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集成電路及其制造方法.pdf

關 鍵 詞:
集成電路 及其 制造 方法
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摘要
申請專利號:

CN201110426055.5

申請日:

2011.12.16

公開號:

CN102738218B

公開日:

2015.01.07

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||實質審查的生效IPC(主分類):H01L 29/417申請日:20111216|||公開
IPC分類號: H01L29/417; H01L27/092 主分類號: H01L29/417
申請人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
發明人: 阿里·凱沙瓦齊; 郭大鵬; 宋淑惠; 曾祥仁; 林學仕; 魯立忠; 吳忠政; 田麗鈞; 楊榮展; 陳淑敏; 曹敏; 侯永清
地址: 中國臺灣新竹
優先權: 2011.04.13 US 13/086,186
專利代理機構: 北京德恒律師事務所 11306 代理人: 陸鑫;房嶺梅
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201110426055.5

授權公告號:

102738218B||||||

法律狀態公告日:

2015.01.07|||2012.12.12|||2012.10.17

法律狀態類型:

授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

本發明公開一種集成電路,包括用于第一類型晶體管的第一擴散區域。第一類型晶體管包括第一漏極區和第一源極區。用于第二類型晶體管的第二擴散區域與第一擴散區域分離。第二類型晶體管包括第二漏極區和第二源極區。柵電極在布線方向上跨過第一擴散區域和第二擴散區域連續地延伸。第一金屬結構與第一源極區電連接。第二金屬結構與第二漏極區電連接。第三金屬結構設置在第一和第二金屬結構之上并且與其電連接。第一金屬結構的寬度基本等于或大于第三金屬結構的寬度。

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本文標題:集成電路及其制造方法.pdf
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