶圓處保持穩定,便于控制,從而使最終的批量注入劑量可以保持穩定和一致。

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本文標題:半導體制造方法.pdf
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