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抗壞血酸修飾的新型腦靶向磁性納米粒的制備.pdf

關 鍵 詞:
抗壞血酸 修飾 新型 靶向 磁性 納米 制備
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摘要
申請專利號:

CN201711220660.0

申請日:

20171129

公開號:

CN107982541A

公開日:

20180504

當前法律狀態:

有效性:

審查中

法律詳情:
IPC分類號: A61K47/54,A61K47/52,A61K47/69,A61K45/00,A61K31/192,A61K31/137,A61K31/13,A61K41/00,A61P25/00,A61P35/00,A61P29/00,A61P25/08,A61P9/10,A61P25/28,A61P25/16 主分類號: A61K47/54,A61K47/52,A61K47/69,A61K45/00,A61K31/192,A61K31/137,A61K31/13,A61K41/00,A61P25/00,A61P35/00,A61P29/00,A61P25/08,A61P9/10,A61P25/28,A61P25/16
申請人: 四川大學
發明人: 吳勇,海俐,管玫,郭麗,肖文嬌,陳洋
地址: 610065 四川省成都市武侯區一環路南一段24號
優先權: CN201711220660A
專利代理機構: 代理人:
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201711220660.0

授權公告號:

法律狀態公告日:

法律狀態類型:

摘要

本發明公開了一種以抗壞血酸修飾的新型腦靶向磁性納米粒的制備,為通式(I)所示結構或其藥學上可接受的鹽或水合物:,其中:X代表羧基化的聚乙二醇PEG,可以是三甘醇、四甘醇或聚乙二醇PEG分子量為200、400、600、800、1000、1500、2000、4000等;Y代表?(CH2)a?、?C(O)?(CH2)a?C(O)?或?O?(CH2)b?、?NH?(CH2)b?、?C(O)?(CH2)b?、?C(O)?(CH2)b?C(O)?,a表示0~6,b表示1~4;MNPs代表Fe3O4、γ?Fe2O3、MnFe2O4、CoFe2O4和ZnFe2O4等;Drug代表可作用于中樞神經系統的藥物。本發明提供一種以抗壞血酸修飾的新型腦靶向磁性納米粒的制備方法,可作為載體用于中樞神經系統疾病的治療,既有四氧化三鐵納米粒的磁靶向作用,還有抗壞血酸的主動腦靶向作用。

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本文標題:抗壞血酸修飾的新型腦靶向磁性納米粒的制備.pdf
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