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一種免扦插環節的菊花栽培方法.pdf

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一種 扦插 環節 菊花 栽培 方法
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摘要
申請專利號:

CN201610055569.7

申請日:

20160127

公開號:

CN105660127A

公開日:

20160615

當前法律狀態:

有效性:

審查中

法律詳情:
IPC分類號: A01G1/00 主分類號: A01G1/00
申請人: 青島農業大學
發明人: 王奎玲,郭霄,劉慶超
地址: 266000 山東省青島市城陽區長城路700號
優先權: CN201610055569A
專利代理機構: 濟南舜源專利事務所有限公司 代理人: 申傳曉
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201610055569.7

授權公告號:

法律狀態公告日:

法律狀態類型:

摘要

本發明涉及一種免扦插環節的菊花栽培方法,主要包括準備插穗母株、整地做畦、畦面開溝、插穗采集、溝底定植、覆膜揭膜、平溝壅土,用于滿足簡化菊花繁殖流程、節約成本、節約生產時間的需要,該菊花栽植過程中,扦插階段與移栽過程合二為一方面均有獨到之處,通過對以未生根菊花插穗直接大田定植,可以解決菊花種苗生長周期長、移栽緩苗期長、移栽過程出現機械損傷的問題,既節省了時間,又可保證菊花苗全苗旺,該栽植過程方便、簡單、經濟,能夠節省大量時間,是一種簡單高效的菊花栽培方法。

權利要求書

1.一種免扦插環節的菊花栽培方法,其包括以下步驟:A、采集插穗:當菊花之采穗母株周圍的孽芽長至15cm時,剪取孽芽上部帶頂芽且長度為10cm的枝條作為插穗;B、整地做畦:選擇去年入冬前深耕的砂質壤土,在3月中下旬做高畦,畦高25-30cm,畦面寬30cm,兩畦間距90-100cm,做單行栽植;C、畦面開溝:在畦面開溝,溝深15cm,溝底部夾角為30°-45°,往溝的中心部位澆水,并以沖不倒兩側溝堰為準;D、溝底定植:當溝底水完全滲下后,選擇直徑粗于插穗的木棍,在溝底插孔,將插穗直接插入孔內,插穗入土深度約占插穗長度的2/3,株間距為10cm;E、覆膜:在畦面覆蓋塑料薄膜,薄膜的兩端及兩側壓實;F、揭膜:插穗定植與覆蓋塑料薄膜10天后,在塑料薄膜上用木棍進行不規則打孔,當70%以上插穗頂部葉片達到塑料薄膜下表面時,則漸次揭掉塑料薄膜,此時菊花幼苗根系已經發育完整;G、平溝壅土:當菊花苗頂端葉片高于溝堰以上5cm時,向內平溝壅土,即轉入菊花正常的田間管理。2.根據權利要求1所述的菊花栽培方法,其特征在于,在步驟A之前還包括:菊花開花期間標記對應采穗母株,待花謝后,距土面15cm處,將采穗母株平茬,平茬母株可原地不動,澆足一次冬水,以落葉、草簾、薄膜或糠灰覆蓋防凍保暖,僅莖桿上端3cm外露,要保持對應采穗母株不干不濕、不熱不凍、不抽嫩芽的正常休眠狀態。

說明書

技術領域

本發明涉及植物栽培,尤其涉及一種免扦插環節的菊花栽培方法。

背景技術

菊花是一種應用廣泛的花卉材料,其應用涉及到園林、制藥、茶業、香料等產業,應用廣泛,栽培面積極大,需要大量菊花種苗。

目前,菊花的繁殖一般以扦插為主。傳統菊花扦插一般需配備專門的扦插床,整個過程大體上分為扦插與移栽兩部分,其中扦插階段歷時約15-20天,且生根后移栽過程中不可避免地有一定比例的損失,且存在較長時間的緩苗期,其扦插程序復雜多樣,在繁育的過程中受到較多不可控因素影響,增加了菊花繁育成本。

發明內容

鑒于上述現有技術的不足,本發明的目的在于提供一種免扦插環節的菊花栽培方法,以省去繁瑣的扦插過程與移栽緩苗期,提高菊花繁育的成活率。

為解決上述技術問題,本發明方案包括:

一種免扦插環節的菊花栽培方法,其包括以下步驟:

A、采集插穗:當菊花之采穗母株周圍的孽芽長至15cm時,剪取孽芽上部帶頂芽且長度為10cm的枝條作為插穗;

B、整地做畦:選擇去年入冬前深耕的砂質壤土,在3月中下旬做高畦,畦高25-30cm,畦面寬30cm,兩畦間距90-100cm,做單行栽植;

C、畦面開溝:在畦面開溝,溝深15cm,溝底部夾角為30°-45°,往溝的中心部位澆水,并以沖不倒兩側溝堰為準;

D、溝底定植:當溝底水完全滲下后,選擇直徑粗于插穗的木棍,在溝底插孔,將插穗直接插入孔內,插穗入土深度約占插穗長度的2/3,株間距為10cm;

E、覆膜:在畦面覆蓋塑料薄膜,薄膜的兩端及兩側壓實;

F、揭膜:插穗定植與覆蓋塑料薄膜10天后,在塑料薄膜上用木棍進行不規則打孔,當70%以上插穗頂部葉片達到塑料薄膜下表面時,則漸次揭掉塑料薄膜,此時菊花幼苗根系已經發育完整;

G、平溝壅土:當菊花苗頂端葉片高于溝堰以上5cm時,向內平溝壅土,即轉入菊花正常的田間管理。

所述的菊花栽培方法,其中,在步驟A之前還包括:菊花開花期間標記對應采穗母株,待花謝后,距土面15cm處,將采穗母株平茬,平茬母株可原地不動,澆足一次冬水,以落葉、草簾、薄膜或糠灰覆蓋防凍保暖,僅莖桿上端3cm外露,要保持對應采穗母株不干不濕、不熱不凍、不抽嫩芽的正常休眠狀態。

本發明提供的一種免扦插環節的菊花栽培方法,在菊花栽植過程中將扦插階段與移栽過程合二為一,通過對以未生根菊花插穗直接大田定植,可以解決菊花種苗生長周期長、移栽緩苗期長、移栽過程出現機械損傷的問題,既節省了時間,又可保證菊花苗全苗旺,省去了繁瑣的扦插過程,沒有移栽緩苗期,成苗率達到98%以上,比傳統扦插-移栽方式繁育菊花的成活率提高5%-10%,保證了苗全苗壯,而且由于沒有專門的扦插過程,節省了時間,節約了生產成本。

附圖說明

圖1為本發明中菊花栽培高畦的示意圖;

圖2為本發明中是畦面開溝及澆水的示意圖;

圖3是本發明中未生根插穗直接定植溝底的示意圖;

圖4為本發明中70%以上幼苗頂部葉片到達薄膜漸行揭膜的示意圖;

圖5為本發明中是平溝壅土的示意圖;

圖6為本發明中是轉入正常田間管理的示意圖。

具體實施方式

本發明提供了一種免扦插環節的菊花栽培方法,為使本發明的目的、技術方案及效果更加清楚、明確,以下對本發明進一步詳細說明。應當理解,此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明,并不用于限定本發明。

本發明提供了一種免扦插環節的菊花栽培方法,其包括以下步驟:

采集插穗:當菊花之采穗母株周圍的孽芽長至15cm時,剪取孽芽上部帶頂芽且長度為10cm的枝條作為插穗;

整地做畦:選擇去年入冬前深耕的砂質壤土,在3月中下旬做高畦,畦高25-30cm,畦面寬30cm,兩畦間距90-100cm,做單行栽植;

畦面開溝:在畦面開溝,溝深15cm,溝的底部夾角為30°-45°,往溝的中心部位澆水,并以沖不倒兩側溝堰為準;

溝底定植:當溝底水完全滲下后,選擇直徑粗于插穗的木棍,在溝底插孔,將插穗直接插入孔內,插穗入土深度約占插穗長度的2/3,株間距為10cm;

覆膜:在畦面覆蓋塑料薄膜,薄膜的兩端及兩側壓實;

揭膜:插穗與覆蓋塑料薄膜10天后,在塑料薄膜上用木棍進行不規則打孔,當70%以上插穗頂部葉片達到塑料薄膜下表面時,則漸次揭掉塑料薄膜,此時菊花幼苗根系已經發育完整;

平溝壅土:當菊花苗頂端葉片高于溝堰以上5cm時,向內平溝壅土,即轉入菊花正常的田間管理。

當然在插穗采集時,更為具體的是:菊花開花期間標記對應采穗母株,待花謝后,距土面15cm處,將采穗母株平茬,平茬母株可原地不動,澆足一次冬水,以落葉、草簾、薄膜或糠灰覆蓋防凍保暖,僅莖桿上端3cm外露,要保持對應采穗母株不干不濕、不熱不凍、不抽嫩芽的正常休眠狀態,等待采穗母株之孽芽的生長。

為了更進一步的描述本發明,以下列舉更為詳盡的說明。

(1)準備采穗母株:

采穗母株的選擇與保存如常法。菊花開花期間根據品種要求選擇采穗母株進行掛牌標記,不采花,花謝后,距土面15cm處,將采穗母株平茬。平茬母株可原地不動,澆足一次冬水,以落葉、草簾、薄膜、糠灰等覆蓋防凍保暖,僅莖桿上端3cm外露,有利于植株呼吸;也可將整個根系全部挖出,將腐爛枯焦須根修剪清理干凈,移入大棚中集中越冬。越冬期間注意溫度要在5℃以下,要保持不干不濕、不熱不凍、不抽嫩芽的正常休眠狀態,最忌棚溫過高,土壤積水。

(2)整地做畦:

如圖1所示的,選擇砂質壤土,于去年入冬前施入足量充分腐熟有機肥并深耕,翌年3月中下旬做高畦,畦高25-30cm,畦面寬30cm,兩畦距離90-100cm,做單行栽植,畦長任意。要求畦面平整,無磚頭瓦礫,無大的土坷垃。(亦可畦面寬50cm,兩畦距離120cm,每畦做雙行栽植。)

(3)畦面開溝:

如圖2所示的,在畦面開溝,溝深15cm,溝呈“V”字形,用塑料軟管向溝底部中心部位澆水,盡量避免沖垮兩側溝堰,待水完全滲下后即可定植未生根插穗。

(4)采集插穗:

當采穗母株周圍的孽芽長至15cm,剪取孽芽上部帶頂芽10cm作為插穗,剪去穗條下部2/3以下的葉子,僅保留頂芽及上部1/3處以上的葉子。每100條穗條捆扎后置于800倍可溶性百菌清溶液中浸泡5分鐘,后將穗條基部1/3浸入IBA1500μL/L+NAA800μL/L溶液中浸泡5s,瀝干水分備用。

(5)溝底定植:

如圖3所示的,當溝底水完全滲下后,選擇直徑稍粗于穗條的木棍,在溝底插孔,將穗條直接插入孔中,穗條入土深度約占穗條長度的2/3,輕輕按壓穗條周圍土壤,以使其與土壤顆粒充分接觸。株距10cm(亦可根據品種以產品類型而定)。

(6)覆膜:

用塑料薄膜覆蓋,兩端及兩側壓實。并每隔0.5米左右,在薄膜上放少許土,以防薄膜吹起。

(7)揭膜:

如圖4所示的,10天后,穗條開始生根。在塑料薄膜上用木棍不規則打孔,以防膜內溫度過高導致灼傷。當70%以上插穗頂部葉片達到薄膜,此時菊花幼苗根系已經發育完整,即可漸次揭掉薄膜。不可一次性揭膜,否則易導致幼苗枯萎。視土壤墑情,若土壤偏干,則宜在溝內補水如。

(8)平溝壅土:

如圖5與圖6所示的,當菊花苗高于土堰以上5cm,向內平溝壅土,即轉入正常管理。平溝壅土前,可追施緩釋肥,以在較長時間內保證菊花苗生長過程中的應分供應充足。此后菊花即可轉入正常管理。

當然,以上說明僅僅為本發明的較佳實施例,本發明并不限于列舉上述實施例,應當說明的是,任何熟悉本領域的技術人員在本說明書的教導下,所做出的所有等同替代、明顯變形形式,均落在本說明書的實質范圍之內,理應受到本發明的保護。

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